مقاله آشنایی با حافظه RAM

اختصاصی از یارا فایل مقاله آشنایی با حافظه RAM دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 20

آشنایی با حافظه RAM

 حافظه (RAM(Random Access Memory شناخته ترین نوع حافظه در دنیای  کامپیوتر است . روش دستیابی به این نوع از حافظه ها  تصادفی است . چون می توان به هر سلول حافظه مستقیما" دستیابی پیدا کرد . در مقابل حافظه های RAM ، حافظه های(SAM(Serial Access Memory وجود دارند. حافظه های SAM  اطلاعات را در مجموعه ای از سلول های حافظه ذخیره و صرفا" امکان دستیابی به آنها بصورت ترتیبی وجود خواهد داشت. ( نظیر نوار کاست ) در صورتیکه داده مورد نظر در محل جاری نباشد هر یک از سلول های حافظه به ترتیب بررسی شده تا داده مورد نظر پیدا گردد. حافظه های  SAM در مواردیکه پردازش داده ها الزاما" بصورت ترتیبی خواهد بود مفید می باشند ( نظیر حافظه موجود بر روی کارت های گرافیک ). اما داده های ذخیره شده در حافظه RAM با هر اولویت دلخواه قابل دستیابی خواهند بود.

مبانی حافظه های RAM

حافظه  RAM ، یک تراشه مدار مجتمع (IC)  بوده که از میلیون ها ترانزیستور و خازن تشکیل شده است .در اغلب حافظه ها  با استفاده و بکارگیری یک خازن و یک ترانزیستور می توان یک سلول  را ایجاد کرد. سلول فوق قادر به نگهداری یک بیت داده خواهد بود. خازن اطلاعات مربوط به بیت را که یک  یا صفر است ، در خود نگهداری خواهد کرد.عملکرد ترانزیستور مشابه یک سوییچ بوده که امکان کنترل مدارات موجود  بر روی تراشه حافظه را به منظور خواندن مقدار ذخیره شده در خازن  یا تغییر وضعیت مربوط به آن ، فراهم می نماید. خازن مشابه یک ظرف ( سطل)  بوده که قادر به نگهداری الکترون ها است . به منظور ذخیره سازی مقدار" یک"  در حافظه، ظرف فوق می بایست از الکترونها پر گردد. برای ذخیره سازی مقدار صفر، می بایست ظرف فوق خالی گردد.مسئله مهم در رابطه با خازن، نشت اطلاعات است ( وجود سوراخ در ظرف ) بدین ترتیب پس از گذشت چندین میلی ثانیه یک ظرف مملو از الکترون تخلیه می گردد. بنابراین به منظور اینکه حافظه بصورت پویا اطلاعات  خود را نگهداری نماید ، می بایست پردازنده  یا " کنترل کننده حافظه " قبل از تخلیه شدن خازن، مکلف به شارژ مجدد آن به منظور نگهداری مقدار "یک" باشند. بدین منظور کنترل کننده حافظه اطلاعات حافظه را خوانده و مجددا" اطلاعات را بازنویسی می نماید.عملیات فوق (Refresh)، هزاران مرتبه در یک ثانیه تکرار خواهد شد.علت نامگذاری DRAM بدین دلیل است که این نوع حافظه ها مجبور به بازخوانی اطلاعات بصورت پویا خواهند بود. فرآیند تکراری " بازخوانی / بازنویسی اطلاعات" در این نوع حافظه ها باعث می شود که زمان تلف و سرعت حافظه کند گردد.

سلول های حافظه  بر روی یک تراشه  سیلیکون و بصورت آرائه ای مشتمل از ستون ها ( خطوط بیت ) و سطرها ( خطوط کلمات) تشکیل می گردند. نقطه تلاقی یک سطر و ستون بیانگر آدرس سلول حافظه است .

