تحقیق درباره ی مدارهای الکتریکی

اختصاصی از یارا فایل تحقیق درباره ی مدارهای الکتریکی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 25

مدارهای الکتریکی 1

  تبدیل منابع - توان - انرژی - ستاره ومثلث

منابع ولتاژ و منابع حریان ایده آل را می توان در شاخه های شبکه تبدیل کرد . منابع ولتاژ مشترک بین دو حلقه را می توان جابجا نمود و منابع جریان بین دو گره را نیز می توان جابجا نمود. بدون آنکه روابط حاکم بر مدار تغییر کند. مثالی از تبدیل منابع جریان

مثالی از تبدیل منابع ولتاژ

  توان

توان لحظه ای تحویل داده شده به یک المان برابراست با

P(t)= V(t) . I(t)

طبق جهتهای قرار دادی ، اگر (p(t مثبت باشد المان مربوط توان را جذب می کند و آن المان را پسیو می گویند. اگر (p(t منفی باشد المان مربوط توان را تحویل می دهد و آن المان را اکتیو یا فعال می گویند.  

  توان تلف شده در یک مقاومت چیست؟

P = V . I = RI2 =( V2 ⁄ R )  

  انرژی داده شده به یک المان بر حسب توان آن چگونه بیان می شود؟

--> انرژی داده شده در زمان T  

  انرژی ذخیره شده در یک سلف چگونه بیان می شود؟

  انرژی ذخیره شده در یک خازن چگونه بیان می شود؟

  تبدیلهای ستاره - مثلث

  تبدیل ستاره به مثلث

  تبدیل مثلث به ستاره

  تمام مقاومتهای شبکه بی نهایت زیر R هستند . مقاومت بین گره های A , B را بیابید

با کمی دقت دیده می شود که مقاومت بین گره های C , B و بین گره های B , D با مقاومت بین A , B برابر است . لذا شبکه بی نهایت را می توان با شکل زیر معادل دانست.

Req = R + ( Req ⁄ 2 ) = 2R

مقاله درباره تحلیل مدارهای دیودی

اختصاصی از یارا فایل مقاله درباره تحلیل مدارهای دیودی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود در "پایین مطلب"

 فرمت فایل: word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 تعداد صفحات:53

معرفی دیودها: دیود به عنوان ساده ترین اختراع غیرخطی می باشد که این متن در مورد آن شرح داده است. این عنصر دارای تنوع بسیار بوده و اکثر به یک صورت مورد استفاده قرار میگیرد یا به بیانی دیگر د رتمامی شاخه های صنعت الکترونیک کاربرد دارد.

از انواع آن میتوان به دیود خلا دیود گاز، دیودهای یک سو ساز فلزی، دیودهای نیمه هادی و دیودهای تونل و ... اشاره کرد. به دیود نیمه هادی ارجعیت بیشتری می دهیم چرا که تئوری مربوط به ساخت این نوع خاص از انواع دیود مرتبط وصادق برای انواع دیگر است.

2-مشخصات مداری دیود در این بخش اموزش داده خواهد شد.

در ضمن تکنیکهای تصویری مورد تاکیدی باشند چرا که تصویر قابل رویتی از عملکرد مدار را نمایش می دهند و اطلاعاتی را عرضه می کنند که نمی توان صرفا از رفتار چیزی معمار آنها را بدست آورد.

این تکنیکهای تصویری شامل رفتار خط بار ac,dc می باشند که فراهم آورنده ی سیگنال کوچک و سیگنال بزرگ است. اگر چه این روشها معمولا در تحلیل مدارات دیودی استفاده نمی شوند اما آنها را برای قوی ومحکم ساختن مجموعه آثار ومنابع دانشجویان در این بخش معرفی کرده ایم.

وقتی ترازیستورها پیچیده می باشند مشکلات دیگر مواجه شده بسیار راحتتر خواهند بود وقتی که آنها را با دیود شبیه سازی کنیم.

