مقاله درباره تکنولوژی چدن

اختصاصی از یارا فایل مقاله درباره تکنولوژی چدن دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 17

گروه 1 شامل دو دسته است: 1- آلیاژ تصفیه شده Rehend 2- 1200، A 1050

آلیاژ تصفیه شده (H99, 1198) که درجه خلوص آنها 90/99 و 99.999% می‌باشد.

بسته به خلوصشان در ساخت خازن (چگالنده) الکتریکی (باصطلاح فلز اچ شده)، وسایل روستایی‌ها، و برای کاربرهای دکوری در ساختن بسته‌های لوکس (عطریات و آرایشی) فلز معمولاً آبکاری می‌شود.

آلیاژ 1050A دارای خلوص بالاتر از 5/99% می‌باشد و یکی از گروهای پرمصرف می‌باشد.

دارای تلفیق سازش خوبی یعنی مقاومت مکانیکی Rm، ظرفیت بر روی تغییر شکل پلاستیک و خاص دکوری می‌باشد دارای رنج کاربری وسیعی از قبیل: بسته‌بندی، ساختن، ورق‌کاری، لوله برای مبادلهای حرارتی هدایت کننده‌های الکتریکی و غیره می‌باشد.

آلیاژ 1200 دارای خلوص بین وو و 5/99% می‌باشد و در جائیکه شکل‌پذیری پلاستیکی کافی مدنظر باشد جایگزینی 1050A می‌شود بسته‌بندی، ظروف آشپزخانه.

گروه 3

آلیاژ صنعتی گروه 3 (شکل 1-4) شامل 10105 منگنز می‌باشد این آلیاژی بطور بارز خواص مکانیکی AL را افزایش می‌دهد و حداقل استحاکم کششی به میزان 40-50Mpa بطور تضمینی می‌افزاید در حالیکه شکل‌پذیری به حالت خوب خود باقی می‌ماند آلیاژ 3003 بارزترین آلیاژ این گروه باشد افزودن تا cu20/0% افزایش بیشتری در مقاومت مکانیکی را فراهم می‌نماید. و افزایش تا cu 7/0% امکان دست‌یابی به ساختار ریز دانه را فراهم می‌نماید.

همانند تمامی آلیاژ‌ها این گروه دارای بیشترین ظرفیت تغییر شکل پلاستیکی در وضعیت می‌باشد کاربرد اصلی 3003 در ساختمان (آبکاری تابلو- ورق روکش سقف)، ساخت، ورق‌کاری (طبی‌سازی) لوله‌های مبدل حرارتی وسایل آشپزخانه و غیره می‌باشد.

3103 متفاوت از 3003 می‌باشد که در آن مس بدون اضافه نمی‌شود.

304 تقریباً 1% منیزیم بدان اضافه شده، در حالیکه تمام خواص 3003 را دارد اندکی خواص مکانیکی بهتری ارائه می‌نماید. بطور عمده برای ساخت ظروف غذایی، ظروف آشپزخانه و....

آلیاژ 3005 و 3105 دو آلیاژی می‌باشد که خواص مکانیکی آنها تأمین گردید که 4 و 3003 افت پیدا می‌کند که در زمینه ساختمان ساخت (تولید)، ورقکاری- روکش حرارتی و...

گروه 5

خواص مکانیکی این آلیاژها با افزایش منیزیم افزایش می‌یابد (شکل 2-4)

آلیاژهای کار شده به ندرت شامل 5% منیزیم می‌باشند زیرا با بهترین از این سطح پایداری آلیاژ کاهش پیدا می‌کنند خصوصاً اگر تحت تاثیر حرارت باشد.

نگهداشتن دراز مدت در دمای بالا منجر به رسوب ترکیبات بین فلزی در مرز دانه‌ها می‌شود که تأثیرات احتمالی آن در بخش 4/6 B بیان شده است.

اگر بسته به کاربرد نیاز به عملیات حرارتی باشد. عملیات حرارتی پایدارسازی می‌تواند بر روی آلیاژی که حاوی mg3% یا بیشتر باشد انجام پذیرد (H321, H116).

