نوع فایل: ppt _ pptx ( پاورپوینت )
( قابلیت ویرایش )
قسمتی از اسلاید :
تعداد اسلاید : 11 صفحه
حافظه داخلی حافظه حافظه سیستم، مکانی است که در آنجا کامپیوتر برنامه‌های جاری و داده‌های مورد استفاده را نگهداری می‌نماید و به دلیل قدرتمند شدن دائمی نرم‌افزارها، حافظه سیستم با گام‌های پرشتاب، رو به افزایش است.
ذخیره و بازیابی داده‌ها از یک بلوک بزرگ حافظه زمان بسیار بیشتری را نسبت به یک بلوک کوچک می‌طلبد.
با یک حجم وسیعی از فضای حافظه اصلی بسیار زیاد میباشد و این امر، منجر به ایجاد لایه‌های اضافی کاشه در سلسله مراتب حافظه می‌گردد.
هنگامی که بحث سرعت دسترسی به حافظه مطرح می‌شود، همواره یک شکاف رو به افزایش بین پردازنده‌ها و تراشه‌های حافظه وجود دارد.
این بدان معناست که پردازنده‌ها دائماً با زمان انتظار بیشتر برای خواندن و نوشتن داده‌ها روی حافظه اصلی مواجه هستند.
یک راه حل، استفاده از حافظه کاشه بین حافظه اصلی و پردازنده و نیز استفاده از سیستم‌های الکترونیکی هوشمندتر برای تضمین این که ملزومات داده‌ای پردازنده از قبل در حافظه کاشه قرار می‌گیرد.
حافظه اصلی در سلسله مراتب حافظه، سطح سوم حافظه اصلی سیستم، Ram میباشد.
حافظه منبع موقتی نگهداری داده‌ها بوده و محیط حافظه اصلی قابل دسترسی توسط دیسک سخت میباشد.
این حافظه به عنوان حافظه میانی بین دیسک سخت و پردازنده بکار می‌رود.
هرچه داده‌های بیشتری را بتوان در داخل حافظه Ram ذخیره نمود، سرعت اجرای PC افزایش خواهد یافت.
حافظه اصلی از طریق باس‌های آدرس و داده به پردازنده منتقل می‌شود.
هر باس دارای یک تعداد مدار الکتریکی یا بیت است.
هر مبادله داده بین CPU و حافظه، یک سیکل باس نام دارد.
تعداد بیت‌های داده‌ای که یک CPU در طی یک سیکل باس واحد قادر به انتقال میباشد، روی عملکرد کامپیوتر تاثیر می‌گذارد.
حافظه اصلی از تراشه‌های DRam (دینامیکی) یا زم‌دینامیکی تشکیل می‌شود.
[1] DRam تراشه‌های DRam آرایه‌های مستطیل شکل بزرگی از سلول‌های حافظه اصلی با مدارهای منطقی پشتیبان هستند که برای خواندن و نوشتن داده‌ها در داخل آرایه‌ها مورد استفاده قرار می‌گیرند.
همچنین از یک مدار بازسازی داده‌ها برای حفظ جامعیت داده‌های ذخیره شده استفاده می‌گردد.
FPM DRam در DRam استاندارد که با زمان دسترسی 60 یا 70 نانوثانیه عرضه می‌شوند، خواندن داده‌ها توسط واحد مدیریت حافظه ابتدا با فعال کردن سطر متناظر از آرایه، سپس فعال کردن ستون مناسب ارزشیابی و انتقال داده‌ها انجام می‌شود.
سپس ستون مورد نظر نیز فعال شده که باعث wait state ناخواسته می‌شود که CPU باید منتظر بماند تا حافظه کار انتقال را به پایان برساند.
EDO DRam در سرعت‌های 50.60.70 نانوثانیه عرضه می‌شود.
حافظه‌های EDO DRam نیازی به غیرفعال شدن ستون و خاموش شدن بافر خروجی بیش از آغاز انتقال داده بعدی ندارد و قادر است تا 27% خواندن حافظه را سریعتر از FPU DRam انجام دهد.
BDEO DRam این نوع تکامل EDO DRam است که در آن، از EDO, FPU استفاده می‌کند و پیش از آنکه کنترلر بتواند داده‌ها را برای آغازگر بفرستد، بایستی منتظر آماده شدن آنها بماند.
BEDO این wait state را برطرف نموده و در نتیجه، عملکرد سیستم را تا 100% نسبت به RFPU و 50% بیشتر از EDO استاندارد بهبود می‌بخشد.
SD Ram حافظه
متن بالا فقط قسمتی از محتوی متن پاورپوینت میباشد،شما بعد از پرداخت آنلاین ، فایل را فورا دانلود نمایید
لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود پاورپوینت: ................... توجه فرمایید !
- در این مطلب، متن اسلاید های اولیه قرار داده شده است.
- به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در پاورپوینت وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید
- پس از پرداخت هزینه ،ارسال آنی پاورپوینت خرید شده ، به ادرس ایمیل شما و لینک دانلود فایل برای شما نمایش داده خواهد شد
- در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون بالا ،دلیل آن کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
- در صورتی که اسلاید ها داری جدول و یا عکس باشند در متون پاورپوینت قرار نخواهند گرفت.
- هدف فروشگاه جهت کمک به سیستم آموزشی برای دانشجویان و دانش آموزان میباشد .
« پرداخت آنلاین »
پاورپوینت حافظه داخلی