سورس نوروزی( عکس با حرم)
اختصاصی از یارا فایل سورس نوروزی( عکس با حرم) دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .
......................................................................................................................................................................
>>>> طرح ویژه از تاریخ 94/12/24 تا 94/12/29
باخرید یه سورس که قیمتش بالا 7 تومن باشه یه سورس جایزه دریافت می کنید
که برای دریافت سورس جایزه لیست 7 تا از سورس های مورد علاقه تون رو به آدرس زیر ایمیل می کنید
sourceandroid.sellfile.ir@gmail.com
وبه صورت تصادفی یکی از 7 سورس رو به عنوان عیدی براتون ایمیل می کنیم
این طرح تمدید نمی شود وتا آخر 94/12/29 مهلت دارید <<<<<<
......................................................................................................................................................................
با سلام در این پست براتون سورس عکس با حرم رو آماده کردیم. این سورس مخصوص اکلیپس و اندروید استودیو می باشد. در این سورس شما یک قسمت از یک عکسی رو انتخاب میکنین و برش میدین بعد اونو روی یک عکس دیگه قرار میدین. برنامه های زیادی با این سورس ساخته شدن و فروش خوبی تو مارکت ها داشتن.
این سورس 2 بارفشرده شده
تخفیف 38 درصدی تاپایان 13 بدر می باشد
سورس نوروزی(پاندای پرنده)
اختصاصی از یارا فایل سورس نوروزی(پاندای پرنده) دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .
......................................................................................................................................................................
>>>> طرح ویژه از تاریخ 94/12/24 تا 94/12/29
باخرید یه سورس که قیمتش بالا 7 تومن باشه یه سورس جایزه دریافت می کنید
که برای دریافت سورس جایزه لیست 7 تا از سورس های مورد علاقه تون رو به آدرس زیر ایمیل می کنید
sourceandroid.sellfile.ir@gmail.com
وبه صورت تصادفی یکی از 7 سورس رو به عنوان عیدی براتون ایمیل می کنیم
این طرح تمدید نمی شود وتا آخر 94/12/29 مهلت دارید <<<<<<
......................................................................................................................................................................
آیتم با قالب AdMob بسته بندی شده. شما می توانید تبادل AdMob ID انتشار و پول را فقط برای شما ...
دانلود پروژه تحت وب کاریابی آنلاین همراه با سورس و داکیومنت کامل (با قابلیت ویرایش کامل پروژه)ASP NET
اختصاصی از یارا فایل دانلود پروژه تحت وب کاریابی آنلاین همراه با سورس و داکیومنت کامل (با قابلیت ویرایش کامل پروژه)ASP NET دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .
