ساخت VCO با L و C ساخته شده با RF MEMS

اختصاصی از یارا فایل ساخت VCO با L و C ساخته شده با RF MEMS دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

چکیده

در این پایان نامه مزایای عناصر RF MEMS در طراحی یک VCO با توپولوژی مکمل به کار گرفته می شود تا یک نوسان ساز با توان مصرفی کم، بازه تنظیم زیاد، نویز فاز کم و دامنه مناسب ولتاژ خروجی طراحی شود. معمولا رسیدن به همه این اهداف به طور همزمان مشکل است اما سلف و خازن RF MEMS که طی عملیات میکرو ماشین کاری بعد از ساخت مدارات CMOS ساخته می شوند، ضریب کیفیت مناسبی در فرکانس های بالا دارند که رسیدن به همه اهداف فوق را میسر می کنند.

در طراحی اول بازه تنظیم 1/71~2/17 GHz است. توان مصرفی 4/82mW است. نویز فاز در فرکانس مرکزی برابر با – 125/1dBc  /Hz@1MHz است.

در طراحی دوم بازه تنظیم 2/04~2/54 است. توان مصرفی 4/57mW است. نویز فاز در فرکانس مرکزی برابر با -125/6dBc /Hz@1MHz است.

ضمنا به جهت آنکه فرآیند ساخت خازن MEMS در فرآیند استاندارد CMOS عملی باشد از نوع ساخته شده ای استفاده می گردد که در منبع [12] آمده است. این کار به جهت اطمینان خاطر از عملی بودن ساخت تمامی عناصر این VCO است. ترانزیستورهای MOS به کار رفته منطبق با تکنولوژ 18 میکرومتر بوده و همه از نوع RF هستند.

مقدمه

VCO یکی از بخش های مهم مدارات RF در بخش گیرنده و فرستنده است. با ورود فرکانس های بالاتر از چند گیگاهرتز در ارتباطات و شبکه های بی سیم، اهمیت این عنصر بیش از پیش شده است. از طرف دیگر برای کوچک سازی وسایل ارتباطی، طراحان مدارات RF به سوی یک پارچه سازی همه عناصر در یک تراشه گام برداشته اند. محدودیت های توان و کیفیت بالا از ضروریاتی است که در یک پارچه سازی مدارات باید در نظر داشت. RF MEMS یکی از راه های جدید و مناسب برای یکپارچه سازی و توان مصرفی کم است که مدنظر طراحان قرار گرفته است و توان بالقوه و بالفعل برای بالاتر بردن کیفیت ارتباطات بی سیم را دارد. در این راستا به یکی از کاربردهای RF MEMS برای طراحی VCO در این پایان نامه خواهیم پرداخت.

در فصل اول به مبانی نوسان و نوسان سازها خواهیم پرداخت و آنچه که برای درک و تحلیل VCO است را بیان خواهیم کرد. در فصل دوم به نویز فاز می پردازیم و به واسطه اهمیت نویز فاز در VCO مبانی تئوری آن را بیان خواهیم کرد تا شناخت کافی از آن پیدا کنیم. در فصل سوم عملکرد یک خازن MEMS را تشریح خواهیم کرد و یک مدل الکتریکی از آن را بیان می کنیم. در همین فصل سلف MEMS را نیز بررسی می کنیم. در فصل چهارم به طراحی دو VCO که در بازه فرکانسی پرکاربرد ارتباطات بی سیم هستند می پردازیم. در فصل آخر ضمن مقایسه این طراحی ها با سایر کارهای انجام شده در سال های اخیر، پیشنهاداتی را برای ادامه کار مطرح خواهیم کرد.

در دو ضمیمه جداگانه مطالبی در مورد CMOS MEMS و مفهوم ضریب کیفیت در عناصر الکتریکی بیان خواهیم کرد.

فصل اول: مبانی نوسان و نوسان سازها

1-1- اهمیت نوسان سازها در سیستم های ارتباطی

نوسان سازها، نقش مهمی در تمامی سیستم های ارتباطی فرستنده – گیرنده (بدون سیم یا باسیم) ایفا می کنند. عموما در تمام گیرنده ها از ساختاری استفاده می شود که در شکل 1-1 نشان داده شده است.

