مقاله شبیه سازی شده
ژورنال:
سال: 2016
لینک مقاله:
چکیده: تقابل و بر هم کنش بین شمع و خاک نرم دسته شمعی غیر فعال در معرض خاک همراه با مدل المانی محدود سه بعدی با استفاده از نرم افزارAnsys آنالیز شد. خاک مطابق با معیار محصول Drucker-pragey در آنالیز فرض شد که الساستو پلاستیک می شود. جابجایی زیاد خاک در نظر گرفته شد و عناصر تمامی برای ارزیابی تقابل بین شمع و خاک استفده شد. تاثیرات عمق خاک لایه و شمار شمع ها روی فشار جانبی شمع جستجو می شد و توزیعات فشار جانبی روی گره شمعی ( 1* 2 ) و روی گروه شمعی (2*2 ) مقایسه شد. نتایج نشان می دهد که سریار ( بارزنده ) مجاور ممکن است منجر با حرکات برجسته ی جانبی خاک نرم و فشار قابل ملاحظه روی شمع شود. فشار عمل کننده روی ردیفی، نزدیک به بارزنده نسبت با ردیف های دیگر بیشتر و بالاتر می باشد ( به سبب مانع و تاثیرات طاق سازی در دسته ی شمع ها ). بار غیر فعال و توزیعش می بایست در طرح شمع های غیر فعال در نظر گرفته میشود. کلمات کلیدی: تقابل و بر هم کنش خاک- شمع، دسته شمعی غیر فعال؛ خاک نرم، فشار جانبی؛ تغییر شکل فیزیکی در ساختمان؛ انالیز المان محدود سه بعدی.
2-اکثریت شمع ها برای نگهداشتن بارهای فعال، طراحی می شود یعنی بارهای رو ساختار مستقیمأ توسط کاهک با فنداسیون شمع انتقال داده می شود. با وجود این، در خیلی موارد، بارها برای تحمل بارهای غیر فعال، که توسط تغییر شکل فیزیکی و حرکت خاک اطراف شمع ها به سبب وزن خاک و بار اضافی ایجاد می شود، طراحینمی شوند. این بارهای غیر فعال منجر به گسیختگی یا اسیب ساختاری ممکن است بشود. مثال این موارد شاملشمع های نگهدارنده ی تکیه گاههای پلی مجاور به خاکریز، فنداسیون شمع موجود در مجاور شمع کوبی، عملیات خاک برداری و تونل زنی و فونداسیون شمع در شیب های متحرک می شود. چندین روش تجربی و عددی برای آانالیز واکنش شمع منفرد و دسته شمع در معرض بارگذاری جانبی حرکات افقی خاک، پیشنهاد شده است. یک بررسی و مطالعه جامع روی این روش ها توسط Stewart و همکاران انجام شده است. در بیشتر روش های عددی که پیشنهاد شده است از روش المان محدود یا روش تفاضل محدود استفاده شده است. برای دسته های شمعی روش المان محدود تغییر شکل نسبی پلان توسط STEWART و همکاران پذیرفته میشد. در مطالعه ای توسط STERWART و همکاران، شمع ها توسط دیوارهای سپر فولادی فعال نشان داده شد. فرض شد که رفتار سیستم دیواری سپر فولادی وابسته به ارتباط پیش تعیین شده بین فشار و جایگزینی خاک می باشد و تقابل شمع- خاک مدل سازی شد. در یک مطالعه بر و اسپرینگ من از روش المان محدود سه بعدی استفاده کردند که در ان سرند درشت به سمت گنجایش محاسباتی محدود در آن زمان استفاده شد و توزیع تنش تمامی خاک در اطراف شمع ها مورد جستجو قرار نگرفت در حقیقت این نوع تقابل در بردارنده ی عدم خطیت های نظیر انعطاف پذیذی و شکل پذیری خاک، جابجایی زیاد و تماس شمع- خاک می باشد. فاکتورهای تاثیر کننده ی عدم خطیت شامل ویژگیها و عمق لایه خاکی نرم، قطر، شمار و فواصل شمع ها و محدودیت ناشی از ساختار بالایی می شود. تا به امروز، مطالعات محدودی روی این فاکتورهای تاثیر گذار یافته شده است. در این مقاله،توزیع تنش تمامی خاک در اطراف ستون ها و فشار جانبی به دست اورده شد، تغییر شکل های فیزیکی دسته های شمع در ردیف های مختلف بررسی شد و فشارهای جانبی روی دسته شمعی (1*2 ) و دسته ی شمعی ( 2*2 ) مقایسه شد.
...