این پروژه، در دسته نرم افزارهای تحت وب قرار می گیرد که امروزه کاربردهای وسیعی یافته اند و روز به روز بر گسترش آنها افزوده می شود. هدف از تولید این نرم افزار تحت وب، کم کردن میزان رفت و آمد به موسسه کاریابی و همچنین کم کردن میزان تماس های تلفنی، زیاد کردن درآمد شرکت از طریق آگاهی سریع کارفرماها، کارجوها، و موسسه کاریابی به اطلاعات همدیگر و نیز به فرصتهای شغلی می باشد. استفاده از قابلیتهای جدیدی مثل CSS 3 هم در این نرم افزار به چشم می آید. امید است که شما از این نرم افزار در جهت خدمتی هر چند ناچیز به بشریت استفاده کنید. این پایان نامه شامل چهار فصل می باشد. در فصل اول مقدمه ای از سیستم کاریابی را ذکر کرده ایم. در فسل دوم تئوری پروژه، کاربردهای مبتنی بر آن، تحلیل سیستم موسسه کاریابی و نیز نمودارهای زبان مدلسازی یکپارچه مربوط به سیستم آورده شده اند. در فصل سوم، شرح کامل پروژه و نحوه اجرای نرم افزار و نیز شرح برخی از کدهای نرم افزار صورت گرفته است. در فصل چهارم نیز نتیجه گیری کرده ایم و در انتها نیز ضمیمه و مراجع آورده شده اند. این پروژه شامل امکانات زیر می باشد:
1) کنترل پنل برای مدیر وب سایت، کارجو و کارفرما
2) امکان مشاهده لیست کارفرمایان، کارجویان، فرصتهای شغلی، و پیوندهای بیرونی برای مدیر
3) امکان حذف کارفرما، کارجو، فرصت شغلی، و پیوند بیرونی توسط مدیر
4) امکان اضافه کردن یک پیوند بیرونی
5) ثبت نام از کافرمایان و کارجویان
6) اعلام نیروی انسانی مورد نیاز توسط کارفرمایان
7) نمایش لیست کلیه فرصتهای شغلی موجود در سایت
8) امکان ابراز علاقه به فرصت شغلی توسط کارجویان لاگین کرده
9) امکان دیدن رزومه کاندید فرصت شغلی برای کارفرما
10) امکان مشاهده لیست کارجویان برای کارفرما
11) امکان دیدن رزومه کارجو توسط کارفرما و مدیر
12) امکان دعوت از کارجو برای استخدام توسط کارفرما
13) استخدام کارجو در صورت تایید کارفرما
کارفرما می تواند با ثبت نام و متعاقبا وارد شدن به پنل خود، درخواست نیروی انسانی خود را بدهد یا به عبارت دیگر فرصتهای شغلی خود را ارائه بدهد. کارجویانی که در سایت ثبت نام کنند میتوانند بدون مراجعه حضوری و یا بدون تماس تلفنی با موسسه، از فرصتهای شغلی اطلاع پیدا کنند تا اینکه شاید شغل مناسب با خود را پیدا کنند. همچنین هر کارجو با وارد شدن به پنل خود می تواند به شغل مورد علاقه خود ابراز علاقه کند. این باعث می شود تا کارفرمایی که آن شغل را ارائه کرده است از وجود چنین کارجویی آگاه شده و بتواند رزومه کارجو را ببیند. همین امر می تواند در امر استخدام کارجویان سرعت بخشد. مدیر وب سایت هم یک سری اعمال مدیریتی مثل مشاهده لیست کارفرمایان، لیست کارجویان، لیست فرصتهای شغلی، لیست پیوندها به سایتهای دیگر را ببیند. همچنین مدیر می تواند با انتخاب کارفرما، کارجو، فرصت شغلی، یا یک پیوند از لیستهای مربوطه آنها، جزئیات مربوط به آن موجودیت را ببیند و در صورت صلاحدید آنرا حذف کند. این پایان نامه شامل چهار فصل می باشد. در فصل اول مقدمه ای از سیستم کاریابی و روند کاری را ذکر کرده ایم. در فصل دوم تئوری پروژه، کاربردهای مبتنی بر آن، تحلیل سیستم موسسه کاریابی و نیز نمودارهای زبان مدلسازی یکپارچه آورده شده اند. در فصل سوم، نحوه اجرای نرم افزار و نیز شرح برخی از کدهای نرم افزار صورت گرفته است. در فصل چهارم نیز نتیجه گیری کرده ایم. بعد در انتها نیز مراجع آورده شده اند.