اغلب آلیاژهای گروهای 5 شامل افزودنی‌های دیگر از قبیل Ti, cr, mg که افزایش بیشتری در استحکام کششی و یا خواص قطعی از قبیل مقاومت به خوردگی، ؟؟؟/ و دیگر را فراهم می‌نماید.

این آلیاژها:

بسیار مناسب به جهت جو همکاری می‌باشند به استثناء آن آلیاژهای که شامل %22-8/1 منیزیم باشد.

استحکام کششی اتصال بوش تقریباً برابر با فلز پایه در شرایط آئین شده می‌باشد.

دارای خواص خوب در دماهای پایین می‌باشد.

دارای مقاومت به خوردگی خوب چه در حالت جوش و چه در حالتی معکوس می‌باشد.

آلیاژ 5005 شامل حدود mg %6/0 می‌باشد و زمانیکه اندکی بهبود در خواص مکانیکی مورد نیاز باشد جایگزین گروه 1200 و A 1050 می‌شود.

آلیاژ 5657 متفاوت از 5005 زمانیکه از فلز پایه 1085 استفاده می‌کنیم می‌باشد. بدین معنا که معروف به کیفیت bright- trime بر روی بسته‌بندی زینتی و به منظور دکوراسیونی که مدنظر می‌باشد است.

آلیاژ 5154، 5454، 5754 ترکیبی از منیزیم از %4 تا 5/2 با اضافه کردن اندکی mn یا cr می‌باشد که بطور وسیعی در بخش ساختمان سیم 5154A غالباً بعنوان منع پروچ مورد استفاده قرار می‌گیرد.

آلیاژ 5086، 5083 حاوی %5 تا 5/3 منیزیم با Mn و cr اضافه شده بالاترین خواص مکانیکی برای تمامی محصولات ناتمام گروه‌های 5 که شامل دماهای پایئنی می‌باشد را ارائه می‌نماید.

دانلود جایگاه علم و تکنولوژی لایه های نازک و مهندسی سطح در توسعه نانو تکنولوژی

اختصاصی از یارا فایل دانلود جایگاه علم و تکنولوژی لایه های نازک و مهندسی سطح در توسعه نانو تکنولوژی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 22

جایگاه علم و تکنولوژی لایه های نازک و مهندسی سطح در توسعه نانو تکنولوژی

چکیده

در سالهای اخیر به دلیل اهمیت بنیادی و کاربردهای بالقوه مواد نانوساختاری در علوم شیمی، فیزیک ، زیست شناسی و مواد توجه زیادی به این مقوله معطوف گشته است . تمایل به مینیاتوری کردن ابزار و بالا بردن ظرفیت ذخیره اطلاعات به ویژه در ساخت قطعات الکترونیکی و اپتیکی ، زمینه های تحقیقاتی وسیعی از نانو تکنولوژی را به بخش مواد نانوساختاری اختصاص داده است .تکنیک های مختلفی برای ساخت نانو ساختارها توسعه یافته است که از علم لایه های نازک نشات گرفته اند و می توان به روش های رشد اپیتاکسی ، لیتوگرافی با باریکه های الکترونی ، رسوب از بخار و روشهای خاص self-Assembly اشاره نمود . مواد نانوساختاری یک گروه جدید از مواد را با خواص متفاوت نسبت به گونه های مولکولی و ساختارهای حالت جامد توده ای ارائه می دهد .این مواد با داشتن اثرات حدی کوانتومی ، رفتار بی همتایی را ایجاد می کنند که می توانند در ساخت دستگاهای جدید اپتیکی ، مغناطیسی ، الکترونیکی ، و ترمو الکتریکی نقش مهمی را ایفا نماید . در این جا سعی می شود رشد علم لایه های نازک و مهندسی سطح در سال های اخیر و تکنولوژی توسعه یافته مرتبط از جمله نانوتکنولوژی مورد بحث قرار گیرد .