11 ص فایل ورد
پایان نامه بررسی و شناسایی دقیق نیازهای مشتری و آنالیز محصولات
فرمت فایل:doc
تعداد صفحات:126
فصل اول
شناخت
1-1 موضوع
1-1-1-تعیین گرایش و عنوان پروژه
درطی این پروژه تلاش براین است تا روندی برای پیشبرد پروژه انتخاب شود تا به بهترین حالت مشکلات را برطرف نماید؛ براین اساس و باتوجه به انتظارات استاد محترم راهنمای پروژه روند کلی پروژه بر اساس شناسایی و تفسیرمشکل به صورت کامل وهمچنین شناسایی گروه های استفاده کننده است که درنهایت با این بررسی وشناسایی کامل مشکل و شناسایی دقیق نیازهای مشتری وآنالیزکامل محصول نهایی براساس مسایل ارگونومیک وابعاد آنتروپومتریک،مسایل مربوط به فرم وزیبایی وآنالیز استیتیک محصول،توجه به محصول در محیط استفاده وهمچنین در کنار محصولات دیگر در غرفه های نمایشگاهی و.....به ارائه طرح های متنوع بر اساس لیست بایدها پرداخته ودر نهایت از بین طرح های ارائه شده،طرح برتر انتخاب شده و پرزانته نهایی بر اساس این طرح صورت پذیرد.
1-1-2 –تعیین صورت مساله وتفسیر مشکل
نام تولید : غرفه های نمایشگاهی که به تبادل اطلاعات و تکنولوژی می پردازند و نه صرفا نمایش محصولی خاص.
مکان استفاده : نمایشگاهها که در این پرئژه محدود به نمایشگاه بین المللی تهران می باشد.
طرح مشکل:
7) زمان زیادی که صرف اجرا و همچنین تخریب می شود.
8) عدم تاثیر بر محصولات نمایشی یا تبلیغی.
وضعیت اولیه
همانطور که عنوان شد نمونه های موجود غرفه ها دونوع هستند : غرفه های پیش ساخته وخودساز.
در غرفه های پیش ساخته بیشتر از پیچ ومهره استفاده می شود و می توان آنها را مجددا باز و بسته کرد .در این غرفه ها ورقه های کف اجاره داده می شود وبعضی بعداز استفاده آنها را آب کرده ومجددا می سازند در این نوع غرفه ها طراح برای طرح زدن از محدودیت های خاصی برخوردار است و تنها می تواند در محدوده یکسری متریال و فرمهای خاص در طرح خود استفاده کند.
در غرفه های خود ساز طرح ها از تنوع بیشتری برخوردار هستند و دست طراحان برای طراحی تقریبا آزاداست . در این نوع غرفه ها از رنگ بندی های متنوع وشادی استفاده می شود و همچنین فرمهای مختلفی در آنها به چشم می خورد از این رو تماشاگر را بیشتر جذب می کند؛مشکل بزرگ این غرفه ها هزینه بری بالای اینگونه غرفه هاست.
وضعیت ثانویه
این غرفه ها مدولار هستند و به راحتی در مکان مورد نظر نصب شده و نیازی به تخریب ندارند زیرا دارای قابلیت استفاده مجدد هستند.
با رنگ بندی وفرمهای متنوع در پک های مختلف به مشتری عرضه می شوند و به راحتی میتوان این غرفه ها را جابجا کرد به علاوه به مقدار زیادی در وقت و هزینه نیز صرفه جویی خواهد شد.
در این نوع غرفه ها نیازی به نصب سیستم روشنایی نیست ، زیرا این سیستم در دیواره ها سقف وکف تعبیه شده است که این مطلب نیز در چارت کلی وضعیت ثانویه نیز مورد بررسی قرار گرفته است.
ارائه ایده
مدولار کردن غرفه برای:
وجود گروههای تخصصی مختلف در ساختار پیشبران صنعت نمایشگاه ، این امکان را فراهم میاورد که کلیه گروهها در یک هماهنگی ارگانیک ، هدف ، استراتژی و ابزارها همگون و متوازن به صورت یک مجموعه عمل نمایند و یا آنکه هر تیم به صورت و بنا به ضرورت نیاز مشتری دستور کاری مشخصی را دنبال نمایند.
آنالیز و طراحی و شیبه سازی تقویت کننده های مایکرویو با فازخطی و پهنای باند بسیار بالا با پاسخ فرکانسی دلخواه (پایین گذر,میان گذر)
لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:PDF
تعداد صفحه:115
چکیده :
هدف از انجام این پروژه دستیابی به تقویت کننده ای با حاصل ضرب گین در پهنای باند بزرگتر با بهینه سازی روش های موجود و حتی الامکان تلاش برای یافتن راهکارهای جدید بوده و از مهمترین مسائل مورد توجه همواری و خطی بودن اندازه و فاز بهره در سراسر پهنای باند است.