در این پروژه سعی شده است از فناوریهای به روزی مثل jQuery، CSS 3، HTML 5، C# 4 و غیره استفاده شود. شما می توانید برای اطلاع کامل از ابزارهای استفاده شده برای تحلیل و پیاده سازی این پروژه به فصل سوم مراجعه فرمائید. قالب صفحات وب این سیستم را خودم طراحی کرده ام و با نرم افزار خاصی کار نکرده ام. برای این کار باید تقریبا آشنایی کاملی با سی اس اس و html داشت. البته کلاسهایی که رفته بودم خیلی به من کمک کردند که سی اس اس و html را یاد بگیرم. ولی به عنوان یک کتاب خوب می توانم مرجع شماره 1 را معرفی کنم که واقعا کتاب خوبی است. برای یادگیری html هم مرجع شماره 2 را توصیه می کنم. همچنین در این پروژه سعی کرده ام که از جداول html کمتر استفاده کنم. به جای جداول html از تگهای div استفاده کرده ام. استفاده از تگهای div به جای تگهای table مزیتهایی دارد. مثلا خزندگان وب محتویات تگهای div را بهتر index گزاری می کنند و همین امر می تواند باعث افزایش بازدیدکنندگان وب سایت شود. و البته تگهای table هم مزیتشان این است که با اکثر مرورگرها سازگار هستند و در کلیه مرورگرها تقریبا به یک شکل دیده خواهند شد. می توانید برای اطلاعات بیشتر در مورد فرق استفاده از تگهای div به جای تگهای table به مرجع شماره 3 مراجعه کنید.
همچنین استفاده از مفاهیم پیشرفته در مهندسی نرم افزار، یعنی برنامه نویسی شیء گرا و همچنین برنامه نویسی چند لایه در این پروژه ، باعث شده است که کیفیت و قابلیت استفاده مجدد بالا رود و نگهداری این نرم افزار ساده تر شود. سعی شده است امنیت این وب سایت در برابر حملات نفوذگرها کمی بالا برده شود. استفاده از امکان پردازه های ذخیره شده در سیکوال سرور، استفاده از پارامترها برای ارسال و دریافت مقادیر از پایگاه داده، استفاده از الگوریتم رمزنگاری MD5 برای ذخیره کلمات عبور در پایگاه داده، استفاده از تصویر امنیتی (Captcha) موقع ثبت نام، اعتبارسنجی اطلاعات وارد شده در جعبه های متن هم در سمت سرور و هم در سمت کاربر همه گویای این مطلب هستند. اما باید این نکته را هم ذکر کنیم که این وب سایت کاملا ایمن نیست و هنوز از لحاظ امنیتی خیلی جای کار دارد. ولی به هر حال در برابر حملاتی مثل SQL Injection قدرت مقابله دارد.
فهرست:
فصل اول مقدمه
فصل دوم: تحلیل سیستم
نمودار مورد کاربرد
مشخصات موارد کاربرد
نمودار کلاس
نمودار کلاس لایه BLL
نمودار کلاس لایه DAL
پایگاه داده
رابطه بین جداول پایگاه داده
جزئیات جدول Users
جزئیات جدول Applicant
جزئیات جدول Employer
جزئیات جدول Administrator
جزئیات جدول Job
جزئیات جدول FavoriteJobs
جزئیات جدول davit
جزئیات جدول Applications
جزئیات جدول Anchor
فصل سوم پیاده سازی سیستم کاریابی آنلاین
سند مشخصات پیاده سازی
صفحات وب سیستم کاریابی آنلاین
صفحاتی که همه می توانند ببینند
صفحات مربوط به کارفرمایان
صفحات مربوط به کارجویان
صفحات مربوط به مدیر سایت
فصل چهارم: نتیجه گیری
ضمیمه : نحوه اجرای نرم افزار
منابع و مراجع
به همراه سورس پروژه + داکیومنت
طراحی ترانزیستورهای ماسفت سرعت بالا با کمک پیوند سورس کانال ناهمگون
اختصاصی از یارا فایل طراحی ترانزیستورهای ماسفت سرعت بالا با کمک پیوند سورس کانال ناهمگون دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .
