یارا فایل

مرجع دانلود انواع فایل

یارا فایل

مرجع دانلود انواع فایل

تحقیق فیزیک ساختارهای دورآلاییده

اختصاصی از یارا فایل تحقیق فیزیک ساختارهای دورآلاییده دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 150

 

فهرست مطالب

فصل اول : ساختارهای دورآلاییده 1

مقدمه 2

1-1 نیمه رسانا 3

1-2 نیمه رسانا با گذار مستقیم و غیر مستقیم 4

1-3 جرم موثر 4

1-4 نیمه رسانای ذاتی 6

1-5 نیمه رسانای غیر ذاتی و آلایش 7

1-6 نیمه رساناهای Si و Ge 10

1-7 رشد بلور 13

1-7-1 رشد حجمی بلور 15

1-7-2 رشد رونشستی مواد 15

1-7-3 رونشستی فاز مایع 16

1-7-4 رونشستی فاز بخار 18

1-7-5 رونشستی پرتو مولکولی 19

1-8 ساختارهای ناهمگون 20

1-9 توزیع حالت‌های انرژی الکترون‌ها در چاه کوانتومی 21

1-10 انواع آلایش 23

1-10-1 آلایش کپهای 24

1-10-2 آلایش مدوله شده (دورآلاییدگی) 24

1-10-3 گاز الکترونی دوبعدی 25

1-10-4 گاز حفرهای دوبعدی 26

1- 11 ویژگی و انواع ساختارهای دور آلاییده 27

1-11-1 انواع ساختارهای دورآلاییده بهلحاظ ترتیب رشد لایهها 27

1-11-2 انواع ساختار دور آلاییده به لحاظ نوع آلاییدگی ( n یا p ) 28

1-11-3 انواع ساختار دور آلاییده دریچهدار 29

1-12 کاربرد ساختارهای دور آلاییده 33

1-12-1 JFET 33

1-12-2 MESFET 34

1-12-3 MESFET پیوندگاه ناهمگون 35

فصل دوم : اتصال فلز نیمه رسانا (سد شاتکی) 38

مقدمه 39

2-1 شرط ایده آل و حالتهای سطحی 41

2-2 لایه تهی 44

2-3 اثر شاتکی 47

2-4 مشخصه ارتفاع سد 51

2-4-1 تعریف عمومی و کلی از ارتفاع سد 51

2-4-2 اندازه گیری ارتفاع سد 57

2-4-3 اندازه گیری جریان – ولتاژ 57

2-4-4 اندازه گیری انرژی فعال سازی 60

2-4-5 اندازه گیری ولتاژ- ظرفیت 60

2-4-6 تنظیم ارتفاع سد 62

2-4-7 کاهش سد 62

2-4-8 افزایش سد 63

2-5 اتصالات یکسوساز . 64

2-6 سدهای شاتکی نمونه 64

فصل سوم : انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده 66

مقدمه 67

3-1 ساختار دور آلاییده معکوس p-Si/Si1-XGeX/Si . 68

3-2 ساختار نوار ظرفیت ساختار دور آلاییده معکوسp-Si/SiGe/Si 69

3-3 محاسبه انتقال بار در ساختارهای دور آلاییده. 71

3-3-1 آلایش مدوله شده ایدهآل 71

3-3-2 محاسبات خود سازگار چگالی سطحی حاملها 74

3-3-3 اثر بارهای سطحی بر چگالی گاز حفرهای 74

3-4 روشهای کنترل چگالی سطحی حاملها 76

3-4-1 تاثیر تابش نور بر چگالی سطحی حاملها 77

3-4-2 تاثیر ضخامت لایه پوششی بر چگالی سطحی حاملها 78

3-4-3 دریچه دار کردن ساختار دور آلاییده 79

3-5 ساختارهای دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si با دریچه بالا 79

3-6 انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده معکوس با دریچه بالا 82

3-7 تاثیر بایاسهای مختلف بر روی چگالی سطحی حفرهها 83

3-8 ملاحظات تابع موج. 86

3-9 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای بی دریچه 87

3-10 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای دریچهدار 87

فصل چهارم : نتایج محاسبات 89

مقدمه 90

4-1 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده بی دریچه Si/SiGe/Si 91