حافظه های DRAM با ارسال یک شارژ به ستون مورد نظر باعث فعال شدن ترانزیستور در هر بیت ستون، خواهند شد.در زمان نوشتن خطوط سطر شامل وضعیتی خواهند شد که خازن می بایست به آن وضعیت تبدیل گردد. در زمان خواندن Sense-amplifier ، سطح شارژ موجود در خازن را اندازه گیری می نماید. در صورتیکه سطح فوق بیش از پنجاه درصد باشد مقدار "یک" خوانده شده و در غیراینصورت مقدار "صفر" خوانده خواهد شد. مدت زمان انجام عملیات فوق بسیار کوتاه بوده و بر حسب نانوثانیه ( یک میلیاردم ثانیه ) اندازه گیری می گردد.  تراشه حافظه ای که دارای سرعت 70 نانوثانیه است ، 70 نانو ثانیه طول خواهد کشید تا عملیات خواندن و بازنویسی هر سلول را انجام دهد.

سلول های حافظه در صورتیکه از روش هائی بمنظور اخذ اطلاعات موجود در  سلول ها استفاده ننمایند، به تنهائی فاقد ارزش خواهند بود. بنابراین لازم است  سلول های حافظه دارای یک زیرساخت

تحقیق درباره حافظه وتصمیم گیری درورزش 7 ص

اختصاصی از یارا فایل تحقیق درباره حافظه وتصمیم گیری درورزش 7 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 8

حافظه و تصمیم گیری در ورزش

نکات کلیدی

کارشناسان در مقابل تازه کاران_به نظر می رسد که ورزشکاران خبره زمان بیشتری در انتقال مهارتهای خاص خود نسبت به تازه کاران دارند. این امر نتیجه تفاوت در زمان واکنش فیزیکی نیست بلکه به احتمال زیاد نتیجه توانایی ورزشکار ماهر در تشخیص صحنه های خاص است،بنابراین آنها را قادر می سازد که تا احتمالا زودتر عمل کنند.

حافظه:

حافظه جریان رمز گذاری را شامل می شود،ذخیره سازی و بازیابی اطلاعات است و سه عنصر کلی را شامل می شود: ثبت حسی، حافظه کوتاه مدت و حافظه بلند مدت. این یک رابطه متقابل بین این سه عامل تشکیل دهند و جریان حافظه است که عملکرد حافظه را تحت تاثیر می گذارد.

پیش بینی و تصمیم گیری:

ورزشکاران نخبه زمان واکنش بهتری ندارند، بلکه این توانایی خودشان در پیش بینی وقایع است که به آنها اجازه واکنش سریع را می دهد. مطالعات فراوان ثابت کرده است که ورزشکاران خبره و ماهر برای تصمیم گیری نیاز به زمان کمتری دارند نسبت به تازه کاران و اینکه تفاوتهایی در استراتژی جستجوی بصری آنها وجود دارد.

دانستن چه در مقابل دانستن چگونه : در محدوده روانشناسی بین دو نوع اطلاعات تفاوتی وجود دارد: دانستن واقعیات در مورد اشیاء و رخدادهایی که ما می توانیم به طور شفاهی مقایسه کنیم برای دانستن اینکه چگونه یک کار خاص را انجام دهیم بدون داشتن اطلاعات دقیق در مورد اینکه این امر چگونه بدست می آید . آخرین نوع اطلاعات معمولا با کارشناس اجرای مهارتها مرتبط است ، بنابراین فرض می شود که کارشناسان به این دسته از اطلاعات متکی هستند وقتی مهارت خاص خود را انجام می دهند.

