دانلود تحقیق کمک پایان نامه با موضوع تحول بیان سینمایی
اختصاصی از یارا فایل دانلود تحقیق کمک پایان نامه با موضوع تحول بیان سینمایی دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .
دانلود تحقیق کمک پایان نامه با موضوع تحول بیان سینمایی که شامل 48 صفحه میباشد:
نوع فایل : Word
فهرست محتوا
- تحول بیان سینمایی
- مقدمه
- سینما در آغاز 1895 یک هنر نبود – دو سه دهه طول کشید تا شکل‌ها، سبک ها و روش های بیانی آن توسط فیلمسازان مختلفی در اروپا و آمریکا تدریجاً تجربه، کشف و ابتکار شود و هنر هفتم بوجود بیاید و سینما را مقارن با آخرین سالهای دهه 1920 و تقریباً همزمان با تبدیل سینمای صامت به ناطق در زمره هنرها جا دهد. در واقع به تدریج منتقدان و هنرمندان سایر رشته ها نگاهشان به سینما به عنوان یک هنر بدیع که می تواند با ادبیات، تئاتر، موسیقی و نقاشی برابری کند معطوف شد. گرچه فیلم های صامت و سیاه و سفید هم قادر به پوشش حوزه وسیعی از بیان سینمایی هستند ولی پیدایش صدا، یک همه بعد پیدایش رنگ، و در 1950 پرده عریض این تحول را پرشتاب تر و پیچیده تر کردند و وسعت و عمق بیشتری به هنر سینما دادند و امکانات بیانی بیشتری فرا پیش گذاشتند.
- ویژگی های بنیادی سینما به لحاظ یک وسیله بیان
- 1- حرکت:
- 2- شرایط روانی و فضایی دیدن فیلم:
- 2- واقعگرایی
- اوتینیگ
- واژه مونتاژ
- تدوین
- 1- ردیف کردن یا Asembly
- 2- برش ابتدایی یا Roughcut
- 3- تدوین نهایی یا Fine cut
- فواید و کاربردهای تدوین
- ساختار
- سیستم چیست؟
- ویژگی های نما بر حسب شاخص بزرگنمایی انسان
- صحنه (Scene)
- تداوم
- تداوم و زمان
- زمان درونی
- زمان برونی
- 1- نمای پوششی Cover shot (پوشش رویداد نه پوشش قاب)
- 2- نمای منطبق Match shot Match cut یا Matching cut
- 3- Cut away = برون برشی جزء متفاوتی از یک عمل مداوم در یک صحنه
- 4- اینترکات = = inter cut میان برشی ـ ارجاع به پیشرفت موازی یک رویداد دیگر
- 5- نمای واکنش ReAction shot نمای عکس‌العمل
- 6- اینسرت ها
- EstabLishing shot - نمای معرف
- 2- خطر فرضی
- سکانس مونتاژی چیست؟
- رابطه برش و حرکت
- برش تطبیقی یا برش تطابقی Match cut
- * دو نکته مهم در Match cut
- واحد اصلی تداوم؟
- صحنه
- برش در آغاز حرکت
- * پرش در پایان حرکت :
- برش روی حرکت دوربین
- اصول مکانیکی تداوم
- 1- تداوم زمانی – زمانبندی
- 2- تداوم مکانی – فضایی
- 3- تداوم جهت (جهت نگاه، جهت حرکت، ورود و خروج)
- 4- حفظ تداوم فوری و رنگی (نور سایه، رنگ، کنتراست)
- * 1- نور اصلی و جهت و زاویه تابش آن
- 5- حفظ تداوم صوتی
- 1- صدای زمینه – فون – آبیانس
پهنه بندی شدت فرسایش حوزه آبخیز زنجانرود به کمک مدل EPM در محیط GIS
اختصاصی از یارا فایل پهنه بندی شدت فرسایش حوزه آبخیز زنجانرود به کمک مدل EPM در محیط GIS دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .
پهنه بندی شدت فرسایش حوزه آبخیز زنجانرود به کمک مدل EPM در محیط GIS
کمک های اولیه در روستاها 30 ص
اختصاصی از یارا فایل کمک های اولیه در روستاها 30 ص دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .
30 ص
دانلود پایان نامه کامل در مورد کنترل دسترسی به کمک تکنولوژی RFID (تعداد صفحات 52)
اختصاصی از یارا فایل دانلود پایان نامه کامل در مورد کنترل دسترسی به کمک تکنولوژی RFID (تعداد صفحات 52) دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .
به کمک دانش کسب شده در این پروژه می توان کاربرد های زیر را در قالب پروژه های سخت افزاری و نرم افزاری جدید تدوین کرد : کنترل موجودی کتابخانه – انبار داری و کنترل موجودی قطعات و تجهیزات – کنترل نامحسوس عناصر نگهبانی و حراست – کنترل تردد خودرو و اتوماسیون پارکینگ – نرم افزار کارت خوان کنترل تردد پرسنل
تکنولوژی RFID : 125 KHz – Read only – فرکانس Carrier 125 KHz – Contactless smart card – پشتیبانی از کارت Passive
پایگاه داد ها : 16 Card supported
تکنولوژی برنامه نویسی : زبان C – کامپایلر CodeVision AVR
کاربرد ها : کنترل ورود و خروج پرسنل – ثبت وگزارش گیری اطلاعات ورود و خروج در پایگاه داده
قابلیت ها : حذف و اضافه کردن کارت به سیستم – حذف تمامی کارت به صورت یکجا – امکان اتصال به پایگاه داده از طریق پورت USB
قابلیت های آینده : امکان اتصال به شبکه داخلی
زمانبندی و مراحل تولید : نیاز سنجی : 10 روز – تحقیقات اولیه : 25 روز – مطالعه بازار: 5 روز – طراحی و تولید نمونه اولیه : 30 روز – اصلاحات و تولید نمونه دوم : 12 روز – تست نهایی : 7 روز
فهرست :
معرفی پروژه
تکنولوژی RFID
تکنولوژی برنامه نویسی
کاربردها و قابلیت ها
قابلیت های آینده
زمانبندی و مراحل تولید
کاربردها و قابلیت های قابل راه اندازی
کنترل موجودی کتابخانه
انبار داری و کنترل موجودی قطعات و تجهیزات
کنترل نامحسوس عناصر نگهبانی و حراست
کنترل تردد خودرو و اتوماسیون پارکینگ
نرم افزار کارت خوان کنترل تردد پرسنل
هزینه تمام شده واحد محصول کنترل دسترسی
فهرست قطعات (Bill of Material)
شماتیک RFID Reader
شماتیک Master Module
کد برنامه
RFID چیست؟Radio Frequency Identification ) )
فناوری ها Auto ID
تاریخچه RFID
مقاسیه RFID با سیستم بارکد
مقاسیه آماری سیستم بارکد و RFID
اجزاء یک سیستم RFID
RFID چگونه کار می کند ؟
تگ های RFID
تگ های فعال (Active) در مقابل تگ های غیرفعال
تگ های هوشمند ( با قابلیت خواندن و نوشتن ) در مقابل تگ های فقط خواندنی
حافظه فقط خواندنی
تگ هایی از نوع RW
اندازه و شکل تگ ها
طیف فرکانس
باندهای فرکانس پایین RFID
باندهای فرکانس بالا RFID
پروتکل ارتباطی مابین کارت و ریدر
مقایسه انواع فرکانس های RFID
برخی از کاربرد های کنترل دسترسی کارکنان
پیوست
Data Sheet tag EMDS
Data Sheet IC reader EM_DS
Data Sheet usb DS_FTR
منابع
طراحی ترانزیستورهای ماسفت سرعت بالا با کمک پیوند سورس کانال ناهمگون
اختصاصی از یارا فایل طراحی ترانزیستورهای ماسفت سرعت بالا با کمک پیوند سورس کانال ناهمگون دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .
چکیده
فناوری Si CMOS به دلیل مصرف توان پایین، تراکم بالای تراشه ها، نویز پایین و قابلیت اطمینان به عنوان فناوری غالب در عرصه VLSI شناخته شده است. در گذشته تحقیقات گسترده بر روی سیلیسیم تحت کرنش رشد چشم گیری یافته است. در این پایان نامه، ساختار جدیدی معرفی می گردد که محدودیت قاعده مقیاس بندی را از طریق تلفیق کرنش با مهندسی زیرنوار، تا حدود زیادی مرتفع می سازد. این ساختار ترانزیستور MOSFET با کانال کرنش یافته و پیوند ناهمگون در سورس می باشد.
افزاره مورد بررسی، عملکرد بهتر و سرعت بالایی نسبت به افزاره های CMOS توده ای دارد. علاوه بر این، فرایند ساخت این افزاره با فناوری ساخت CMOS کاملا منطبق می باشد و در تمامی حوزه هایی که افزاره های توده ای قابل استفاده هستند، کاربرد دارد.
تحلیل های عددی نشان می دهند که استفاده از کرنش و پیوند ناهمگون در ساختار این ترانزیستور، موجب بهبود قابلیت حرکت حامل ها، افزایش جریان حالت روشنی و هدایت انتقالی و نیز بهبود مشخصات DC افزاره می گردد. از جمله مشکلاتی که در این افزاره وجود دارد، نشتی تونل زنی نوار به نوار به دلیل استفاده از ماده SiGe می باشد که به افزایش جریان حالت خاموشی در این افزاره منجر می گردد و علی رغم جریان راه انداز بالا، موجب محدودیت در استفاده از این افزاره برای کاربردهای توان پایین می شود. جهت رفع این عیب برای اولین بار از ساختار اکسید نامتقارن و مهندسی زیر نوار برای کاهش جریان نشتی در این افزاره استفاده شده است. ساختار پیشنهاد شده، 93% کاهش در جریان حالت خاموشی ایجاد کرد. همچنین به منظور افزایش بیشتر جریان حالت خاموش، ساختار SHOT دو گیتی پیشنهاد شد که جریان راه انداز آن تقریبا دو برابر SHOT تک گیتی می باشد. جهت کاهش جریان نشتی افزاره SHOT دو گیتی از ایده اکسید گیت نامتقارن و مهندسی تابع کار استفاده شده است. ساختار پیشنهاد شده 90% کاهش در جریان نشتی ایجاد نموده است.