1-2-خاصیت غیرخطی-دیوید ایده آل

داتشجویان معمولا تحصیل خود را با در نظر گرفتن نمونه های خطی مدار آغاز می کنند که ساده ترین آنها مقاومت می باشد. رابطه ی ولت-آمپر یعنی همان مشخصه ی vi یک مقاومت با مافوق ساده هم توضیح داده شده است که ما گاهی اوقات تفسیر نموداری آن را بررسی نمی کنیم. مشخصه ی خطی ترازیستور در شکل 1-1-2 مشخص است و مشخصه ی غیرخطی دیوید هم در اینجا به وضوح وجود دارد. وقتی ولتاژ منبع مثبت باشد جریان id هم مثبت خواهد بود.

ودیود اتصال کوتاه است  و زمانی که vi منفی باشد وجریان دیوید id صفر خواهد بود و دیود اتصال باز خواهد بود  می توان دیوید را به عنوان یک کلید تصور کرد که با جهت ولتاژ قابل کنترل خواهد بود. این کلید به ازای ولتاژهای مثبت بسته خواهد بود و به ازای ولتاژهای منفی کلید باز است.

3-راه دیگر برای بررسی این المان توجه به جهت هدایت جریان آن است که فقط از قطب P به قطب n است(شکل 2-1-2-) و این هدایت زمانی وقوع پیدا می  کند که ولتاژ منبع مثبت باشد وزمانی که ولتاژ منبع منفی باشد دیوید هدایتی نخواهد داشت.

تحقیق و بررسی در مورد روش های کاهش نویز در مدارهای الکترونیکی

اختصاصی از یارا فایل تحقیق و بررسی در مورد روش های کاهش نویز در مدارهای الکترونیکی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 23

روش های کاهش نویز در مدارهای الکترونیکی

مقدمه

به جرئت می توان گفت که طراحی منطق یک مدار الکترونیکی تنها قسمت کوچکی از کل کاری است که برای تولید صنعتی آن مدار صورت می گیرد .

نکاتی از قبیل در نظر گرقتن اثر قطعات بکار رفته در مدار ، طراحی محافظ 1 برای قسمت مختلف مدار ، بکار بردن روش هایی برای کم کردن اثر نویز در مدارها ، طراحی مدار چاپی با رعایت استاندارد لازم (برای کاهش تداخل الکترو مغناطیسی) انتخاب نوع آی سی های به کار رفته در مدار ، طراحی فیلتر برای قسمت های مختلف مدار ، وجز آن ، همه و همه از مسائلی هستند که در کارامد بودن مدار اثر سرنوشت سازی دارند . شاید به همین علت است که کمتر کسی پس از طراحی مدار روی کاغذ ، جرئت می کند اقدام به ساختن آن کند .

این مقاله به یکی از این مسائل یعنی کاهش اثر نویز در مدارهای الکترونیکی پرداخته است ، آن هم از دیدگاهی خاص یعنی عرضه روش های عملی برای این مقصود . برای بررسی دقیق تر ، گذراندن درس سازگاری الکترو مغناطیسی (EMC) توصیه می شود .

سیستم های الکترنیکی باید طوری طراحی و ساخته شوند که دو شرط زیر را داشته باشند .

1- خود منبع نویز نباشند . ( قسمت های دیجیتالی مدار ، فرستنده های رادیویی ، و کامپیوترها ، نمونه هایی از منابع نویز اند )

2- به نویز خارجی حساس نباشند .

به عبارت دیگر سیستم های الکترونیکی باید بتوانند در شرایط صنعتی به خوبی کار کنند و نویز سیتم های الکتریکی و الکترونیکی دیگر ( مانند لامپ های فلورسنت و نئون ، خطوط قدرت ، فرستنده ها ، وسایل الکترونیک دیجیتال و جز آن) روی آنها اثری نداشته باشد . از طرفی خود این سیستم ها باید طوری طراحی شوند که قسمتی از آنها روی قسمت های دیگر تداخل ایجاد نکند .

سازگاری الکترو مغناطیسی (EMC)

یک سیستم الکتریکی وقتی دارای سازگاری الکترو مغناطیسی است که بتواند در محیط الکترو مغناطیسی مورد نظر به خوبی کار کند و خود منبع نویز نباشد .