عناوین مرتبط :

آموزش موتور (133) ترجمه و تمرکز بر روی ورزش(B4)

کارشناس در مقابل تازه کار:

به طور کلی ،یک اجرا کننده ماهر توسط توصیفاتی از قبیل کسی که "مورد درست را انتخاب می کند" ، "همیشه در دنیاست " یا "بازی را خوب می خواند". همه این توصیفات دلالت بر این دارد که ورزشکاران زبردست در تصمیم گیری در محیط ورزشی خاص خود،خوب هستند . از زمانیکه هیچ مدرک قطعی وجود نداشت که ورزشکاران نخبه به گونه ای متفاوت اند در زمینه رمان عکس العمل کلی یا تواناییهای بصری ، توانایی در شتاب کردن ، دسترسی متداول و عملکرد اساسی احتمالا بسیار مرکزی است در درک اجرای یک کارشناس در ورزش ، بنابراین،چه چیزی در ورزشکاران نخبه باعث می شود که بهتر تصمیم بگیرند تا تازه کاران؟ مسلما جواب وجود ندارد برای این سؤال و به خیلی مسائل بستگی خواهد داشت، شامل تفاوتهایی در رمزگذاری ،ذخیره و بازیابی اطلاعات. از زمانیکه تفاوتها در تصمیم گیری به طور واضح این مراحل حافظه را در برگیرد، معرفی مختصری در مورد روانشناسی حافظه گواهی می کند.

حافظه:

در حیطه تئوری روانشناسی در مورد حافظه معمولا هر مورد ساختار حافظه و مراحل را شامل می شود. بطور سنتی به عنوان چیزی که بطور وسیع شامل سه بخش است ملاحظه می گردد: ثبت حسی که مقادیر زیادی از اطلاعات را برای زمان کوتاهی نگاه می دارد(برای مثال حافظه تصویری و حافظه انعکاسی ،که با حس بصری و سماعی مرتبط است )،ثبت کوتاه مدت (اغلب به عنوان حافظه کاری خطاب می شود ) که ظرفیت بسیار محدودی دارد، و ثبت بلند مدت یا دراز مدت که بر اساس برخی اسناد ظرفیت نامحدود دارد و می تواند اطلاعات را برای زمان بسیار طولانی نگاه دارد، احتمالا با تعاریف هر روزه حافظه مردم مرتبط است . این سه مورد در یک مدل سری با یکدیگر کار می کنند برای رمزگذاری ،ذخیره و بازیابی اطلاعات. اطلاعات آمده از طریق ذخایر احساسی جاییکه تنها اطلاعات مورد توجه اعزام شدند به حافظه کوتاه مدت جاییکه رابطه متقابلی با مکانیزم ذخیره ساری دراز مدت وجود دارد . این همین تقابل است که تعیین می کند چگونه به طرز تاثیرگذاری رمزگذاری ،ذخیره یا بازیابی رخ می دهد . حافظه کوتاه مدت ظرفیت محدودی تقریبا در حدود هفت مورد دارد ، اگر چه این به چگونگی سازمان دهی اقلام بستگی خواهد داشت . برای مثال اگر ما 12 عدد را بخوانیم و از شما بپرسیم که آنها را دوباره بگویید ما احتمالا حدود هفت تا از آنها را بخ یاد خواهید آورد (برای مثال 3،4،5،1،6،9،7) 2،8،5،3،1)، اگر چه اگر من آنها را به عنوان اعداد سه رقمی که هزارگان را ارائه می دهد (برای مثال 531،728،169،345) شما احتمالا همه انها را به یاد خواهید آورد . پیشنهاد شده که ذخیره کوتاه مدت از سه عنصر تشکیل شده است : مجری مرکزی ، مفصل یا وابسته به صوت شناسی و راه حل فاصله-بصری . دو عنصر آخری به عنوان سیستم برده داری برای مجری مرکزی به آن اجازه می دهد که با انواع مختلف اطلاعات مرتبط باشد . علم صوت شناسی مرتبط با هر دو بخش گفتاری و خواندن زبان است ، جاییکه طرح فاصله دیداری با اطلاعات فاصله ای مرتبط است . این امر به دلیل میزان مراحل حمل شده بین حافظه کوتاه مدت که اغلب به عنوان حافظه کارا خطاب می شود.از طریق این عناصر اطلاعات که به حافظه بلند مدت می رسد (LTM ( ، اگر چه چگونگی تاثیرگذاری رمزگذاری ، ذخیره سازی یا بازیابی به عمق پیشرفت دریافت اطلاعات بستگی خواهد داشت .