4-1-1 محاسبات نظری ns برحسب Ls 91

4-1-2 محاسبات نظری ns برحسب NA 96

4-1-3 محاسبات نظری ns برحسب nc 99

4-1-4 محاسبات نظری کلیه انرژیهای دخیل برحسب Ls 100

4-2 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده دریچهدار Si/SiGe/Si 100

4-2-1 محاسبات نظری ns برحسب vg 100

4-2-2 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و تابعی خطی از vg با شیب مثبت 107

4-2-3 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و تابعی خطی از vg با شیب منفی 114

فصل پنجم : نتایج 124

5-1مقایسه سد شاتکی با ساختار دورآلاییده دریچه دار p-Si/SiGe/Si 125

5-2 بررسی نمودارهای مربوط به چهار نمونه 125

پیوست 129

چکیده انگلیسی (Abstract) 139

منابع 141


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق فیزیک ساختارهای دورآلاییده

دانلود پایان نامه ساختارهای دورآلاییده

اختصاصی از یارا فایل دانلود پایان نامه ساختارهای دورآلاییده دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

دانلود پایان نامه ساختارهای دورآلاییده


دانلود پایان نامه ساختارهای دورآلاییده

در ساختارهای Si/SiGe/Si که بوسیله روش رونشانی پرتو مولکولی رشد می­یابند به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یک چاه کوانتومی در نوار ظرفیت و در لایه SiGe شکل می­گیرد اگر لایه­های مجاور با ناخالصی­های نوع p آلاییده شده باشند حفره­های لایه آلاییده به داخل چاه کوانتومی می­روند و تشکیل گاز حفره­ای دوبعدی در میانگاه نزدیک لایه آلاییده می­دهند اینگونه ساختارها را ساختار دورآلاییده می نامند .به دلیل جدایی فضایی بین حاملهای آزاد دوبعدی و ناخالصی­های یونیده در ساختارهای دورآلاییده برهمکنش کولنی کاهش یافته و درنتیجه پراکندگی ناشی از ناخالصی­های یونیده کاهش و به تبع آن تحرک­پذیری حاملهای آزاد دوبعدی افزایش می­یابد .چگالی سطحی گاز حفره­ای دوبعدی به پارامترهای ساختار مثلاً ضخامت لایه جداگر ، چگالی سطحی بارهای لایه پوششی ، ضخامت لایه پوششی ، و غیره وابسته است. علاوه بر این در ساختارهای دورآلاییده دریچه­دار با تغییر ولتاِژ دریچه چگالی سطحی گاز حفره­ای قابل کنترل می­باشد . این ساختارها در ساخت ترانزیستورهای اثر میدانی مورد استفاده قرار می­گیرند .

در این پایان نامه ابتدا به تشریح ساختار دورآلاییده  Si/SiGe/Siمی­پردازیم و سپس مدلی نظری که بتواند ویژگیهای الکتریکی گاز حفره­ای دوبعدی درون چاه کوانتومی ساختارp-Si/SiGe/Si  و همچنین میزان انتقال بار آزاد به درون چاه و بستگی آن به پارامترهای ساختار را توجیه کند ارائه می دهیم  .  در ساختار دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si دریچه­دار با دریچه Al/Ti/Si از این مدل نظری استفاده می­کنیم و با برازش نتایج تجربی تغییرات چگالی سطحی گاز حفره­ای بر حسب ولتاژ دریچه توانسته­ایم چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Si در این ساختارها را در محدوده (m-2) 1015 × 78/1 تا (m-2) 1015 × 63/4  ارزیابی کنیم  .