چکیده
فناوری Si CMOS به دلیل مصرف توان پایین، تراکم بالای تراشه ها، نویز پایین و قابلیت اطمینان به عنوان فناوری غالب در عرصه VLSI شناخته شده است. در گذشته تحقیقات گسترده بر روی سیلیسیم تحت کرنش رشد چشم گیری یافته است. در این پایان نامه، ساختار جدیدی معرفی می گردد که محدودیت قاعده مقیاس بندی را از طریق تلفیق کرنش با مهندسی زیرنوار، تا حدود زیادی مرتفع می سازد. این ساختار ترانزیستور MOSFET با کانال کرنش یافته و پیوند ناهمگون در سورس می باشد.
افزاره مورد بررسی، عملکرد بهتر و سرعت بالایی نسبت به افزاره های CMOS توده ای دارد. علاوه بر این، فرایند ساخت این افزاره با فناوری ساخت CMOS کاملا منطبق می باشد و در تمامی حوزه هایی که افزاره های توده ای قابل استفاده هستند، کاربرد دارد.
تحلیل های عددی نشان می دهند که استفاده از کرنش و پیوند ناهمگون در ساختار این ترانزیستور، موجب بهبود قابلیت حرکت حامل ها، افزایش جریان حالت روشنی و هدایت انتقالی و نیز بهبود مشخصات DC افزاره می گردد. از جمله مشکلاتی که در این افزاره وجود دارد، نشتی تونل زنی نوار به نوار به دلیل استفاده از ماده SiGe می باشد که به افزایش جریان حالت خاموشی در این افزاره منجر می گردد و علی رغم جریان راه انداز بالا، موجب محدودیت در استفاده از این افزاره برای کاربردهای توان پایین می شود. جهت رفع این عیب برای اولین بار از ساختار اکسید نامتقارن و مهندسی زیر نوار برای کاهش جریان نشتی در این افزاره استفاده شده است. ساختار پیشنهاد شده، 93% کاهش در جریان حالت خاموشی ایجاد کرد. همچنین به منظور افزایش بیشتر جریان حالت خاموش، ساختار SHOT دو گیتی پیشنهاد شد که جریان راه انداز آن تقریبا دو برابر SHOT تک گیتی می باشد. جهت کاهش جریان نشتی افزاره SHOT دو گیتی از ایده اکسید گیت نامتقارن و مهندسی تابع کار استفاده شده است. ساختار پیشنهاد شده 90% کاهش در جریان نشتی ایجاد نموده است.
همچنین با در نظر گرفتن تاثیرات مهمی که اثرات خودگرمایی در کاهش جریان افزاره و بروز پدیده مقاومت منفی دارد، ساختار MOSFET با پیوند ناهمگون در سورس با ساختار عایق چند لایه ای پیشنهاد شد. ساختار پیشنهادی، دمای افزاره در کانال را کاهش می دهد و مشخصه جریان خروجی ترانزیستور را بهبود می بخشد.
مقدمه
افزون بر 20 سال است که صنعت میکرو الکترونیک کمابیش همگام با قاعده مور پیش می رود. اعمال قاعده مقیاس بندی در فناوری CMOS منجر به بهبود چگالی افزاره ها، بهبود عملکرد و کاهش هزینه ساخت آنها گردیده است. با ادامه قاعده مقیاس بندی در مدارات مجتمع با این سوال مواجه می شویم که آیا صنعت میکروالکترونیک به حد نهایی مقیاس بندی رسیده است یا نه؟ از جمله مشکلات قابل ذکر که فناوری CMOS در مسیر مقیاس بندی در رژیم زیر 100 نانومتر با آن مواجه می باشد، می توان به اثرات کانال کوتاه، توان مصرفی، ولتاژ آستانه، اثرات میدان بالا، مشخصه های اکسید گیت، تاخیرهای اتصالات داخلی و نقش نگاری اشاره نمود. در فناوری Si CMOS افزایش تراکم ناخالصی کانال برای محدود کردن اثرات کانال کوتاه صورت می گیرد ولی متاسفانه این امر به کاهش قابلیت حرکت و تقویت جریان نشتی منتهی می گردد. برای رفع این مشکل SOI MOSFET های فوق العاده نازک طراحی شده اند که از مزایای زیر برخوردارند:
1) عدم نیاز به آلایش و یا نیاز به آلایش کم کانال در این افزاره ها، مشکل اثر کانال کوتاه را رفع می نماید.
