یارا فایل

مرجع دانلود انواع فایل

یارا فایل

مرجع دانلود انواع فایل

پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندیBJT 29 اسلاید

اختصاصی از یارا فایل پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندیBJT 29 اسلاید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

 

نوع فایل:  ppt _ pptx ( پاورپوینت )

( قابلیت ویرایش )

 


 قسمتی از اسلاید : 

 

تعداد اسلاید : 29 صفحه

ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی)BJT) فصل چهارم P N P E B C امیترE بیسB Cکلکتور N P N امیترE بیسB Cکلکتور E B C *زمانی ترانزیستور در ناحیه خطی یا فعال کار می کند که دیود بیس امیتر روشن و دیود بیس کلکتور قطع باشد P N P RE VCC R VEE E2 در مقابل جریان حفره ای امیتر مانند سد عمل می کند E1 برای جریان حفره ای امیتر که وارد بیس می شود مانند پرتاب گر عمل می کند E2 بایاس مستقیم بایاس معکوس P N P Ix IPE Ipco Ico IE Inco Ipc جریان حامل های اقلیت میزان حفره تزریقی امیتر IPE جریان امیتر و IE ضریب تزریقی امیترγ = IPE IE مولفه های جریانی ترانزیستور در ناحیه فعال: مقداری از جریان حفره ای که بوسیله الکترون های بیس جذب می شودIx مقداری از جریان حفره ای که از بیس عبور می کندIPC =ضریب گذردهی بیس IPC IPE جریان الکترونی بیس که برای ترکیب با حفره های ، به می آیند Inco C C BC جریان حامل های اقلیت دیود خاموش Ipco * IPC IE = IPC IPE IPE IE = × α*λ=α IC =αIE + Ico IC = IS e VBE τVT کنترل می شودVBE توسط ولتاژ و در نتیجه افزایش قدرت پرتاب گری می شود C و B تنها منجر به افزایش عرض ناحیه تخلیه بین VCB افزایش که در حقیقت تامین کننده جریان حفره ای است بنابراین VBE توسطIC جریان IC≈ IE ازآنجا که می توان از رابطه زیر استفاده کرد: IC برای محاسبه IC = IS e VBE τVT افزایش می دهدμA در حد ICO تاثیری ندارد و تنها IPC اما روی جریان P N P Ix IPE Ipco Ico IE Inco Ipc جریان حامل های اقلیت 2)حل مساله و محاسبه مجهولات با استفاده از اطلاعات بدیهی قبل از حل مساله جریان ها را نامگذاری کنید * IC IE IB IC IE IB 3)چک کردن صحت فرض با استفاده از مجهول های محاسبه شده 1) حدس اولیه ناحیه کار ترانزیستور مساله : DCتحلیل گام های نواحی کار : 1) خطی _ فعال (تقویت کننده): * اطلاعات بدیهی از این حالت: VBE7/ 0 = IC =IE + Ic و IC =αIE و IC =βIB *مجهولات : VCE یا VCB و IC یا IE * حالت های دیودها : 2) اشباع(سوئیچ): * اطلاعات بدیهی از این حالت: VCE7/ 0 = VBC7/ 0 = VBE8/ 0 = IC =IE + Ic IC یا IE * مجهولات: 3) خاموشی ترانزیستور(سوئیچ): * اطلاعات بدیهی از این حالت: IC یا IE 0≈ *مجهو

  متن بالا فقط قسمتی از محتوی متن پاورپوینت میباشد،شما بعد از پرداخت آنلاین ، فایل را فورا دانلود نمایید 

 


  لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود پاورپوینت:  ................... توجه فرمایید !

  • در این مطلب، متن اسلاید های اولیه قرار داده شده است.
  • به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در پاورپوینت وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید
  • پس از پرداخت هزینه ،ارسال آنی پاورپوینت خرید شده ، به ادرس ایمیل شما و لینک دانلود فایل برای شما نمایش داده خواهد شد
  • در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون بالا ،دلیل آن کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
  • در صورتی که اسلاید ها داری جدول و یا عکس باشند در متون پاورپوینت قرار نخواهند گرفت.
  • هدف فروشگاه جهت کمک به سیستم آموزشی برای دانشجویان و دانش آموزان میباشد .