مقدمه

علوم نانوبه کلیه پژوهش ها ، بحث ها مطالعات برهمکنشها ، مشاهدات ، اندازه گیری ها و کنترلماده در مقیاس نانو متری اطلاق می شود که در گسترش علوم فیزیک ، شیمی ، مواد ، زیست شناسی و مهندسی تاثیر بسزایی داشته است . علوم نانو دارای پتانسل موثری در تحقیق و تحول علوم و رشد آن ها می باشند .

نانو تکنولوژی به روشی اطلاق می شود که بتوان ابزار و سیستم هایی نظیر نانو مکانیک ، نانو ربات ها ، سنسور ها ، بیو تراشه ها و ... را با کنترل مواد در مقیاس نانو متری ساخت ، مقیاسی که شامل اتم ، مولکول و ساختارهای مولکولی است . نانوتکنولوزی با به واقعیت رساندن اکتیویته ها و فرایند ها در مقیاس نانو، ساختارهای بزرگتری با نظم مولکولی جدید را توسعه می دهد. براساس این ساختارها ، تحت عنوان نانوساختارها ، ابزاآلات کوچکتری ساخته می شود که خواص و قابلیت های فیزیکی ، شیمیایی و بیولوژیکی جدید را ارائه می دهند . هدف ازعلوم نانو و نانوتکنولوژی شناسایی دقیق این خواص و در نتیجه دستیابی به توان تولید نانو ساختارها و راندمان بالا می باشد. شکل های 1 و2 برخی ازانواع نانوساختارهای اولیه ساخته شده را نشان می دهند .

نظریه جایگزین شدن مولکول ها یا اتم ها که می تواند به عنوان یک انقلاب علمی محسوب شود درسال 1959 توسط ریچارد فینمن برنده جایزه نوبل ارائه گردیده است.

وی معتقد بود با وجود فقدان ابزار تجربی هیچ گونه مانعی برای بررسی در ابعاد نانومتری وجود ندارد . حتی قوانین فیزیک هم محدودیتی را اعمال نمی کنند.بنابراین برای رسیدن به ابعاد کوچکتر نیاز به طراحی مجدد دستگاههای تجربی وجود دارد که البته باید در تصحیح و تطبیق پارامتر ها هم تغییر صورت پذیرد . به عنوان مثال نیروی جاذبه پدیده مهمی است اما نیروهای واندروالس و کشش سطحی نقش فوق العاده ای خواهد داشت . شکل 3 تحول تکنولوژی صورت گرفته درقرن گذشته را نشان می دهد . ملاحظه می شود که شروع قرن بیست و یکم یک بازه زمانی شبه پایدار از تکنولوزی نیمه هادی به نانوتکنولوژی می باشد .

علم لایه های نازک

لایه نازک زیرساختاری است که از نشست لایه های اتمی یک ماده بر روی زیر لایه جامد حاصل می شود . لایه های نازک با ضخامت های بین چند نانومتر تا میکرومتر دارای خواص متفاوتی از مواد بایک می باشند . این تفاوت ها به ویزه در ضخامت های بسیار کم یا در مراحل اولیه رشد مهم جلوه می نماید و اساسا به اجزای میکروساختاری

تحقیق در مورد تکنولوژی

اختصاصی از یارا فایل تحقیق در مورد تکنولوژی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 8 صفحه

---

 قسمتی از متن .doc : 

«تکنولوژی (ساخت) Super Flash EEPROM»

معرفی:

این مقاله تکنولوژی ذخیره سازی سیلیکونی را توضیح می دهد. در این محصول سلول حافظه گیت و بازیابی تونل به روش میدانی تشریح شده است. تکنولوژی Super flash و سلول حافظه از نظر طراحی دارای مزایای مهمی هستند و سازنده EEPROM های Flash در زمان استفاده از ابزارهای منطقی در مقایسه با گیت Stack (پشته) اکسید یا تکنیک 2 ترانزیستوری از قابلیت عملکرد و آزادی عمل بیشتری برخوردار است. علاوه بر آن این تکنولوژی دارای مزیتهای قیمت کمتر و قابلیت اطمینان بیشتر است. این تکنولوژی با استفاده از لایه های کمتر از پردازش ساده تری برخوردار است که در مقایسه با انواع دیگر قابل مقایسه است. عمدتاً کاهش مراحل و هزینه های لایه گذاری، سبب کاهش قیمت نهایی محصول می شود. حافظه گیت مجزا SST از نظر اندازه و حجم اشغال شده در مقایسه با انواع ترانزیستوری آن بسیار قابل توجه است، علاوه بر اینکه سهولت استفاده و قابلیت اطمینان بالا نیز در آن بیشتر است. براساس طراحی، سلول حافظه مجزای SST ، برای هر سلول حافظه مربوط به ردیف بیت از overerase استفاده می کند. اختلال در پاک کردن برای همه بایتهای مربوط به یک صفحه یا صفحات دیگر ممکن است ایجاد شود، این بدلیل انجام فرآیند در ولتاژ بالا است.