همچنین با در نظر گرفتن تاثیرات مهمی که اثرات خودگرمایی در کاهش جریان افزاره و بروز پدیده مقاومت منفی دارد، ساختار MOSFET با پیوند ناهمگون در سورس با ساختار عایق چند لایه ای پیشنهاد شد. ساختار پیشنهادی، دمای افزاره در کانال را کاهش می دهد و مشخصه جریان خروجی ترانزیستور را بهبود می بخشد.
مقدمه
افزون بر 20 سال است که صنعت میکرو الکترونیک کمابیش همگام با قاعده مور پیش می رود. اعمال قاعده مقیاس بندی در فناوری CMOS منجر به بهبود چگالی افزاره ها، بهبود عملکرد و کاهش هزینه ساخت آنها گردیده است. با ادامه قاعده مقیاس بندی در مدارات مجتمع با این سوال مواجه می شویم که آیا صنعت میکروالکترونیک به حد نهایی مقیاس بندی رسیده است یا نه؟ از جمله مشکلات قابل ذکر که فناوری CMOS در مسیر مقیاس بندی در رژیم زیر 100 نانومتر با آن مواجه می باشد، می توان به اثرات کانال کوتاه، توان مصرفی، ولتاژ آستانه، اثرات میدان بالا، مشخصه های اکسید گیت، تاخیرهای اتصالات داخلی و نقش نگاری اشاره نمود. در فناوری Si CMOS افزایش تراکم ناخالصی کانال برای محدود کردن اثرات کانال کوتاه صورت می گیرد ولی متاسفانه این امر به کاهش قابلیت حرکت و تقویت جریان نشتی منتهی می گردد. برای رفع این مشکل SOI MOSFET های فوق العاده نازک طراحی شده اند که از مزایای زیر برخوردارند:
1) عدم نیاز به آلایش و یا نیاز به آلایش کم کانال در این افزاره ها، مشکل اثر کانال کوتاه را رفع می نماید.
2) کاهش پراکندگی کولمبی و میدان موثر عمودی به ارتقا قابلیت حرکت حامل ها در کانال SOI MOSFET ها منتهی شده و خازن پارازیتی پیوند سورس / درین کاهش می یابد.
3) فرایندهای جداسازی ساده مانند فناوری mesa به راحتی به فرایند ساخت این افزاره ها قابل اعمال می باشد.
4) مشکل نوسانات کوچک ولتاژ آستانه، به دلیل تراکم پایین ناخالصی های کانال مرتفع می شود.
با وجود تمام مزایای ذکر شده، قابلیت حرکت حامل ها و بالاخص قابلیت حرکت حفره ها در لایه وارون کانال سیلیسیم توده ای در SOI MOSFET ها در مقایسه با دیگر نیمه هادی ها مانند Ge و GaAs کاملا پایین می باشد. این امر موجب محدودیت در سرعت کلیدزنی افزاره های CMOS زیر 100 نانومتر می گردد. بنابراین استفاده از روش هایی مانند اعمال کرنش به سیلیسیم معمولی جهت افزایش قابلیت حرکت حفره ها و یا استفاده از موادی که خصوصیات انتقال بهترین نسبت به سیلیسیم معمولی دارند، به دو دلیل ممکن است راه حل مناسبی باشد. در اثر رشد چاه های کوانتومی Si/Ge در کانال، کرنش مابین لایه های سیلیسیم و سیلیسیم ژرمانیم شکل می گیرد؛ در این راستا، قابلیت حرکت الکترون ها و حفره ها حداقل تا میزان دو برابر افزایش می یابد. بنابراین Strained Si MOSFET از ساختارهایی هستند که در آنها قابلیت حرکت الکترون ها و حفره ها بالا می باشد علاوه بر این، حامل های محبوس در چاه کوانتومی، از پراکنش ناخالصی های یونیزه شده در مقایسه با سامانه ماده Si/SiO2 به میزان زیادی جلوگیری می نماید. سامانه Si/Ge با کمک به افزایش جریان راه انداز موجب کاهش زمان های تاخیر اتصالات داخلی می شود. برای یاری جستن از مزایای توام فناوری SOI MOSFET و strained Si MOSFET ترکیب جدیدی از MOSFET ها تحت عنوان Strained SOI MOSFET پدید آمده اند.
تعداد صفحه : 125