در این شکل مخلوط کننده از نوسان ساز استفاده می کند تا باند سیگنال RF ورودی را به باند فرکانسی میانی IF تبدیل نماید یعنی: fIF=fRF-fLO که fLO فرکانس نوسان، نوسان ساز است. به منظور حرکت روی کانال های مخالف، فرکانس نوسان ساز باید قابل تنظیم کردن باشد. اغلب این کار با تغییر ولتاژ صورت می گیرد. به همین جهت آن را VCO می نامند.

از کاربردهای دیگر نوسان سازها می توان به: حلقه های قفل شده فاز؛ کلاک ها؛ سامانه های بازیافت داده ها و… اشاره کرد که به جهت اختصار از توضیح آنها صرف نظر می کنیم.

تعداد صفحه : 96

پروژه درس مدارهای RF ، شبیه سازی با نرم افزار ADS ، اصل و ترجمه مقاله به همراه گزارش کار بصورت ورد

اختصاصی از یارا فایل پروژه درس مدارهای RF ، شبیه سازی با نرم افزار ADS ، اصل و ترجمه مقاله به همراه گزارش کار بصورت ورد دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

این پکیج شامل طراحی و شبیه سازی یک مقاله در مورد درس طراحی مدارهای فرکانس بالا ( RF ) رشته برق گرایش الکترونیک در مقطع ارشد می باشد. در این پکیج، کارگاه شبیه سازی ADS (ورژن 2014) بصورت کاملا طراحی شده و آماده ، اصل و ترجمه مقاله ژورنال IEEE بصورت WORD و گزارش کار بصورت WORD گنجانده شده است که یک منبع کاملاً مناسب و آماده برای ارائه پروژه درس طراحی مدارهای فرکانس بالا رشته برق گرایش الکترونیک در مقطع ارشد می باشد.

پروژه درس مدارهای RF ، شبیه سازی با نرم افزار ADS ، اصل و ترجمه مقاله به همراه گزارش کار بصورت ورد

اختصاصی از یارا فایل پروژه درس مدارهای RF ، شبیه سازی با نرم افزار ADS ، اصل و ترجمه مقاله به همراه گزارش کار بصورت ورد دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

این پکیج شامل طراحی و شبیه سازی یک مقاله در مورد درس طراحی مدارهای فرکانس بالا ( RF ) رشته برق گرایش الکترونیک در مقطع ارشد می باشد. در این پکیج، کارگاه شبیه سازی ADS (ورژن 2014) بصورت کاملا طراحی شده و آماده ، اصل و ترجمه مقاله ژورنال IEEE بصورت WORD و گزارش کار بصورت WORD گنجانده شده است که یک منبع کاملاً مناسب و آماده برای ارائه پروژه درس طراحی مدارهای فرکانس بالا رشته برق گرایش الکترونیک در ...

دانلود پایان نامه طراحی تقویت کننده ترانزیستوری RF

اختصاصی از یارا فایل دانلود پایان نامه طراحی تقویت کننده ترانزیستوری RF دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

فرمت فایل : word(قابل ویرایش)