تزریق کننده (انژکتور) ایجاد تونل بازیابی میدانی:

سلول EEPROM :

این تزریق کننده یک ترانزیستور سلول حافظه مجزا است که برای ایجاد تونل Fowler-Nordheim بمنظور پاک کردن و یا تزریق الکترون در کانال سورس در برنامه ریزی حافظه استفاده می شود. ایجاد تونل چند قطبی با استفاده از انژکتور (ترزیق کننده) میدانی در یک گیت شناور (معلق) با استفاده از اکسیداسیون استاندارد یا تکنیکهای etching صورت می گیرد. انژکتور کانال سفت Source (سورس) که تزریق کننده الکترون است بسیار کارآمد و مؤثر است و با استفاده از یک چیپ (تراشه) بسیار کوچک با تغذیه 5 یا 3 ولت این عملیات را انجام می دهد. سلولها معمولاً قبل از برنامه ریزی، پاک می شوند. اندازه و ابعاد سلول حافظه گیت مجزا با سلولهای حافظه متداول که از تکنولوژی پردازش یکسان استفاده می کنند، قابل مقایسه و قابل ملاحظه است. این امر ممکن است بدلیل موارد زیر ایجاد شده باشد. سلول انژکتور ایجاد کننده تونل نیازی به فضای زیاد بمنظور عایق کاری در جریانها و ولتاژهای بالا ندارد. علاوه بر آن ساختار ساده آن سبب می شود که بسیاری از توابع منطقی در عملیات پاک کردن آن حذف شوند. سلول انژکتور ایجاد کننده تونل از فرآیند (تکنولوژی) CMOS استاندارد استفاده می کند. آرایه های حافظه می توانند در حالت دسترسی تصادفی یا دسترسی متوالی و پی در پی طراحی شده باشند.

ساختار سلولی:

برشهای مقطعی سلولی با نماهای متفاوت در تصاویر 1A و 1B نشان داده شده اند. از دیدگاه سطح مقطع یک مسیر بیت و یک سطح مقطع SEM در تصاویر 2A و 2B نشان داده شده اند. از ترکیب سیلیکون 2 ظرفیتی برای ارتباط گیتها در امتداد یک مسیر word استفاده شده است. فلز بکار رفته در درین (drain) برای هر سلول حافظه در امتداد ردیف بیت قرار دارد.

یک سورس مشترک در هر صفحه بکار رفته است که در آن هر زوج بیت بصورت مشترک از یک سورس استفاده می کنند. با ترکیب ردیفهای زوج و فرد در یک صفحه پاک شده، عملیات صورت می گیرد. برنامه ریزی ممکن است حتی بصورت بایت بایت انجام شود و یا اینکه تمام بایتهای یک صفحه بصورت لحظه ای و به یکباره برنامه ریزی شوند. ناحیه درین از نفوذ (عمق) به میزان n+S/D برخوردار است، که لبه های آن توسط گیت کنترلی 2، تحت کنترل است. ناحیه سورس ار عمق n+S/D برخوردار است که دارای هم پوشانی با قسمت شناور است. یک سلول در دروازه شناور بمنظور کنترل آستانه (هدایت) سلول و ولتاژ مربوطه استفاده شده است. گیت انتخابی بوسیله یک کانال با پهنای 40mm از کانال (اصلی) جدا شده است. گیت شناور از کانال و نفوذ سورس به آن بوسیله کشت گرمایی (حراریی) به میزان 15nm و بصورت اکسید در گیت جدا شده است. گیت شناور از گیت کنترلی بوسیله اکسید 40nm و از لبه ها بصورت عمودی و در حد فاصل بین گیتها با اکسید 200nm جدا شده است. انژکتور ایجاد کننده تونل در گیت شناور بصورت اکسیداسیون چندگانه سیلیکونی عمل می کند و فرم (شکل) انجام اکسیداسیون بصورت «bird beak» می باشد که بر روی یک سیلیکون کریستالی صورت می گیرد. یک ترکیب سیلیکون دو ظرفیتی را می توان در گیت کنترلی بمنظور کاهش مقاومت ردیف word استفاده کرد.