 



 « پرداخت آنلاین »


دانلود با لینک مستقیم


پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندیBJT 29 اسلاید

دانلود پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی BJT

اختصاصی از یارا فایل دانلود پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی BJT دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی BJT


دانلود پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی BJT

ترانزیستور پیوندی دوقطبی یا بی‌جی‌تی (به انگلیسی: BJT) توعی ترانزیستور است که دارای سه پایه به نامهای بیس (B)، امیتر (E) و کلکتور (C) می‌باشد و چون در این قطعه اثر الکترون‌ها و حفره‌ها هر دو مهم است، به آن ترانزیستور دوقطبی گفته می‌شود و در مقابل ترانزیستورهای تک‌قطبی، مانند ترانزیستور اثر میدان و ترانزیستور اتصال نقطه‌ای، قرار می‌گیرد که تنها یک نوع حامل بار دارند.

ترانزیستور دارای دو پیوندگاه‌است. یکی بین امیتر و بیس و دیگری بین بیس و کلکتور. به همین دلیل ترانزیستور شبیه دو دیود است. دیود سمت چپ را دیود بیس-امیتر یا صرفاً دیود امیتر و دیود سمت راست را دیود کلکتور-بیس یا دیود کلکتور می‌نامند. میزان ناخالصی ناحیه وسط (بیس) به مراتب کمتر از دو ناحیه جانبی است. این کاهش ناخالصی باعث کم شدن هدایت و بالعکس باعث زیاد شدن مقاومت این ناحیه می‌گردد.

امیتر که شدیداً آلائیده شده، نقش گسیل و یا تزریق الکترون به درون بیس را به عهده دارد. بیس بسیار نازک ساخته شده و آلایش آن ضعیف است و بنابراین بیشتر الکترونهای تزریق شده از امیتر را به کلکتور عبور می‌دهد. میزان آلایش کلکتور کمتر از میزان آلایش شدید امیتر و بیشتر از آلایش ضعیف بیس است و کلکتور الکترونها را از بیس جمع‌آوری می‌کند.

محل قرار گرفتن پایه‌ها در هر ترانزیستور ممکن است متفاوت باشد —برای نمونه بیس ممکن است پایهٔ وسط یا کناری باشد— و برای یافتن آن‌ها می‌توان به کتاب‌های اطلاعت ترانزیستور مراجعه کرد. در ترانزیستورهای توان‌بالای صنعتی که به ترانزیستورهای قدرت مشهورند پایهٔ کلکتور اغلب همان بدنهٔ ترانزیستور است.

سطح تماس بین لایهٔ امیتر و بیس نسبت به سطح تماس بین لایهٔ کلکتور و بیس کمتر است. بیشترین حجم بین سه لایه را لایهٔ کلکتور و کمترین حجم را لایهٔ بیس دارد.[۲] مقاومت بین پایه‌های بیس-امیتر از مقاومت بین پایه‌های بیس-کلکتور بیشتر است و از این موضوع می‌توان برای تشخیص پایه‌های ترانزیستور استفاده کرد. ولتاژ سد دیودهای ترانزیستور برای ترانزیستورهای سیلیسیم ۰٫۷ ولت و برای ترانزیستورهای ژرمانیوم ۰٫۲ ولت است.

شکل ظاهری ترانزیستورها با توجه به توان و فرکانس کاریشان متفاوت است. در ترانزیستورهای توان‌بالای صنعتی معمولاً سوراخی روی ترانزیستور قرار دارد که برای پیچ‌شدن ترانزیستور به سطوح فلزی هیت‌سینک به کار می‌رود که این کار موجب خنک‌شدن ترانزیستور می‌گردد. اما ترانزستورهایی که در مدارهای معمولی و برای فرکانس‌های بالا ساخته می‌شوند معمولاً این سوراخ را ندارند.