تحقیق درباره حافظه

اختصاصی از یارا فایل تحقیق درباره حافظه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 12

مقاله:

حافظه

فهرست:

مراحل حافظه

اندوزش

بازیابی

رمزگردانی

پروتیین مسوول یادگیری و حافظه فقط در مغز انسان وجود دارد

تقویت حافظه         

مسئله

راه حل

تقویت حافظه افراد سالمند با مصرف اسید فولیک 

مراحل حافظه:

۱- رمزگردانی: عبارت است از سپردن مطالب به حافظه

۲- اندوزش: عبارت است از نگهداری مطالب در حافظه

۳- بازیابی: عبارت است از فراخوانی مطالب از حافظه

رمزگردانی: برای رمزگردانی اطلاعات در حافظه کوتاه مدت باید توجه فرد بر آن چیز متمرکز گردد بسیاری از مشکلات حافظه ناشی از نارسایی توجه است. هنگامی که سعی می‌‌کنیم اطلاعات رااز راه مرور ذهنی و تکرار پیاپی آنها در ذهن فعال نگه داریم از رمز صوتی استفاده می‌‌کنیم. در مواردی که اطلاعات از ماده‌های کلامی مانند ارقام، حروف، با کلمات تشکیل یافته باشد از مرور ذهنی استفاده می‌‌کنیم و وقتی برای مواد کلامی از رمز دیداری استفاده می‌‌کنیم این رمز بسرعت محو می‌شود ورمز صوتی جای آن را می‌‌گیرد.

اندوزش (نگهداری در حافظه): مهم‌ترین خصوصیت حافظه کوتاه مدت گنجایش بسیار محدود آن است. برخی از افراد تنها ۵ ماده و برخی دیگر تا ۹ ماده را در حافظه نگه می‌‌دارند. مقدار متوسط نگهداری حافظه هفت ماده به اضافه و منهای دو ماده است. این رقم که تقریبا" همیشه بین پنج تا نه ماده است فراخوانی حافظه نامیده می‌شود. هر اطلاعاتی که زودتر به حافظه راه یافته‌اند بسرعت جای خود را به اطلاعات تازه تر می‌‌دهند.

بازیابی: عواملی که در افزایش و کاهش بازیابی داز مدت مؤثرند سازمان و بافت، بازیابی از حافظه دازمدت مستلزم نوعی فرایند پیگیری است و سازمان مرتبه‌ای این پیگرد را کارآمد تر می‌‌سازد. بازیابی رویداد به خصوص وقتی آسان تر است که بافت حاکم بربازیابی، همان بافتی باشد که در زمان وقوع آن رویداد وجود داشته باشد.

پروتیین مسوول یادگیری و حافظه فقط در مغز انسان وجود دارد

دانشمندان چینی با مقایسه ‪ DNA‬انسانی با چندین گونه از میمونها و شمپانزه اعلام کردند شکل خاصی از یک پروتئین موسوم به "نوروپسین" که در یادگیری و حافظه نقش دارد، تنها در سیستم عصبی مرکزی انسان وجود دارد.