2-3 طرح شماتیک آرایه سلولی:

طرح سلولی نشان داده شده در شکل 3A نحوه سازماندهی و ترتیب قرارگیری منطقی آرایه حافظه را نشان می دهد. مدار معادل این ترکیب بهمراه نشان دادن ظرفیت خازنی بین مسیرها در شکل 4 نشان داده شده است. برای سلول حافظه گیت مجزا کانال بین درین و سورس بوسیله ترکیبی از ترانزیستور گیت مورد نظر و ترانزیستور گیت حافظه کنترل می شود. ترانزیستور حافظه دارای آستانه منفی کم یا زیاد می تواند باشد که این امر به میزان بار الکتریکی ذخیره شده در یک گیت شناور بستگی دارد. در طول عملیات خواندن اطلاعات، این ولتاژ مرجع در گیت کنترلی و گیت انتخابی و via در مسیر word بکار گرفته می شود. ولتاژ مرجع با انتخاب ناحیه کانال، اعمال می شود. اگر گیت شناور قبلاً برنامه ریزی شده باشد، بخشی از ترانزیستور حافظه بصورت عایق باقی می ماند و سیگنال را انتقال نخواهد داد. اگر گیت شناور پاک شده باشد، این سلول حافظه، هادی خواهد بود. حالت هدایت خروجی از نظر منطقی با «1» و حالت عایقی (غیرهادی) با «0» نشان داده می شود. در شکل 3A بخشی از یک آرایه حافظه ترتیبی را که با 8 سلول حافظه چیده شده است و سازمان دهی شده و در آن سلولهای حافظه در 2 ستون، با 2 مسیر سورس و 8 ردیف word قرار گرفته اند، نشان داده شده است. تصویر 3B یک سلول حافظه معادل را نشان می دهد که چگونگی ایجاد وضعیت منطقی برای سلول گیت مجزا بمنظور ترانزیستور انتخابی مورد نظر و ترانزیستور حافظه را نشان می دهد. ولتاژ اعمال شده به ترمینال در هر مرحله در جدول 1 ارائه شده است. در طی عملیات پاک کردن کانال براساس ولتاژ مسیر word جهت گیری کرده و از حالت اولیه منحرف می شود. در طی برنامه ریزی کانال (گاهی) دچار تخلیه می شود. نسبتهای ترویجی (Coupling) در طی دورة پاک کردن و برنامه ریزی متفاوت است. بنابراین در طول

تحقیق در مورد نانو تکنولوژی 33 ص

اختصاصی از یارا فایل تحقیق در مورد نانو تکنولوژی 33 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 33 صفحه

---

 قسمتی از متن .doc : 

بسم الله الرحمن الرحیم

دانشگاه آزاد اسلامی – واحد نیشابور

عنوان :

نانوتکنولوژی

استاد ارجمند :

جناب آقای قاسمی

تهیه و تنظیم :

