دستورکار آزمایشگاه مدار الکتریکی

اختصاصی از یارا فایل دستورکار آزمایشگاه مدار الکتریکی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

با سلام:

قابل توجه همکاران و اساتید دانشگاههای مختلف جهت تهیه دستور کار آزمایشگاه مدارالکتریکی

این دستورکار حاصل 8 سال تدریس و کار در آزمایشگاه در دانشگاههای مختلف از جمله تدریس در آموزشکده فنی قوچان و دانشگاه علمی کاربردی مدیریت صنعتی می باشد.

این دستورکار شامل 3 فایل pdf  می باشد که دو pdf یک صفحه ای شامل فهرست و عنوان دستورکار آزمایشگاه می باشد و pdf سوم شامل دستورکار کامل می باشد که 54 صفحه می باشد.

فهرست آزمایشها به شرح زیر می باشد:

فهرست                                                   شماره صفحه

آزمایش اول : مقاومت واندازه گیری مقدار آن                   7

آزمایش دوم : مدار های سری و موازی                                8

آزمایش سوم : آشنایی با اسیلوسکوپ                                   12

آزمایش چهارم : فانکشن ژنراتور                                         18

آزمایش پنجم : بررسی قانون جمع آثار                               20

آزمایش ششم : بررسی قوانین KVL و KCL                      23

آزمایش هفتم : بررسی قضیه ولتاژگره (تحلیل گره ای)         25

آزمایش هشتم : مدار معادل تونن و نورتن                             28

آزمایش نهم : پاسخ RC انتگرالگیر به ورودی پله و مربعی متناوب   32  

آزمایش دهم : مدار RC مشتق گیریا بالا گذر                       37

آزمایش یازدهم : مدارات RC درفرکانسهای بالاوپایین وپاسخ آنها 41

آزمایش دوازدهم : مدار RL سری                                       43            

آزمایش سیزدهم : مدار RC سری - مدار LC سری             47

آزمایش چهاردهم : مدار RLC سری                               50

آزمایش پانزدهم : مدار RL موازی                                   52

اصول دیود PIN

اختصاصی از یارا فایل اصول دیود PIN دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

اصول دیود PIN

دیود PIN وسیله ی نیمه هادی است که به عنوان یک مقاومت متغیر در فرکانسهای RF و مایکروویوی عمل می کند. مقدار مقاومت دیود PIN به تنهائی توسط جریان dc بایاس مستقیم آن مشخص می شود.

دیود PIN وسیله ی نیمه هادی است که به عنوان یک مقاومت متغیر در فرکانسهای RF و مایکروویوی عمل می کند. مقدار مقاومت دیود PIN به تنهائی توسط جریان dc بایاس مستقیم آن مشخص می شود.

دیود PIN می بایست در کاربردهای سوئیچ و تضعیف کننده به طور ایده آلی سطح سیگنال RF را بدون اعوجاج کنترل کند زیرا ممکن است باعث تغییراتی در شکل سیگنال RF شود. مشخصه ی مهم و افزوده ی این دیودها توانائی آنها در کنترل سیگنالهای RF بزرگ در هنگامی است که از سطح تحریک dc بسیار کمی استفاده می کنند. 

مدلی از دیود PIN در شکل 1 نشان داده شده است. این چیپ با شروع از یک ویفر تهیه می شود که اغلب به طور ذاتی سیلیکون خالص است و عمر زیادی دارد. سپس ناحیه ی P روی یک سطح و ناحیه ی N روی سطح دیگر تزریق می شوند. ضخامت W ناحیه ی ایجاد شده یا ناحیه-I تابعی از ضخامت ویفر سیلیکونی پایه است و مساحت چیپ A وابسته به این است که به چه مقدار بخش های کوچکی از ویفر اصلی تعریف شده است. 

کارایی دیود PIN در ابتدا وابسته به ظاهر چیپ و طبیعت نیمه هادی دیود ساخته شده خصوصاً در ناحیه-I است. اگر ضخامت ناحیه-I کنترل شود، طول عمر بالای عبور حامل و مقاومت بالای آن را به همراه خواهد داشت. این مشخصات توانائی کنترل سیگنال RF را با کمترین اعوجاج بهبود می بخشند آن هم در مواقعی که نیازمند استفاده از منبع تغذیه ی dc سطح پائین هستیم.  

word: نوع فایل

سایز:77.3 KB 

تعداد صفحه:9

مقاله در مورد دیود

اختصاصی از یارا فایل مقاله در مورد دیود دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 تعداد صفحه15

فهرست مطالب

دیود ایده آل :

دریچه های منطقی دیود :

مقاومت استاتیک یا DC

مدار معادل دیودهای نیمه هادی

مشخصه یک دیود ایده آل همان مشخصه یک سوئیچ است که فقط می تواند در یک جهت هدایت کند . نماد مداری دیود به صورت روبرو می باشد .

منحنی زیر رابطه ولتاژ و جریان  دیود ایده آل را نمایش می دهد :

 

همانگونه که درنماد مداری دیود ملاحظه می فرمایید پایانه ی مثبت دیود را آند و پایانه ی منفی آن را کاتد می نامیم .

در مدار شکل زیر دیود هدایت خواهد کرد و جریان عبوری از آن 10ma خواهد بود .

زیرا دیود مدار بسته است .

در مدار شکل زیر دیود هدایت نخواهد کرد و ولتاژ v 10 بعنوان بایاس معکوس در دومی دیود حاضر شد .