در فصل اول این گزارش مروری بر تقویت کننده های پهن باند با تأکید بیشتر بر تقویت کننده های گسترده موج متحرک ارائه شده و سپس رویه کلاسیک طراحی یک تقویت کننده گسترده موج متحرک که پایه و اساس تمام کارهای بعدی در این زمینه می باشد، به تفصیل بیان شده است. فصل دوم شامل سایر روش های طراحی و متدهای مهم بهینه سازی تقویت کننده های گسترده موج متحرک می باشد. یکی از مهمترین نیازهای یک تقویت کننده گسترده زیرساخت ادوات نیمه هادی (ترانزیستور)، زیرلایه مورد استفاده برای مدار، خطوط انتقال و در نهایت نحوه پیاده سازی و ساخت مدار است. بدین معنی که اولاً باید بتوانند در سراسر پهنای باندی که تقویت کننده گسترده در آن کار می کند (چند ده گیگا هرتز) عملکرد مطلوبی ارائه دهند یعنی حداقل ممکن حساسیت را به تغییرات فرکانس داشته باشند. خطوط انتقال به کار رفته (مایکرواستریپ، CPW و غیره) نیز باید حداقل پراش، تلفات و تفاوت فاز را به مدار تحمیل نمایند. زیر لایه ای که مدار روی آن پیاده سازی می شود نباید در فرکانس های بالا از خود اثرات تخریبی از جمله اتلاف و تضعیف سیگنال بروز دهد. در نهایت پیاده سازی مدار باید با حداقل ممکن طول و تعداد اتصالات انجام شود که تکنولوژی فلیپ چیپ و CSP برای این کار پیشنهاد می شود. به دلیل اهمیت و تأثیر زیاد این مسائل زیرساختی که از اولین مراحل طراحی گرفته تا شبیه سازی و ساخت یک DA کاملاً نمایان هستند، فصل سوم را به بحث پیرامون این موضوعات اختصاص داده ایم. تا اینجا مطالب لازم برای ایجاد دید روشن از مسئله کاملاً در گزارش درج شده است.
فصل آخر با طراحی مدار اولیه به روش کلاسیک آغاز و در ادامه روش نوینی برای بهینه سازی عملکرد مدار ارائه شده است. روش ساده ای که بدون افزودن حتی یک المان به مدار اولیه در عین بهبود گین از نقطه نظر اندازه و هموار بودن و نیز افزایش پهنای باند، عدد نویز را هم کمتر می کند و این همه فقط به قیمت افزایش بسیار کم تأخیر گروهی رخ می دهد. در ضمن با اضافه کردن فقط یک ترانزیستور دیگر به خروجی مدار به شکل تقویت کننده درین – مشترک و ایجاد تطبیق به یک روش خاص (استفاده از سلف هائی هم اندازه آخرین سلف مدار قبلی) اندازه گین باز هم افزایش یافته است. روشی که در نوع خود جدید است.
در نتیجه با استفاده از این سه مورد نوآوری به تقویت کننده ای دست یافته ایم که اندازه بهره آن به طور متوسط 10dB نسبت به مدار کلاسیک بالاتر است و با توجه به اینکه بهره مدار کلاسیک در بالاترین حد خود 7/4273dB می باشد پس اندازه بهره بیش از 130 درصد بهبود یافته. عدد نویز در تقویت کننده کلاسیک از 3/7dB در فرکانس های پایین شروع می شود. سپس در فرکانس 43/4GHz به حداقل مقدارش یعنی 3/1dB می رسد. در حالی که در تقویت کننده جدید عدد نویز از 3/5dB در فرکانس های پایین شروع می شود، در فرکانس 31GHz به حداقل مقدارش یعنی 1/343dB می رسد و تا فرکانس 48/34GHz از مورد کلاسیک کمتر است. یعنی در پهنای باند بیش از 48GHz به طور متوسط بیش از 1dB بهبود عدد نویز (معادل با حدوداً 33 درصد بهینه سازی عدد نویز).
بهره تقویت کننده کلاسیک در فرکانس 1GHz در بالاترین حد خود یعنی 7/4273dB قرار دارد و در فرکانس حدود 32/5GHz به 4/42dB می رسد. یعنی پهنای باند 3dB تقویت کننده کلاسیک برابر 32/5 گیگا هرتز است. ولی گین تقویت کننده جدید در 1GHz برابر 8dB است و در 58/7GHz به 5dB می رسد. پس پهنای باند از 32 به 58 گیگاهرتز رسیده است. یعنی بهبودی معادل 81/2 درصد در پهنای باند.