با توجه به اهمیت EMC ، استاندردهای متفاوتی را مراجع ذیصلاح برای دستگاه های الکترونیکی وضع کرده اند . برای مثال FCC 2 استانداردهایی را برای حداکثر تشعشع الکترو مغناطیسی وسایل الکترونیکی دارد و لازم است این استانداردها به دقت رعایت شوند و گرنه دستگاه های ساخته شده اجازه ندارند به بازار عرضه شوند . عوامل لازم برای تاثیر نویز عبارتند از : منبع نویز ، کانال کوپلاژ ، و گیرنده نویز .

نویز به روش های زیر به سیستم های الکترونیکی نفوذ می کند .

● کوپلاژ توسط میدان های الکتریکی و مغناطیسی ( و الکترو مغناطیسی ) مانند تشعشع الکترو مغناطیسی .

● کوپلاژ هدایتی مانند انتقال نویز از طریق خط تغذیه مشترک .

روش های مختلفی برای کاهش اثر نویز در مدارهای الکتریکی وجود دارد . در این مقاله تعدادی از این روش ها را به اجمال بررسی می کنیم و تحقیق بیشتر و دقیق تر را به خواننده وامی گذاریم .

1 زمین کردن صحیح

همانطور که می دانید کابل های استاندارد تغذیه سه سیم دارند : فاز ، نول ، و سیم زمین . سیم زمین معمولاً به (( چاه زمین )) ساختمان متصل می شود و در پتانسیل زمین قرار دارد . معمولاً بدنه دستگاه های الکتریکی به سیم متصل می شوند تا از حوادثی مانند برق گرفتگی جلوگیری شود .

برخی از نکات مهمی که در طراحی زمین سیستم های الکترونیکی وجود دارد در ادامه بیان می شود .

11 کاهش امپدانی مشترک

هنگام طراحی مدار ، می توان به دو صورت قسمت های مختلف را به زمین متصل کرد .

در نگاه اول ممکن است تفاوتی بین این دو روش مشاهده نشود اما از آنجایی که هادی های به کار رفته برای اتصال زمین ، هادی کامل نیستند ، امپدانسی بین هر قسمت مدار و زمین وجود دارد . می توان دید که در اتصال سری زمین ، یک امپدانس مشترک بین گروه های زمین مدار وجود دارد . بنابراین تغیرات سریع جریان تغذیه در مدارهای 1 و 2 باعث تغییر پتانسیل زمین مدار 3 می شود و بدین ترتیب می توانند در مدار 3 ایجاد تداخل کنند .

اما اگر قسمت های مختلف مدار را به صورت موازی زمین کنیم ، این مشکل برطرف می شود .

روش دیگر برای کاهش امپدانس مشترک استفاده از (( صفحه زمین )) است .

تحقیق در مورد مدارهای الکتریکی 25 ص

اختصاصی از یارا فایل تحقیق در مورد مدارهای الکتریکی 25 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 25

مدارهای الکتریکی 1

  تبدیل منابع - توان - انرژی - ستاره ومثلث

منابع ولتاژ و منابع حریان ایده آل را می توان در شاخه های شبکه تبدیل کرد . منابع ولتاژ مشترک بین دو حلقه را می توان جابجا نمود و منابع جریان بین دو گره را نیز می توان جابجا نمود. بدون آنکه روابط حاکم بر مدار تغییر کند. مثالی از تبدیل منابع جریان

مثالی از تبدیل منابع ولتاژ

  توان

توان لحظه ای تحویل داده شده به یک المان برابراست با

P(t)= V(t) . I(t)

طبق جهتهای قرار دادی ، اگر (p(t مثبت باشد المان مربوط توان را جذب می کند و آن المان را پسیو می گویند. اگر (p(t منفی باشد المان مربوط توان را تحویل می دهد و آن المان را اکتیو یا فعال می گویند.  