فصل اول : ساختارهای دورآلاییده1
مقدمه 2
1-1 نیمه رسانا3
1-2 نیمه رسانا با گذار مستقیم و غیر مستقیم4
1-3 جرم موثر4
1-4 نیمه رسانای ذاتی6
1-5 نیمه رسانای غیر ذاتی و آلایش7
1-6 نیمه رساناهای Si و Ge 10
1-7 رشد بلور 13
1-7-1 رشد حجمی بلور15
1-7-2 رشد رونشستی مواد15
1-7-3 رونشستی فاز مایع 16
1-7-4 رونشستی فاز بخار18
1-7-5 رونشستی پرتو مولکولی 19
1-8 ساختارهای ناهمگون20
 1-9 توزیع حالت‌های انرژی الکترون‌ها در چاه کوانتومی21
1-10 انواع آلایش23
1-10-1 آلایش کپه¬ای24
1-10-2 آلایش مدوله شده (دورآلاییدگی)24
1-10-3 گاز الکترونی دوبعدی 25
1-10-4 گاز حفره¬ای دوبعدی26
1- 11 ویژگی و انواع ساختارهای دور آلاییده 27
1-11-1 انواع ساختارهای دورآلاییده به¬¬لحاظ ترتیب رشد لایه¬ها 27
1-11-2 انواع ساختار دور آلاییده به لحاظ نوع آلاییدگی ( n یا p )28
1-11-3 انواع ساختار دور آلاییده دریچه¬دار29
1-12 کاربرد ساختارهای دور آلاییده33
1-12-1 JFET33  
1-12-2 MESFET 34
1-12-3 MESFET پیوندگاه ناهمگون 35
فصل دوم : اتصال فلز نیمه رسانا (سد شاتکی)38
مقدمه 39  
2-1 شرط ایده آل و حالتهای سطحی 41
2-2 لایه تهی 44
2-3 اثر شاتکی 47
2-4 مشخصه ارتفاع سد51
2-4-1 تعریف عمومی و کلی از ارتفاع سد51
2-4-2 اندازه گیری ارتفاع سد57
2-4-3 اندازه گیری جریان – ولتاژ57
2-4-4 اندازه گیری انرژی فعال سازی60  
2-4-5 اندازه گیری ولتاژ- ظرفیت60
2-4-6 تنظیم ارتفاع سد 62
2-4-7 کاهش سد 62
2-4-8 افزایش سد63
2-5 اتصالات یکسوساز . 64
2-6 سدهای شاتکی نمونه  64
فصل سوم : انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده66
مقدمه67
 3-1 ساختار دور آلاییده معکوس p-Si/Si1-XGeX/Si .68
3-2 ساختار نوار ظرفیت ساختار دور آلاییده معکوسp-Si/SiGe/Si69
3-3 محاسبه انتقال بار در ساختارهای دور آلاییده.71  
3-3-1 آلایش مدوله شده ایده¬آل71
3-3-2 محاسبات خود سازگار چگالی سطحی حاملها 74
3-3-3 اثر بارهای سطحی بر چگالی گاز حفره¬ای 74
3-4 روشهای کنترل چگالی سطحی حاملها 76
3-4-1 تاثیر تابش نور بر چگالی سطحی حاملها 77
3-4-2 تاثیر ضخامت لایه پوششی بر چگالی سطحی حاملها78
3-4-3 دریچه دار کردن ساختار دور آلاییده 79
3-5 ساختارهای دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si با دریچه بالا 79
3-6 انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده معکوس با دریچه بالا82
3-7 تاثیر بایاسهای مختلف بر روی چگالی سطحی ¬حفره¬ها 83
3-8 ملاحظات تابع موج.86
3-9 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای بی دریچه87
3-10 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای دریچه¬دار87
فصل چهارم : نتایج محاسبات  89
مقدمه90
4-1 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده بی دریچه Si/SiGe/Si 91
4-1-1 محاسبات نظری ns برحسب Ls 91
4-1-2 محاسبات نظری ns برحسب NA  96
4-1-3 محاسبات نظری ns برحسب nc 99
4-1-4 محاسبات نظری کلیه انرژیهای دخیل برحسب Ls 100
4-2 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده دریچه¬دار Si/SiGe/Si 100
4-2-1 محاسبات نظری ns برحسب vg 100
4-2-2 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و تابعی خطی از vg با شیب مثبت 107
4-2-3 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و  تابعی خطی از vg با شیب منفی114
فصل پنجم : نتایج 124
5-1مقایسه سد شاتکی با ساختار دورآلاییده دریچه دار p-Si/SiGe/Si 125
5-2 بررسی نمودارهای مربوط به چهار نمونه 125
پیوست 129
چکیده انگلیسی (Abstract) 139
منابع141

 

شامل 150 صفحه فایل word


دانلود با لینک مستقیم