 

 

 

فایل پاورپوینت 29 اسلابد


دانلود با لینک مستقیم


دانلود پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی BJT

مدلسازی تحلیلی اثرات کانال کوتاه در ترانزیستورهای با گیت دو مادهای احاطه شده در شرایط زیر آستانه

اختصاصی از یارا فایل مدلسازی تحلیلی اثرات کانال کوتاه در ترانزیستورهای با گیت دو مادهای احاطه شده در شرایط زیر آستانه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مدلسازی تحلیلی اثرات کانال کوتاه در ترانزیستورهای با گیت دو مادهای احاطه شده در شرایط زیر آستانه


مدلسازی تحلیلی اثرات کانال کوتاه در ترانزیستورهای با گیت دو مادهای احاطه شده در شرایط زیر آستانه

مقالات علمی پژوهشی برق با فرمت           Pdf           صفحات  15

چکیده:
در این مقاله با استفاده از مدل پتانسیل دو بعدی بدست آمده و بر اساس مدل تحلیلی ولتاژ آستانه به عنوان ولتاژ گیتی که در اثر آن وارونگی
حاملها در کانال رخ میدهد , به بررسی برخی آثار کانال کوتاه پرداخته شده است. از جمله مهمترین اثرات کانال کوتاه در ترانزیستور
ماسفت با گیت دومادهای احاطه شده , تغییرات ولتاژ آستانه، کاهش سد پتانسیل با القای درین و شیب زیر آستانه است. مدلسازی اثرات
کانال کوتاه بر مبنای مفهوم کاتد مجازی و در شرایط کاری زیر آستانه انجام گرفته است. به عبارتی کاتد مجازی صفحهای در امتداد طول
کانال است که مینیمم پتانسیل درآن اتفاق میافتد.در این ساختارها به دلیل دومادهای بودن گیت و احاطه شدن کامل کانال با گیت , کنترل
مطلوبی روی آثار کانال کوتاه خواهیم داشت.در پایان تطبیق مناسب بین نتایج شبیهسازی و مدلهای ارائه شده , صحت مدلها را
تائید میکند.
واژگان کلیدی: اثرات کانال کوتاه، کاهش ولتاژ آستانه ، کاهش سد پتانسیل با القای درین ، شیب زیر آستانه

 


دانلود با لینک مستقیم


مدلسازی تحلیلی اثرات کانال کوتاه در ترانزیستورهای با گیت دو مادهای احاطه شده در شرایط زیر آستانه

پاورپوینت کامل با عنوان آموزش ترانزیستورهای BJT در 49 اسلاید

اختصاصی از یارا فایل پاورپوینت کامل با عنوان آموزش ترانزیستورهای BJT در 49 اسلاید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پاورپوینت کامل با عنوان آموزش ترانزیستورهای BJT در 49 اسلاید


پاورپوینت کامل با عنوان آموزش ترانزیستورهای BJT در 49 اسلاید

 

 

 

 

 

 

ترانزیستور پیوندی دوقطبی یا بی‌جی‌تی (به انگلیسی: BJT) توعی ترانزیستور است که دارای سه پایه به نامهای بیس (B)، امیتر (E) و کلکتور (C) می‌باشد و چون در این قطعه اثر الکترون‌هاو حفره‌ها هر دو مهم است، به آن ترانزیستور دوقطبی گفته می‌شود و در مقابل ترانزیستورهای تک‌قطبی، مانند ترانزیستور اثر میدان و ترانزیستور اتصال نقطه‌ای، قرار می‌گیرد که تنها یک نوعحامل بار دارند.