منظر غفاریان

زمستان 1386

فهرست مطالب

عنوان صفحه

نانوتکنولوژی علم خواص عجیب مواد 1

آغاز نانوتکنولوژی 4

نانوتکنولوگی در صنایع نیمه هادی 6

نانو فیزیک 9

سیر تکاملی و رشد 9

مشخصه یابی لایه نازک قطعات الکترونیکی 11

ساخت و مشخصه یابی سیستم های چند لایه ای 12

وصعت فناوری نانو الکترونیک 12

اهداف فناوری نانو 13

شاخه های فناوری نانو 18

کاربرد نانو تکنولوژی در پزشکی 25

منابع 33

نانو تکنولوژی علم خواص عجیب مواد

از نانوتکنولوژی، بیوتکنولوژی و فناوری اطلاع رسانی به عنوان سه قلمرو علمی نام می برند که انقلاب سوم صنعتی را شکل می دهد. از همین روست که کشورهای در حال توسعه که اغلب از دو انقلاب قبل جا مانده اند، می کوشند با سرمایه گذاری در این سه قلمرو، عقب ماندگی خود را جبران کنند. همان گونه که در این گزارش می خوانید، نانوتکنولوژی کاربردهای گسترده ای در تمام حیطه های زندگی دارد و از این رو توسعه آن می تواند به بهبود و تسهیل زندگی کمک فراوان کند.

اتم سنگ بنای بنیادی ماده است و در نتیجه اتم ها بسیار کوچک هستند. توصیف و تصور جهان در سطح اتم و ملکول دشوار است. این حیطه از علم به قدری عجیب است که بخشی خاص از فیزیک به آن اختصاص یافته شده که مکانیک کوانتم نام دارد. هدف این علم برای توصیف رخدادها در سطح اتم است.اگر قرار بود توپ تنیس را به طرف دیوار پرتاب کنید و توپ از آن بگذرد و به سوی دیگر دیوار برود، حتماً تعجب می کردید. اما این دقیقاً همان اتفاقی است که در مقیاس کوانتم رخ می دهد. در مقیاس بسیار کوچک، خواص ماده مانند رنگ، مغناطیس و توانایی انتقال برق نیز به شکل غیرمنتظره تغییر می کند. دیدن جهان اتم به معنای عادی کلمه میسر نیست، چون خواص آن کوچکتر از طول موج نور قابل دیدن است. اما در سال 1981 پژوهشگران شرکت آی بی ام نوعی میکروسکوپ ساختند که نام آن STM بود. اسم این میکروسکوپ در واقع از یک خاصیت در مکانیک کوانتم گرفته شده بود که در میکروسکوپ یاد شده به کار می رود. این دستگاه می توانست پستی و بلندی های در مقایس جهان نانو را نشان دهد. میکروسکوپ STM این امکان را به دانشمندان داد که برای اولین بار اتم ها و ملکول ها را ببینند. تصاویر این میکروسکوپ به زیبایی و وضوح تصاویر طبیعت اما در مقیاس تصورناپذیر نانومتر بود.

یک نانومتر یک میلیاردیم متر یا حدوداً به طول 10 اتم هیدروژن است. با وجودی که دانشمندان از سال های دهه 1950 درباره بررسی مواد در این مقیاس تلاش کرده بودند، آنان ناچار شدند تا اختراع میکروسکوپ STM صبر کنند تا به هدف خود برسند.

عموماً در این باره توافق وجود دارد که نانوتکنولوژی اشیاء بین یک تا 100 نانومتر را در بر می گیرد، هر چند که این تعریف تا حدی قراردادی است. برخی افراد اجسامی به کوچکی یک دهم نانومتر را نیز در نظر می گیرند که به اندازه پیوند بین دو اتم کربن است. در دیگر سوی این گستره در اجسام بزرگتر از 50 نانومتر قوانین فیزیک کلاسیک صدق می کند.

مواد بسیاری هستند که دارای خواص اجسام در مقیاس نانو هستند اما اسم نانوتکنولوژی به آنها اطلاق نمی شود. نانوتکنولوژی در پی آن است تا از خواص عجیب اجسام در مقیاس بسیار کوچک استفاده کند.