2) کاهش پراکندگی کولمبی و میدان موثر عمودی به ارتقا قابلیت حرکت حامل ها در کانال SOI MOSFET ها منتهی شده و خازن پارازیتی پیوند سورس / درین کاهش می یابد.
3) فرایندهای جداسازی ساده مانند فناوری mesa به راحتی به فرایند ساخت این افزاره ها قابل اعمال می باشد.
4) مشکل نوسانات کوچک ولتاژ آستانه، به دلیل تراکم پایین ناخالصی های کانال مرتفع می شود.
با وجود تمام مزایای ذکر شده، قابلیت حرکت حامل ها و بالاخص قابلیت حرکت حفره ها در لایه وارون کانال سیلیسیم توده ای در SOI MOSFET ها در مقایسه با دیگر نیمه هادی ها مانند Ge و GaAs کاملا پایین می باشد. این امر موجب محدودیت در سرعت کلیدزنی افزاره های CMOS زیر 100 نانومتر می گردد. بنابراین استفاده از روش هایی مانند اعمال کرنش به سیلیسیم معمولی جهت افزایش قابلیت حرکت حفره ها و یا استفاده از موادی که خصوصیات انتقال بهترین نسبت به سیلیسیم معمولی دارند، به دو دلیل ممکن است راه حل مناسبی باشد. در اثر رشد چاه های کوانتومی Si/Ge در کانال، کرنش مابین لایه های سیلیسیم و سیلیسیم ژرمانیم شکل می گیرد؛ در این راستا، قابلیت حرکت الکترون ها و حفره ها حداقل تا میزان دو برابر افزایش می یابد. بنابراین Strained Si MOSFET از ساختارهایی هستند که در آنها قابلیت حرکت الکترون ها و حفره ها بالا می باشد علاوه بر این، حامل های محبوس در چاه کوانتومی، از پراکنش ناخالصی های یونیزه شده در مقایسه با سامانه ماده Si/SiO2 به میزان زیادی جلوگیری می نماید. سامانه Si/Ge با کمک به افزایش جریان راه انداز موجب کاهش زمان های تاخیر اتصالات داخلی می شود. برای یاری جستن از مزایای توام فناوری SOI MOSFET و strained Si MOSFET ترکیب جدیدی از MOSFET ها تحت عنوان Strained SOI MOSFET پدید آمده اند.
تعداد صفحه : 125
ترانزیستورهای MOSFET با سورس و درین شاتکی و کانال کرنش یافته در ابعاد نانو
اختصاصی از یارا فایل ترانزیستورهای MOSFET با سورس و درین شاتکی و کانال کرنش یافته در ابعاد نانو دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .
چکیده:
افزایش کارایی در ماسفت ها با کوچک کردن ابعاد افزاره حاصل می شود. با وجود مزیت های کوچک سازی، این روش با محدودیت های فیزیکی و اقتصادی روبروست و در نتیجه راه حل های جدیدی پیشنهاد میشود. کاربرد ساختار کرنش دار سیلیسیم . سیلیسیم ژرمانیم در ناحیه کانال ترانزیستور ماسفت، با افزایش قابلیت حرکت حامل ها و در نتیجه افزایش جریان حالت روشنی ترانزیستور، باعث افزایش کارایی حتی در طول کانال های بسیار کوچک می شود. اما یکی از چالش های اصلی در این میان وجود مقاومت های پارازیتی سورس و درین است.