دیود قطع است پس :

کاربردهای دیود :

• مدار یکسوساز:

یکی از کاربردهای اساسی دیود ، مدار یکسوساز است که در شکل زیر رسم شده است

تحقیق در مورد دیودها

اختصاصی از یارا فایل تحقیق در مورد دیودها دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه: 10
فهرست مطالب:

مقدمه

ولتاژ معکوس

دسته بندی دیودها

اختراع دیود پلاستیکی (plastic diode)

دیودهای سیگنال  

دیودهای زنر          

دیود diode -یکسو کننده ها-ترانسفور ماتور- ترموستات ها

دیود پیوندی

دید کلی

دیودهای نور گسل

فوتودیودها

وراکتور

کاربردها

دیودهای زنر

دیودهای شاتکی

مقدمه

دیودها جریان الکتریکی را در یک جهت از خود عبور می‌‌دهند و در جهت دیگر در مقابل عبور جریان از خود مقاومت بالایی نشان می‌‌دهند. این خاصیت آنها باعث شده بود تا در سالهای اولیه ساخت این وسیله الکترونیکی ، به آن دریچه یا Valve هم اطلاق شود. از لحاظ الکتریکی یک دیود هنگامی عبور جریان را از خود ممکن می‌‌سازد که شما با برقرار کردن ولتاژ در جهت درست (+ به آند و - به کاتد) آنرا آماده کار کنید. مقدار ولتاژی که باعث می‌شود تا دیود شروع به هدایت جریان الکتریکی نماید ولتاژ آستانه یا (forward voltage drop) نامیده می‌شود که چیزی حدود 0.6 تا 0.6 ولت می‌‌باشد.

ولتاژ معکوس

هنگامی که شما ولتاژ معکوس به دیود متصل می‌‌کنید (+ به کاتد و - به آند) جریانی از دیود عبور نمی‌کند، مگر جریان بسیار کمی که به جریان نشتی یا Leakage معرف است که در حدود چند µA یا حتی کمتر می‌‌باشد. این مقدار جریان معمولآ در اغلب مدارهای الکترونیکی قابل صرفنظر کردن بوده و تأثیر در رفتار سایر المانهای مدار نمی‌گذارد. اما نکته مهم آنکه تمام دیودها یک آستانه برای حداکثر ولتاژ معکوس دارند که اگر ولتاژ معکوس بیش از آن شود دیود می‌‌سوزد و جریان را در جهت معکوس هم عبور می‌‌دهد. به این ولتاژ آستانه شکست یا Breakdown گفته می‌شود.

دسته بندی دیودها

در دسته بندی اصلی ، دیودها را به سه قسمت اصلی تقسیم می‌‌کنند، دیودهای سیگنال (Signal) که برای آشکار سازی در رادیو بکار می‌‌روند و جریانی در حد میلی آمپر از خود عبور می‌‌دهند، دیودهای یکسو کننده (Rectifiers) که برای یکسو سازی جریانهای متناوب بکار برده می‌‌شوند و توانایی عبور جریانهای زیاد را دارند و بالاخره دیودهای زنر (Zener) که برای تثبیت ولتاژ از آنها استفاده می‌شود

ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

اختصاصی از یارا فایل ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

فرمت فایل : WORD ( قابل ویرایش ) تعداد صفحات:36 

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها

نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الکترون می‌باشد.

ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد.

ژرمانیم دارای عدد اتمی‌32 می‌باشد .

این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیکلر[1] کشف شد.

این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساک[2] و تنارد[3] کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر ، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید .

اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراکی برقرار می‌شود.

بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می‌گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.

د ر مقابل حرکت الکترون ها ، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می‌آید.

بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می‌آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می‌باشند.

  1.     نیمه هادی نوع N وP

از آنجایی که تعداد الکترونها و حفره های موجود  در کریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط کم است و جریان انتقالی کم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌کنند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی ، یک عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیک یا آنتیوان تزریق[4] شود، چهار الکترون مدار آخر آرسنیک با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشکیل پیوند اشتراکی داده و الکترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقی می‌ماند.

بنابرین هر اتم  آرسنیک، یک الکترون اضافی تولید می‌کند، بدون اینکه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی که ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N[5] نام دارد.

در نیمه هادی نوع N ، چون تعداد الکترون ها خیلی بیشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدایت جریان را انجام می‌دهند . به حامل هدایت فوق حامل اکثریت و به حفره ها حامل اقلیت می‌گویند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم ، یک ماده 3 ظرفیتی مانند آلومنیوم یا گالیم تزریق شود، سه الکترون مدار آخر آلومنیوم با سه الکترون سه اتم سیلیسیم یا ژرمانیم مجاور ، تشکیل پیوند اشتراکی می‌دهند . پیوند چهارم دارای کمبود الکترون و در واقع یک حفره تشکیل یافته است .

هر اتم سه ظرفیتی، باعث ایجاد یک حفره می‌شود، بدون اینکه الکترون آزاد ایجاد شده باشد. در این نیمه هادی ناخالص شده، الکترون ها فقط در اثر شکسته شدن پیوندها بو جود می‌آیند.

نیمه هادی هایی که ناخالصی آنها از اتم های سه ظرفیتی باشد، نوع P [6] می‌نامند .

[1] winkler

[2] Gilosake

[3] Tanard

[4] Dopping

[5] Negative

[6] Positive