مقاله درباره حافظه RAM

اختصاصی از یارا فایل مقاله درباره حافظه RAM دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود در "پایین مطلب"

 فرمت فایل: word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 تعداد صفحات:48

آنچه در این فصل می آموزید:

/ کنترل میزان مصرف حافظه در سیستم

/ اجرای برنامه های ارزیابی و سنجش حافظه

 /نمایش اطلاعات حافظة ویندوز به کمک برنامة Sandra

/ آماده شدن برای ارتقا حافظة سیستم

/ عیب یابی نصب حافظه در سیستم

/ حذف کاربرد حافظة بسط یافته و حافظة توسعه یافته در محیط ویندوز

/ کنترل مقدار فیزیکی مصرف RAM در محیط ویندوز

قبل از اینکه Cpu بتواند برنامه‌ها را اجرا کند، دستورات و اطلاعات آن برنامه باید داخل حافظة Ram کامپیوتر منتقل و مستقر شوند. در این فصل روش نگهداری اطلاعات در حافظة Ram را می آموزید و اینکه چرا اطلاعات داخل حافظة Ram فرار هستند ( یعنی با قطع برق یا خاموش شدن کامپیوتر همة اطلاعات موجود در این حافظه از بین می روند)، و اینکه چرا انواع حافظة Ram عرضه شده اند.

بر روی وب یا داخل مجلات و بروشورها و کتابهای کامپیوتر اغلب توصیه های مطالعه می کنید که مقدار لازم حافظة Ram برای سیستم شما را اعلام می کنند. اغلب اعلام می شود که حداقل 126 تا 512 مگابایت حافظة Ram برای عملکرد مناسب یک سیستم لازم است.

درک مفهوم لایه‌های ذخیره‌سازی

داخل کامپیوترهای شخصی از دیسک‌ها برای نگهداری دایمی و بلند مدت اطلاعات استفاده می‌کنیم. اطلاعات داخل دیسک سخت از طریق مغناطیس نمودن سطح دیسک انجام می‌گیرد. به دلیل روش مغناطیسی ذخیرة اطلاعات در دیسک سخت
(در مقابل روش الکترونیکی ) این وسیله قابلیت نگهداری دایمی و بلند مدت اطلاعات را دارد و با قطع برق یا خاموش شدن سیستم اطلاعات مستقردر دیسک از بین نرفته و ماندگار هستند چون دیسک سخت برای نگهداری اطلاعاات نیاز به جریان برق دایمی ندارد. اما حافظة Ram اطلاعات را بطور موقت نگهداری می کند  بدیهی است که با قطع برق یا خاموش شدن سیستم این اطلاعات از بین خواهند رفت.

فن‌آوریهای گوناگون برای ذخیره‌سازی اطلعات ابداع شده‌اند که اغلب آنها را بر اساس سرعت، هزینه و ظرفیت ذخیره سازی طبقه‌بندی می‌کنند. معمولاً دیسک‌ها وسایل مکانیکی هستند و به همین دلیل سرعت عملیات آنها نسبت به انواع حافظه‌های الکترونیکی بسیار کندتر است. در شکل زیر نمایی از اواع وسایل ذخیره‌سازی و در سمت راست کندترین وسیلة ذخیره‌سازی را نشان داده‌ایم.

جریان اطلاعات از حافظة RAM به پردازنده (‌CPU)

هرگاه Cpu برای اجرای عملیات به اطلاعات یا دستوری نیاز داشته باشد ابتدا آنها را داخل حافظه میانجی L1 جستجو می‌کند. اگر اطلاعات مورد نیاز را آنجا پیدا نکند به سراغ حافظه میانجی L2 خواهد رفت. اگر اطلاعات مورد نیاز را آنجا هم پیدا نکند پس Cpu باید نشانی آدرس آن اطلاعات را از طریق گذرگاه سیستم به حافظه Ram ارسال نماید. درخواست اطلاعات از Cpu باندا به تراشة کنترل کنندة حافظه می‌رسد.

کنترل کنندة حافظه از آدرس رسیده استفاده می‌کند و اطلاعات یا دستور مورد نیاز Cpu را پیدا می‌کند. پس از اینکه کنترل کنندة حافظه این اطلاعات را پیدا می کند آن را از طریق گذرگاه سیستم به Cpu ارسال می‌کند.

