فرمت فایل : WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات:57
پایان نامه کارشناسی
مهندسی برق – الکترونیک
فهرست مطالب:
عنوان صفحه
چکیده...............................................................................................................................1
مقدمه 2
ترانزیستور ماسفت قدرت سوئیچینگ 4
فیلتر ورودی (EMI) 10
توضیحات مربوط به طراحی فیلتر EMI 11
یکسوسازی ورودی 12
مشکلات واحد یکسوساز ورودی و روشهای رفع آن 12
استفاده از مقاومت و رله 13
بحث Inrush Current (جریان یورشی) 14
«چگونگی طرز کار مدار» دلیل استفاده از هستهی فریتی به جای هستهی آهنی 19
«مقدمهای بر سوئیچینگ» 23
دلیل استفاده از (gate drive) 23
راهانداز گیت 24
استفاد از ترانس و دلیل استفاده از آن 26
استفاده از ترانسفورماتور قدرت به عنوان سوئیچینگ 29
بحث گیت درایو (استفاده از آی میهای مربوطه) 29
چگونگی عملکرد آیسیهای TLP 250 و MAU 327 به عنوان گیت درایو 30
بررسی مدار گیت درایو و اجزای آن 36
دلیل قرار دادن مقاومت و 37
دلیل قرار دادن مقاومت و 38
آی سی LMC 7660 39
واحد کنترل PWM 41
نحوه کنترل PWM 41
چگونگی عملکرد آی سی UC 38A2 مدار مجتمع کنترل PWM 45
دلیل قرار دادن آمپ امپ (OP 07) بعد از آی سی جریان (LTS 25- NP) 50
دلیل اعمال ولتاژ (5-) ولت به آمپ امپ مورد نظر 52
پتانسیومتر (ولوم) 54
چکیده
ساخت دستگاه جوش اینورتری (dc-dc) که قابلیت جریان دهی از 50 تا 150 آمپری را دارد و یکی از مزیت های آن استفاده از هسته فریتی به جای هسته آهنی می باشد که قابلیت کارکرد در فرکانس های بالا دارامی باشد.
مقدمه:
ایندوتر جوشکاری جایگزین ترانسفورماتور جوشکاری محصول است. نیمه رساناهای مدرن اجازه میدهند ترانسفورماتور شبکهی سنتی با منبع سوئیچی جایگزین شود که بسیار سبکتر و کوچکتر بوده و امکان کنترل راحت و آسان جریان از طریق پتانسیومتر را دارد. مزیت آن:
جریان خروجی DC است. جریان سیستم (DC) خطر کمتری نسبت به AC دارد و از خاموشی جرقه جلوگیری میکند. برای این اینورتر، توپولوژیای انتخاب کردم که در میان اینورترها متداولترین نوع است. اینورتر مستقیم با دو سوئیچ
ولتاژ خط ورودی از فیلتر EMI عبور کرده و در ظرفیت زیاد یکنواخت میشود.
از آنجائیکه پالس سوئیچ – روشن دشوار و تحمل ناپذیر است یک مدار راه انداز نرم وجود دارد. پس از روشن بودن خازنهای فیلتر اولیه که از طریق مقاومتها شارژ میشوند، متعاقباً رله ی سوئیچ ON حذف میشوند. همانند، سوئیچها ترانزیستورهای IGBT استفاده میشود. این ترانزیستورها از طریق آی سیهایMAU.327 که آی سی تغذیه ی گیت درایومان میباشد، آی سی گیت درایومان TLP250 است کنترل میشود. مدار کنترل UC3842 میباشد.
فرکانس کارمان است. مدار کنترل توسط یک منبع 24 ولت تقویت میشود (شارژ موبایل). برگشت جریان به دلیل جریانهای زیاد، با استفاده از ترانسفورماتور T301 است. جریان خروجی را میتوان با پتانسیومتر P1 کنترل کرد که آستانه برگشت را مشخص میکند، ولتاژ آستانه سومین پین UC38A2 (جریان سنسور) 1 ولت است.
دستگاههای برقی را باید خشک کرد. بیشتر گرما در دیودهای خروجی پراکنده میشود.
قابل ذکر است که ماکزیمم جریان دیود پائینی دو برابر جریان دیود بالائی است. محاسبهی اتلاف IGBT پیچیدهتر است چون علاوه بر اتلاف رسانایی، اتلاف شیچینگر هم وجود دارد. افت ترانزیستور تا 50 ولت است. افزودن یک فن خوب است. ترانسفورماتور سوئیچینگ T3.3 روی هسته ی فریتی EE پیچیده میشود و سیم پیچی اولیه 20 دور با استفاده از سیم با ضخامت انجام میشود و بهتر است که از 20 سیم استفاده شود. سیم پیچی ثانویه 6 دور با ضخامت انجام میشود.
سیم پیچی ترانسفورماتور T301 به این صورت است که روی هسته ی حلقه ای شکل (تروئید) ساخته شده است. سیم پیچی اصلی با 75 دور سیم به عنوان سیم پیچ ثانویه کار میکند. سیم پیچ اولیه 1 دور سیم دارد. به جهت تمام سیم پیچهای ترانسفورماتور باید توجه کرد. L301 نیز روی هستهی حلقه ای شکل (تروئید) ساخته شده است که توسط 12 دور و به ضخامت 3 میلی متر پیچانده شده است. همان طور که میدانیم برگشت ولتاژ روی جوشکاری اثر نمی گذارد ولی روند مصرف و اتلاف گرما در حالت استراحت اثر دارد.
ترانزیستور ماسفت قدرت سوئیچینگ:
شکل مقابل را در نظر بگیرید. با توجه به این شکل متناسب با مقدار ازدرین جریانی عبور میکند. در شرایط پایدار، جریان عبوری از گیت یعنی ، به دلیل مقاومت ورودی بالای این نوع از ترانزیستورها بسیار کوچک و تقریباً برابر با صفر میباشد. ولی این مقدار فقط در شرایط استاتیکی (بعد از لحظات اولیه) برقرار است. از آن جا که در مدارهای سوئیچینگ فرکانس قطع و وصل نسبتاً زیاد است، تغییرات در شرایط کار دینامیکی ماسفت قابل توجه است و لازم است در این حالت جریان نسبتاً زیادی برای گیت تأمین شود در غیر این صورت توان تلفاتی ترانزیستور افزایش شدیدی خواهد یافت. به دلیل همپوشی اکسید ـ فلز گیت با سورس و درین، دو خازن و تشکیل میشود (به شکل ... توجه شود). چون خازن کانال را هم شامل میشود از بزرگتر است. در ترانزیستورهای قدرت، بنا به نوع ترانزیستور انتخابی، دو تا سه برابر میباشد.