لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه98
مقدمه :
یون گیری واکنشی- PECVD- Ashing- پراکنده کردن مایعات- شیمی پلاسمایی- فیزیک پلاسما- عکس العمل سطوح نسبت به یکدیگر
سخنران: Herbert H.Sawin
پروفسور مهندسی شیمی و مهندسی برق و علوم کامپیوتر از مؤسسه علم و صنعت ماساچوست (MIT)، شهر کمبریج، MA
پیشنهادهای فهرست شدة سمینار: July 8-12,2002کمبریج، ماساچوست
- ارزیابی های سمینار
- معرفی سمینار
- طرح کلی سمینار
- شرح حال و تحقیقات جاری هرب ساوین
- زمینه ها و خصوصیات خواسته شده از ثبت نام کنندگان
- روند کار و نوع سمینار
- اطلاعات برای ذخیره جا در هتل
- اطلاعات ثبت نام
- آموزش در سایت
- یادداشتهای نمونه سمینار
- مقالات اخیر ساوین
- تماس ها برای سوالات
- ثبت نام در وب سایت
- اطلاعات ناحیة بوستون
- سوابق آقای ساوین
1-معرفی
- فیزیک پلاسما
- فرآیند ریزالکترونیک
2-سیفتیک گازی (Gas Kinetics)
- مدل سیفتیک گازی
- مدل توزیع ماکسول- بولتزمن
- مدل گازی ساده شده
- محتوای انرژی
- نرخ برخورد بین مولکولها
- مسیر آزاد
- سیالیت عددی ذرات گاز روی یک سطح
- فشار گازی
- خواص انتقال
- جریان گاز
- وضعیت سیال
- رسانایی رساناها
- احتمال برخورد
- پراکندگی گاز- گار
- پراکندگی ذره از یک آرایش ثابت
- انتشار ارتجاعی
- برخورد غیر ارتجاعی
- نمونه های فرآیندهای برخورد غیر ارتجاعی
- عکس العمل های فاز- گازی
3-فیزیک پلاسما
- توزیع انرژی الکترونی
- سینتیک همگونی پلاسما
- مدل توزیع (مارجینوا)
- مدل توزیع (دروی وشتاین)
- انتقال ذره باردار شده و باردار شدن فضایی
- سینتیک گاز رقیق شده
- شکافت انتشار دو قطبی
- تجمع غلاف
- سینتیک سادة غلاف
- حفاظت یا پوشش «دیبای»
- تجمع غلاف و آزمایش بوهم (Bohm)
- آزمایش غلاف بوهم
- خصوصیات میلة آزمایش
- شکست و نگهداری، تخلیة rf
- تقریب میدان مشابه
- تقریب میدان غیرمشابه
- مدل سازی ئیدرودینامیک خودساختة تخلیة rf
- اندازه گیری تخریب rf
- مدل توازن الکترونیکی
- مقایسة تخریب rf اندازه گیری شده و محاسبه شده
- ارائه مدل به سبک مونت کارلوی تخلیة rf
- خود با یا سنیگ rf (تجمع خودبخودی rf)
- سیستم همگن (متقارن)
- توزیع ولتاژ در سیستم rf
- توزیع ولتاژ در پلاسمای خازنی rf متقارن و غیر متقارن
- مدار معادل تخلیة rf
- تنظیم الکترودها
- سینتیک بمباران یونی
- تخلیة اپتیکی
- لم اندازه گیری حرکت
- ریزنگاری تخلیة اپتیکی
- فرآیند برخورد الکترون
- برخورد الکترونی اکسیژن در پلاسما
4-تخلیه های مدار مستقیم (DC)
- امیژن ثانویه الکترون در بمباران یونی
- بمباران خنثی امیژن ثانویه
- عمل فتوامیژن الکترونهای ثانوی
- ناحیة کاتدی
- یونیزاسیون در غلاف
- توزیع انرژی یونها
- الکترونهای اشعه ای (الکترونهای سریع)
- ناحیة آند
- مدل سازی پلاسمایی DC
5-تخلیه های Rf
- فیزیک پلاسمای rf خازنی
- فیزیک تخلیه RF که بصورت القایی فردوج شده اند.