انجام مراحل فوق نیاز به زمان دارند. در سیستم های جدید به منظور افزایش کارایی سیستم از روشهایی استفاده می کنند تا تاخیر زمانی درخواست و دریافت اطلاعات را کاهش دهند.

حافظه RAM

اختصاصی از یارا فایل حافظه RAM دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 11

حافظه RAM

 حافظه (RAM(Random Access Memory شناخته ترین نوع حافظه در دنیای  کامپیوتر است . روش دستیابی به این نوع از حافظه ها  تصادفی است . چون می توان به هر سلول حافظه مستقیما" دستیابی پیدا کرد . در مقابل حافظه های RAM ، حافظه های(SAM(Serial Access Memory وجود دارند. حافظه های SAM  اطلاعات را در مجموعه ای از سلول های حافظه ذخیره و صرفا" امکان دستیابی به آنها بصورت ترتیبی وجود خواهد داشت. ( نظیر نوار کاست ) در صورتیکه داده مورد نظر در محل جاری نباشد هر یک از سلول های حافظه به ترتیب بررسی شده تا داده مورد نظر پیدا گردد. حافظه های  SAM در مواردیکه پردازش داده ها الزاما" بصورت ترتیبی خواهد بود مفید می باشند ( نظیر حافظه موجود بر روی کارت های گرافیک ). داده های ذخیره شده در حافظه RAM با هر اولویت دلخواه قابل دستیابی خواهند بود.

مبانی حافظه های RAM

حافظه  RAM ، یک تراشه مدار مجتمع (IC)  بوده که از میلیون ها ترانزیستور و خازن تشکیل شده است .در اغلب حافظه ها  با استفاده و بکارگیری یک خازن و یک ترانزیستور می توان یک سلول  را ایجاد کرد. سلول فوق قادر به نگهداری یک بیت داده خواهد بود. خازن اطلاعات مربوط به بیت را که یک و یا صفر است ، در خود نگهداری خواهد کرد.عملکرد ترانزیستور مشابه یک سوییچ بوده که امکان کنترل مدارات موجود  بر روی تراشه حافظه را بمنظور خواندن مقدار ذخیره شده در خازن و یا تغییر وضعیت مربوط به آن ، فراهم می نماید.خازن مشابه یک ظرف ( سطل)  بوده که قادر به نگهداری الکترون ها است . بمنظور ذخیره سازی مقدار" یک"  در حافظه، ظرف فوق می بایست از الکترونها پر گردد. برای ذخیره سازی مقدار صفر، می بایست ظرف فوق خالی گردد.مسئله مهم در رابطه با خازن، نشت اطلاعات است ( وجود سوراخ در ظرف ) بدین ترتیب پس از گذشت چندین میلی ثانیه یک ظرف مملو از الکترون تخلیه می گردد. بنابراین بمنظور اینکه حافظه بصورت پویا اطلاعات  خود را نگهداری نماید ، می بایست پردازنده و یا " کنترل کننده حافظه " قبل از تخلیه شدن خازن، مکلف به شارژ مجدد آن بمنظور نگهداری مقدار "یک" باشند.بدین منظور کنترل کننده حافظه اطلاعات حافظه را خوانده و مجددا" اطلاعات را بازنویسی می نماید.عملیات فوق (Refresh)، هزاران مرتبه در یک ثانیه تکرار خواهد شد.علت نامگذاری DRAM بدین دلیل است که این نوع حافظه ها مجبور به بازخوانی اطلاعات بصورت پویا خواهند بود. فرآیند تکراری " بازخوانی / بازنویسی اطلاعات" در این نوع حافظه ها باعث می شود که زمان تلف و سرعت حافظه کند گردد.

سلول های حافظه  بر روی یک تراشه  سیلیکون و بصورت آرائه ای مشتمل از ستون ها ( خطوط بیت ) و سطرها ( خطوط کلمات) تشکیل می گردند. نقطه تلاقی یک سطر و ستون بیانگر آدرس سلول حافظه است .