در این پروژه، ترانزیستور ماسفت با سورس / درین فلزی و کانال کرنش یافته به عنوان ساختاری که این مشکل را مرتفع می کند مورد مطالعه و شبیه سازی قرار گرفته است. تونل زنی از سد شاتکی و جریان ترمویونی از سازوکارهای اصلی جریان در این افزاره است. استفاده از ساختار ماسفت با سورس / درین فلزی و کانال کرنش یافته موجب افزایش در قابلیت حرکت حامل ها، جریان حالت روشنی، نسبت Ion/Ioff و هدایت انتقالی این افزاره نسبت به ساختار متناظر ماسفت با سورس / درین فلزی و کانال سیلیسیم شده است. افزاره ماسفت با سورس / درین فلزی و کانال کرنش یافته دارای جریان حالت روشنی کمتر نسبت به ساختار متناظر با سورس / درین آلاییده شده می باشد. با افزایش درصد مولی ژرمانیم در کانال سیلیسیم / ژرمانیم، جریان حالت روشن در این افزاره بهبود می یابد. همچنین شبیه سازی ها نشان می دهند کاهش ضخامت لایه کلاهک سیلیسیمی در این افزاره موجب بهبود چشمگیر مشخصه های الکتریکی شده است. جریان های تونل زنی و انتشار ترمویونی از سورس به بستر، از عوامل اصلی افزایش جریان حالت خاموشی و محدودیت عملکرد این افزاره محسوب می شوند. جهت رفع این نقیصه، برای نخستین بار ساختار بدیع ماسفت با سورس درین فلزی و کانال کرنش یافته سیلیسیم – بروی – عایق پیشنهاد شده است به طوری که با استفاده از فناوری سیلیسیم – بروی – عایق، جریان حالت خاموشی به میزان 98% کاهش یافته است.
مقدمه:
با ساخت اولین ترانزیستور در سال 1947 میلادی، صنعت الکترونیک وارد مرحله جدیدی گردید. این فناوری در کمتر از 50 سال مرزهای میکرون را در نوردید و با عرضه تراشه Pentium IV توسط شرکت Intel با دقت ابعادی در حد دهم میکرون، عملا عصر نانو الکترونیک آغاز گردید. کاهش ابعاد ترانزیستورها از چند جنبه قابل بررسی است: افزایش سرعت یکی از مهمترین مزایای کاهش ابعاد ترانزیستورها می باشد. افزایش سرعت مدارهای مجتمع قابلیت انجام محاسبات پیچیده تر در زمان های کمتر را به وجود می آورد. ویژگی دیگری که در ساخت تراشه های مدار مجتمع مورد توجه است کاهش ولتاژ و توان الکتریکی مورد نیاز مدارهای مجتمع می باشد. امروزه کوچک بودن و قابل حمل بودن در بسیاری از سیستم های الکترونیکی مورد توجه است. تراشه های مدار مجتمع با سطح ولتاژ و جریان پایین کاربردهای وسیعی یافته اند. کاهش ابعاد ترانزیستورها موجب افزایش بازدهی و کاهش قیمت تمام شده افزاره های نیمه هادی گردیده است.
روند کاهش ابعاد ترانزیستورها در ابعاد نانو مشکلاتی را پدید می آورد که به آثار کانال کوتاه معروفند و موجب ضعف عملکرد و افزایش توان تلفاتی در این افزاره ها می گردند.
برای رفع مشکلات فوق، در این پروژه اصول و عملکرد یک ترانزیستور اثر میدانی سورس و درین فلزی با کانال کرنش یافته مورد مطالعه و شبیه سازی قرار گرفته است. از آنجا که تغییر مقیاس و مجتمع سازی افزاره وابستگی شدیدی به کاهش میزان جریان نشتی دارد، برای نخستین بار ترانزیستور اثر میدانی سورس درین فلزی و کانال کرنش یافته سیلسیم – بروی – عایق پیشنهاد شده است. براساس نتایج بدست آمده، به نظر می رسد این افزاره می تواند گزینه مناسبی برای کاربرد در ابعاد نانو محسوب گردد.
تعداد صفحه : 125