ترانزیستور دارای دو پیوندگاه‌است. یکی بین امیتر و بیس و دیگری بین بیس و کلکتور. به همین دلیل ترانزیستور شبیه دو دیود است. دیود سمت چپ را دیود بیس-امیتر یا صرفاً دیود امیتر و دیود سمت راست را دیود کلکتور-بیس یا دیود کلکتور می‌نامند. میزان ناخالصی ناحیه وسط (بیس) به مراتب کمتر از دو ناحیه جانبی است. این کاهش ناخالصی باعث کم شدن هدایت و بالعکس باعث زیاد شدن مقاومت این ناحیه می‌گردد.

امیتر که شدیداً آلائیده شده، نقش گسیل و یا تزریق الکترون به درون بیس را به عهده دارد. بیس بسیار نازک ساخته شده و آلایش آن ضعیف است و بنابراین بیشتر الکترونهای تزریق شده از امیتر را به کلکتور عبور می‌دهد. میزان آلایش کلکتور کمتر از میزان آلایش شدید امیتر و بیشتر از آلایش ضعیف بیس است و کلکتور الکترونها را از بیس جمع‌آوری می‌کند.

محل قرار گرفتن پایه‌ها در هر ترانزیستور ممکن است متفاوت باشد —برای نمونه بیس ممکن است پایهٔ وسط یا کناری باشد— و برای یافتن آن‌ها می‌توان به کتاب‌های اطلاعت ترانزیستور مراجعه کرد. در ترانزیستورهای توان‌بالای صنعتی که به ترانزیستورهای قدرت مشهورند پایهٔ کلکتور اغلب همان بدنهٔ ترانزیستور است.

سطح تماس بین لایهٔ امیتر و بیس نسبت به سطح تماس بین لایهٔ کلکتور و بیس کمتر است. بیشترین حجم بین سه لایه را لایهٔ کلکتور و کمترین حجم را لایهٔ بیس دارد. مقاومت بین پایه‌های بیس-امیتر از مقاومت بین پایه‌های بیس-کلکتور بیشتر است و از این موضوع می‌توان برای تشخیص پایه‌های ترانزیستور استفاده کرد. ولتاژ سد دیودهای ترانزیستور برای ترانزیستورهای سیلیسیم ۰٫۷ ولت و برای ترانزیستورهای ژرمانیوم ۰٫۲ ولت است.

BJT NPN symbol (case).svg

شکل ظاهری ترانزیستورها با توجه به توان و فرکانس کاریشان متفاوت است. در ترانزیستورهای توان‌بالای صنعتی معمولاً سوراخی روی ترانزیستور قرار دارد که برای پیچ‌شدن ترانزیستور به سطوح فلزی هیت‌سینک به کار می‌رود که این کار موجب خنک‌شدن ترانزیستور می‌گردد. اما ترانزستورهایی که در مدارهای معمولی و برای فرکانس‌های بالا ساخته می‌شوند معمولاً این سوراخ را ندارند.

فهرست مطالب:

مقدمه

ساختار ترانزیستور BJT

طرز کار ترانزیستور NPN در ناحیه فعال

عبور جریان

جریان کلکتور

جریان بیس

جریان امیتر

مدل ترانزیستور در ناحیه فعال

ساختار ترنزیستور

علائم مداری

ولتاژ لازم برای بایاس

مثال

نمایش گرافیکی مشخصه ترانزیستور

رابطه جریان و ولتاژ کلکتور

مدار معادل در آرایش امیتر مشترک

نواحی کاری ترانزیستور

ترانزیستور در ناحیه قطع

ترانزیستور در ناحیه اشباع

ترانزیستور BJT به عنوان تقویت کننده

بایاس تقویت کننده امیتر مشترک

منحنی مشخصه تقویت کننده امیتر مشترک

گین تقویت کننده

مثال

ترانزیستور BJT به عنوان سوییچ

مثال

مراحل آنالیز DC ترانزیستور

مثال

شباهت های BJT و CMOS

و...


دانلود با لینک مستقیم


پاورپوینت کامل با عنوان آموزش ترانزیستورهای BJT در 49 اسلاید