تعداد صفحات:61

فهرست مطالب:
طراحی تقویت کننده ترانزیستوری RF
۱.۹ مشخصه های تقویت کننده ها
۲ـ۹ روابط توان تقویت کننده
۹-۲-۱ منبع RF
۲-۲-۹ بهره توان انتقالی
(۳ .۲. ۹) سایر روابط توان
مثال (۱ـ۹) روابط توان برای یک تقویت کننده RF‌
۳. ۹ ملاحظات پایدار ی
۱. ۳. ۹ دوایر پایداری
۲ .۳ .۹ پایداری غیر شرطی
مثال ۳ .۹ دوایر پایداری برای یک BJT در فرکانسهای عملکردی مختلف
مثال ۴ـ۹ : ناحیه پایدار در مقابل ناحیه ناپایدار یک ترانزیستور
۳ .۳. ۹ روشهای پایدار سازی
رسانای موازی
مثال ۵ـ۹ پایدار سازی یک BJT
۴ . ۹ بهره ثابت
۱. ۴. ۹ طراحی یک طرفه
مثال ۷ـ ۹ : محاسبه دوایر بهره منبع برای طراحی یک طرفه .
۲. ۴. ۹ عدد شایستگی یک طرفه :
مثال ۹ـ ۹ : تست قابل اجرا بودن طراحی یک طرفه
طراحی دو طرفه
مثال ۱۰ـ ۹ : بدست آوردن ضرایب انعکاس تطبیق شده مزدوج همزمان .
مثال ۱۱ـ ۹ : طراحی تقویت کننده با حداکثر بهره
۴. ۴. ۹ دوایر بهره توان قابل دسترسی و کاری
بهره توان کاری
مثال ۱۲ـ ۹ : بدست آوردن دایره بهره توان کار
مثال ۱۳ـ ۹ : طراحی تقویت کننده با استفاده از دوایر بهره کار ثابت
بهره توان قابل دسترس
۷.۵ دایره های عدد نویز
۹.۶ دایره های VSWR ثابت .
مثال ۹.۱۵: طراحی VSWR ثابت برای بهره و عدد نویز داده شده .
۹.۷ تقویت کننده های پهن باند و قدرت بالا و چند طبقه ای
۹.۷.۱ آمپلی فایرهای پهن باند.
کاهش عدد نویز در فرکانسهای بالا:
فرکانس جبران شده شبکه های تطبیق:
طراحی آمپلی فایر متعال شده
مدار های فیدبک منفی:
۹.۷.۲ تقویت کننده های قدرت بالا
۹.۷.۳ تقویت کننده های چند طبقه :
۹.۸ خلاصه
مطالعه بیشتر
مسائل

طراحی تقویت کننده ترانزیستوری RF

طراحی تقویت کننده در RF بطور چشمگیری با روشهای مداری فرکانس پایین مرسوم فرق دارد و در نتیجه به بررسی و ملاحظه ویژه ای نیاز دارد . علی الخصوص این واقعیت که موجهای ولتاژ و جریان روی عنصر فعال تاثیر می گذارد ، تطبیق مناسبی جهت کاهش VSWRو جلوگیری از نوسانات (تغییرات ) نامطلوب را ایجاب می نماید . به این دلیل معمولاً اولین قدم برای طراحی این پروسه یک تحلیل پایداری می باشد که به همراه دوایر عدد نویز و بهره جزء اساسی مورد نیاز برای بهبود مدارهای تقویت کننده ای است که اغلب با مقادیر بهره ، بهره هموار ، توان خروجی ، پهنای باند و شرایط با یاس مواجه می شود .

این فصل براساس مطالب گفته شده در فصلهای 2 و3 توسعه یافته است بطوریکه روابط توان خطوط انتقال خروجی برسی شده است .

بر هر حال بر خلاف مدار پسیو ، فصل 9 به ادوات اکتیو می پردازد بطوریکه به نظر می آید بررسی دقیق بهره و فیدبک دارای اهمیت اصلی باشد .

مواردی از قبیل بهره توان یک طرفه و دو طرفه مدار و نمایش گرافیکی آنها در نمودار اسمیت ، نقطه شروعی برای آنالیز گسترده عملکرد تقویت کننده ترانزیستوری فرکانس بالا می باشد .

خواننده باید به انعطاف پذیری نمودار اسمیت توجه کنید . که دایره بهره ثابت ، VSWRو پایداری میتوانند براساس ضرایب انعکاس و امپدانس بحث شده در فصل 3 روی آن قرار بگیرد .

بعلاوه حتی آنالیز یک نویز هم با تبدیل عدد نویز یک تقویت کننده به دوایری که در نمودار اسمیت نشان داده      می شود؛ قابل برسی است.

بعد از توجه به ابزار اساسی طراحی ، همچنین فصل 9 مدلهای مختلفی از تقویت کننده های توان و مشخصه های آنها از قبیل بهره هموار ؛ پهنای باند و اعوجاج درونی را به خوبی اختلافات بین تقویت کننده های یک و چند طبقه بررسی می کند .