حافظه های DRAM با ارسال یک شارژ به ستون مورد نظر باعث فعال شدن ترانزیستور در هر بیت ستون، خواهند شد.در زمان نوشتن خطوط سطر شامل وضعیتی خواهند شد که خازن می بایست به آن وضغیت تبدیل گردد. در زمان خواندن Sense-amplifier ، سطح شارژ موجود در خازن را اندازه گیری می نماید. در صورتیکه سطح فوق بیش از پنجاه درصد باشد مقدار "یک" خوانده شده و در غیراینصورت مقدار "صفر" خوانده خواهد شد. مدت زمان انجام عملیات فوق بسیار کوتاه بوده و بر حسب نانوثانیه ( یک میلیاردم ثانیه ) اندازه گیری می گردد.  تراشه حافظه ای که دارای سرعت 70 نانوثانیه است ، 70 نانو ثانیه طول خواهد کشید تا عملیات خواندن و بازنویسی هر سلول را انجام دهد.

سلول های حافظه در صورتیکه از روش هائی بمنظور اخذ اطلاعات موجود در  سلول ها استفاده ننمایند، بتنهائی فاقد ارزش خواهند بود. بنابراین لازم است  سلول های حافظه دارای یک زیرساخت کامل حمایتی از مدارات خاص دیگر  باشند.مدارات فوق عملیات زیر را انجام خواهند داد :

مشخص نمودن هر سطر و ستون (انتخاب آدرس سطر و انتخاب آدرس ستون )

نگهداری وضعیت بازخوانی و باز نویسی داده ها ( شمارنده )

خواندن و برگرداندن سیگنال از یک سلول ( Sense amplifier)

اعلام خبر به یک سلول که می بایست شارژ گردد و یا ضرورتی به شارژ وجود ندارد ( Write enable)

سایر عملیات مربوط به "کنترل کننده حافظه" شامل مواردی نظیر : مشخص نمودن نوع سرعت ، میزان حافظه و بررسی خطاء است .

حافظه های SRAM دارای یک تکنولوژی کاملا" متفاوت می باشند. در این نوع از حافظه ها از فلیپ فلاپ برای ذخیره سازی هر بیت حافظه استفاده می گردد. یک فلیپ فلاپ برای یک سلول حافظه، از چهار تا شش ترانزیستور استفاده می کند . حافظه های SRAM نیازمند بازخوانی / بازنویسی اطلاعات نخواهند بود، بنابراین سرعت این نوع از حافظه ها بمراتب از حافظه های DRAM بیشتر است .با توجه به اینکه حافظه های SRAM از بخش های متعددی  تشکیل می گردد، فضای استفاده شده آنها بر روی یک تراشه بمراتب بیشتر از یک سلول حافظه از نوع DRAM خواهد بود. در چنین مواردی  میزان حافظه بر روی یک تراشه کاهش پیدا کرده و همین امر می تواند باعث افزایش قیمت این نوع از حافظه ها گردد. بنابراین حافظه های SRAM سریع و گران و حافظه های DRAM ارزان و کند می باشند . با توجه به موضوع فوق ، از حافظه های SRAM  بمنظور افزایش سرعت پردازنده ( استفاده از Cache) و  از حافظه های DRAM برای فضای حافظه RAM در کامپیوتر استفاده می گردد.

ما ژول های حافظه

تراشه های حافظه در کامییوترهای شخصی در آغاز از یک پیکربندی مبتنی بر Pin با نام (DIP(Dual line Package استفاده می کردند. این پیکربندی مبتنی بر پین،  می توانست لحیم کاری  درون حفره هائی برروی برداصلی کامپیوتر و یا اتصال به یک سوکت بوده  که خود  به  برد اصلی لحیم  شده است .همزمان با افزایش حافظه ، تعداد تراشه های  مورد نیاز، فضای زیادی از برد اصلی