- فیزیک تخلیه رزونانس الکترون- سیلکوترون
- فیزیک تخلیة هلیکون
پیکره بندی و سخت افزار رآکتور
- همگن کردن شبکه ها و تنظیم کننده ها
- شبکه های الکترونیکی همسان ساده شده
- تنظیم کننده های موج کوتاه
- رآکتورهای لوله ای
- رآکتورهای صفحه موازی (دیودی)
- رآکتورهای صفحه موازی نامتقارن
- گیرندگان یون واکنشی
- گیرندگان واکنشی یون که بطور مغناطیسی افزایش یا رشد یافته اند.
- گیرندگان اشعه یون واکنشی
- بایاسینگ جریان مستقیم در گیرندگان نمادین
- گیرندگان دیودی ارتجاعی
- رآکتورهای تریودی
- بایاسینگ Rf
- محدود کردن مغناطیسی چند قطبی
- منابع پلاسمای غیر قابل دسترسی
- ECR توزیع شده
- منابع در حال جریان نزولی
- ماگنترولها
- مونتاژ کردن لایه لایه ای
- تبرید برگشتی هلیوم
- محکم کاری الکترواستاتیک
- جستجوی نقطة نهایی
- تجزیه و تحلیل تخلیة اپتیکی
- ثبت حرکات تداخلی
- ثبت لیزری امواج یا حرکات تداخلی
- مونیتورینگ یا مشاهده امپدانسی
- فاز گازی
- تولید اتم اکسیژن
- بارگزاری رآکتورها
- واکنشهای سطحی
- شیمی لایه هایی که خود بخود واکنش دارند.
- ارتقاء پلمیری
- سینتیک مواد نشتی یا رطوبت ده
- الکترون گیری شیمیایی فزاینده یونی
- اتمهایی که با گرفتن یون ارتقاء پیدا می کنند مثل Cl و Cl+
- پراکندگی و جایگزی حاصل الکترون گیری مثل
- مدلهای سینتیک الکترون گیری پلی سیلیکون
- الکترونگیری پلی سیلیکون مرتب شده
- الکترون گیری اکسید که توسط یون زیاد شده
- الکترون گیری ضد نور که توسط یون زیاد شده
- مقایسه مواد شیمیایی ارتقاء یافته با یون و بستهای الکترون گیری خود بخود شیمیایی.
- توده نگاری میکروسکوپی
- میلة آزمایش لانگ میر
- فلورسنت القایی با لیزر
- تحلیل امپدانس پلاسمایی
- ثبت تداخل با لایه های کاملاً چسبیده
طیف نگاری تخلیه اپتیکی
8-الکترون گیری جلوه ها
- ده مبارزه برتر الکترون گیری
- مکانیزمهای گسترش مقطعی
- جهت دار شدن بمباران یونی از پلاسما
- پراکندگی یونی در جوله های خاص
- تغییر سطوح در جلوه های ویژه
- الکترون دهی و الکترون گیری با پراکندگی
- اتم گیری با القاء یونی
- اتم گیری خودبخود
- جابجایی نمونه ها و فعال ها از پلاسما
- جابجایی مجدد بوسیلة خط دید تولیدات
- شکست
- جاذبة بالقوة تصویر با دیواره های هدایت پذیر (رسانا)
- نسبت منظری الکترون گیری وابسته
- تجمع نامتقارن در الکترون گیری پلی سیلیکونی و فلزات
9-مدل سازی سه بعدی از عوارض زمین و عوارض جغرافیایی
- مدل سازی سطحی ساده شده
- خصوصیات شبیه ساز مونت کارلو
- مصرف جذب شدن در سطوح عمل متقابل به هم در سطوح
- پراکندگی یکنواخت و غیریکنوخت
- انتشار فیزیکی و الکترون گیری با یون فزاینده
- پراکندگی از قسمت سطح منبع
- ارتقاء کیفیت سطحی
- مقایسة نتایج آزمایشی و مدل سازی
- تجمع شکافتهای میکروسکوپی به وسیلة پراکندگی یونها
- پراکندگی یونی
- جهت دار شدن یونی
- زاویة ماسک
- ترکیب مجدد سطحی
- جابجایی از پلاسما
- تأثیر تغییر مکان بر وضع ظاهری
- خشن کردن سطوح در حین اتم گیری
10-تخریب پلاسما
- آلودگی
- خصوصیات منحصر به فرد
- تخریب دروازه با اکسید شدن- ذرات پوز
- تخریب دروازه با اکسید شدن- فشار الکتریکی
تحقیق در مورد یون گیری واکنشی