  توان تلف شده در یک مقاومت چیست؟

P = V . I = RI2 =( V2 ⁄ R )  

  انرژی داده شده به یک المان بر حسب توان آن چگونه بیان می شود؟

--> انرژی داده شده در زمان T  

  انرژی ذخیره شده در یک سلف چگونه بیان می شود؟

  انرژی ذخیره شده در یک خازن چگونه بیان می شود؟

  تبدیلهای ستاره - مثلث

  تبدیل ستاره به مثلث

  تبدیل مثلث به ستاره

  تمام مقاومتهای شبکه بی نهایت زیر R هستند . مقاومت بین گره های A , B را بیابید

با کمی دقت دیده می شود که مقاومت بین گره های C , B و بین گره های B , D با مقاومت بین A , B برابر است . لذا شبکه بی نهایت را می توان با شکل زیر معادل دانست.

Req = R + ( Req ⁄ 2 ) = 2R

تحقیق در مورد مدارهای الکتریکی2

اختصاصی از یارا فایل تحقیق در مورد مدارهای الکتریکی2 دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 15

61- چون بی نهایت است هسته خطی است . از رابطه خواهیم داشت نیروی حاصله از عبور جریانIo برابر است با

و نیروی حاصله از عبور جریان sin wt Io برابر است با

لذا و گزینه (1) درست است.

62- نیرو همواره در جهت افزایش L یا نسبت و یا کاهش رلوکتانس عمل می کند و با توجه به شکل با افزایش x نسبت افزایش می یابد لذا نیرو غیر صفر است و جهت آن در جهت افزایش x است و گزینه (2) درست است.

63- از شکل مشخص است در قسمت متحرک، شارهای تولیدی هم جهت هستند لذا نیرو تولید می شود و مطابق اصل بالا نیرو قسمت متحرک را به سمت چپ حرکت می دهد تا رلوکتانس مینیمم گردد و گزینه (4) درست است.

64- از روابط ماشینهای dc داریم

EaIa=wt

در این مسئله Vt داده شده است و Ra داده نشده است لذا Ea را نمی توان بدست آورد . با استفاده از نسبت جریانهای آرمیچر می توان نسبت گشتاورهای تولیدی را بدست آورد ( ) لذا گزینه (2) درست است.

65- در ابتدای راه اندازی است لذا، همچنین و مطابق مفروضات مسئله است بنابراین

لذا گزینه (2) درست است.

66- در بی باری Ea=10 lIf است از نمودار نیز 0

لذا گزینه (3) درست است.

67- با دو برابر شدن سرعت مطابق رابطه جدول زیر را خواهیم داشت.

800

600

400

200

100

40

Ea

9

6

4

6/1

1

0

If

68- سرعت سنکرون است پس از تغییر توالی دو فاز لغزش است و از رابطه داده شده گشتاور حاصل می شود.

لذا جواب (2) درست است.

69-

70- نمودار گشتاور – سرعت موتور القائی با مقاومت خارجی روتور بصورت

روبرو است

و همانطور که در شکل مشخص است در گشتاور بار ثابت با افزایش مقاومت خارجی روتور سرعت روتور کاهش می یابد یا لغزش افزایش می یابد و چون سرعت میدان دوار ناشی از جریان روتور برابر سرعت سنکرون است سرعت روتور نسبت به این میدان کاهش می یابد یا سرعت این میدان نسبت به سرعت روتور افزایش می یابد لذا گزینه (1) درست است.

71- در سرعتهای نزدیک به سرعت سنکرون، لغزش مقدار کمی است بنابراین مقدار بزرگی است و رابطه گشتاور – لغزش در لغزشهای کوچک یک رابطه خطی است.

بنابراین گزینه های (1) و (3) اشتباه هستند و با توجه به گزینه (4) درست است .

72- از شکل روبرو مشخص است

مسیر شارژ تنها در دو ستون کناری برابر هستند لذا در این دو ستون شار تولیدی یکسان است و جریان بی باری در این دو فاز دقیقاً مشابه هستند و همچنین در این ترانسفورماتور هارمونیک سوم نداریم بنابراین امکان تبدیل به اتصال V-V وجود ندارد و همچنین در صورت اتصال ولتمتر در محل اتصال دو فاز، ولتمتر صفر ولت نشان می دهد لذا گرینه (3) نادرست است.