جورج اسمیت سرپرست بخش علم مواد در دانشگاه آکسفورد گفت در مقیاس نانو، خواص «جدید، هیجان انگیز و متفاوتی» یافت می شود. با کوچک تر شدن اجسام، نسبت بین فضای سطح و حجم آن افزایش می یابد. این امر بدان علت مهم است که اتم های موجود در سطح یک ماده معمولاً بیشتر از اتم های مرکز آن واکنش نشان می دهند. از

تحقیق در مورد فناوری نانو نانو تکنولوژی چیست ؟ 21 ص

اختصاصی از یارا فایل تحقیق در مورد فناوری نانو نانو تکنولوژی چیست ؟ 21 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 29 صفحه

---

 قسمتی از متن .doc : 

فناوری نانو (نانو تکنولوژی) چیست ؟

نانوتکنولوژی، فناوری جدید است که تمام دنیا را فرا گرفته است و به تعبیر دقیقتر "نانوتکنولوژی بخشی از آینده نیست بکله همه آینده است" . در این نوشتار بعد از تعریف نانوتکنولوژی و بیان کاربردهای آن دلایل و ضرورتهای توجه به این فناوری آورده شده است:

تعریف نانوتکنولوژی و آشنایی با آن

نانوتکنولوژی، توانمندی تولید مواد، ابزارها و سیستمهای جدید با در دست گرفتن کنترل در سطوح ملکولی و اتمی و استفاده از خواص است که در آن سطوح ظاهر میشود. از همین تعریف ساده برمیآید که نانوتکنولوژی یک رشته جدید نیست، بلکه رویکردی جدید در تمام رشته هاست. برای نانوتکنولوژی کاربردهایی را در حوزه های مختلف از غذا، دارو، تشخیص پزشکی و بیوتکنولوژی تا الکترونیک، کامپیوتر، ارتباطات، حملونقل، انرژی، محیط زیست، مواد، هوافضا و امنیت ملی برشمرده اند.کاربردهای وسیع این عرصه به همراه پیامدهای اجتماعی، سیاسی و حقوقی آن، این فن آوری را بهعنوان یک زمینه فرا رشتهای و فرابخش مطرح نموده است.

هر چند آزمایشها و تحقیقات پیرامون نانوتکتولوژی از ابتدای دهه 80 قرن بیستم بطور جدی پیگیری شد، اما اثرات تحول آفرین، معجزه آسا و باورنکردنی نانوتکنولوژی در روند تحقیق و توسعه باعث گردید که نظر تمامی کشورهای بزرگ به این موضوع جلب گردد و فناوری نانو را به عنوان یکی از مهمترین اولویتهای تحقیقاتی خویش طی دهه اول قرن بیست و یکم محسوب نمایند .

استفاده از این فنآوری در کلیه علوم پزشکی، پتروشیمی، علوم مواد، صنایع دفاعی، الکترونیک، کامپوترهای کوانتومی و غیره باعث شده که تحقیقات در زمینه نانو بهعنوان یک چالش اصلی علمی و صنعتی پیش روی جهانیان باشد. لذا محققین، اساتید و صنعتگران ایرانی نیز باید در یک بسیج همگانی، جایگاه، موقعیت و وضعیت خویش را در خصوص این موضوع مشخص نمایند و با یک برنامهریزی علمی دقیق و کارشناسانه به حضوری فعال و حتی رقابتی سالم در این جایگاه، عرضاندام و ابراز وجود نمایند و برای چنین کاری طراحی یک برنامه منسجم، فراگیر و همه جانبه اجتنابناپذیر است.

نانوتکنولوژی و کاربردهای آن

علوم و فناوری نانو، عنصر ی اساسی در درک بهتر طبیعت در دهه‌های آتی خواهد بود. از جمله موارد مهم در آ ی نده، همکاریهای تحقیقاتی میان‌رشته‌ا‌ی، آموزش خاص و انتقال ایده‌ها و افراد به صنعت خواهد بود. بخشی از تأثیرات و کاربردهای نانوتکنولوژی بهشرح زیر می‌باشد:

1 – تولید ، مواد و محصولات صنعتی :

نانوتکنولوژی تغییر بنیانی مسیری است که در آینده، موجب ساخت مواد و ابزارها خواهد شد. امکان سنتز بلوک‌های ساختمانی نانو با اندازه و ترکیب به دقّت کنترل‌شده و سپس چیدن آنها در ساختارهای بزرگتر، که دارای خواص و کارکرد منحصربه‌فرد باشند، انقلابی در