نکته جالب توجه دیگر این است که روش جدید، در عین اینکه عملکرد تقویت کننده را در سراسر پهنای باند فرکانسی از پایین ترین تا بالاترین بسامد بهبود می بخشد، در فرکانس های میانی (با بیش از 30GHz پهنای باند میانی از 17GHz تا 48GHz) پاسخی نزدیک به یک حالت ایده آل از خود بروز می دهد. با قرار دادن یک فیلتر میان گذر در این محدوده فرکانسی تقویت کننده گسترده میان گذری با گین بالا و هموار و عدد نویز پایین حاصل شد.
پس از آن برای دستیابی به پاسخ پایین گذر هموارتر، بخش های آخر فصل چهارم به روش های غیرکلاسیک طراحی DA می پردازد. در این قسمت با استفاده از دو متد مختلف، تقویت کننده های گسترده ای با پاسخ پایین گذر طراحی شده اند و بعد با بهینه سازی پاسخی بسیار هموار در محدوده فرکانس پایین به دست آمده است. نکته ارزشمند در طراحی این تقویت کننده ها اعمال عملکرد فیلتر پایین گذر به ساختار خود DA و کوچک سازی مدار است.
در نهایت پس از نتیجه گیری، پیشنهادی مبنی بر اجرای یک پروژه با همکاری گروهی متخصصان تقویت کننده های گسترده از یک سو و ادوات نیمه هادی از سوی دیگر با هدف طراحی و ساخت DAهای پیشرفته در ایران ارائه شده است. پیشنهاد دوم طراحی و بهینه سازی فیلتر میان گذری است که بین 17 تا 48 گیگاهرتز دارای پاسخ ایده آلی با حداکثر درجه همواری گین و حداقل تلفات باشد.
و...
فرمت فایل : word(قابل ویرایش)
تعداد صفحات:25
چکیده:
ZrTio4
پایه ای دچار تقص شد و باعث بوجود آمدن شکاف نقاط که در ماتریس انعکاس قابل مشاهده است، گردید که میکروگراف قراردادی DF آن در (b) مشاهده میگردد. بعلاوه یک زیرساخت از نقاط مستقر در نیمی از فضای ZriTo4 عکسبرداری شده است.
نمیشود نقاط گسسته را در این روش نمیتوان به عنوان فاز مشخص نشان داد. با این حال نقاط به گونه ای مرتب کرد که ساختار بلوری مشابه با ZrTio4 داشته باشد ولی پارامترهای شبکه آن دو برابر ZrTio4 خواهد بود. این نتیجه حاصل شد که ساختار منظم بود ولی شامل مناطق آنتی فاز (APBها) تشکیل شده از ساختارهای نوع دیگری بود.
ذکر این نکته حائز اهمیت است که این زیرساخت در عکس BF قابل رویت نبود. ولی فقط عکس های DF از نواحی محوری آنها تشکیل شده بودند. یک مثال مه آنالیز کردن فاز t در زیرکونیای سرد تقرباً تثبیت یافته میباشد. اینجا t’ فقط میتواند در عکس های TEM با کیفیت و در حضور APBها که فقط در عکس های DF قابل رویتند (به خاطر اندازه چهاروجهیشان) قابل شناسایی باشند. خوشبختانه این اغلب نشان میدهد که تمامی ساختار که t’ باشد فاکتوریست که در هیچ یک از عکس های BF دیده نمیشود. آنالیزهای مناطق محوری به این دلیل نتوانستند APBها را نمایش دهند که بردار جابجایی در سطوحی که مورد عکسبرداری قرار گرفتند وجود نداشت (این سطوح از مرتب سازی تاثیر نپذیرفته و بدون تغییر باقی ماندند)
(iii) آنالیز بردار برگرز در سیلیکون نیترید
تخمین جهت بردار، از یک جابه جایی نیازمند ساخت g می باشد. جدول b که شامل مقادیر نقاط است محصول g میباشد، هم b برای انعکاسهای مناسب در مناطق محوری با شاخص پایین و b برای جابجایی bهای کاندیدا را میتوان از این سو و آن سوی اطلاعات حاصل از بلور جمع آوری کرد. البته باید توجه داشت که آنها اغلب بردار کوچکترین شبکه های میباشند. جدول ۲/۳ چنین جدولی است از شانزده ضلعی ۴N3Si از آنجایی که این بلور شانزده ضلعی است، چهار هادی سیستم میلر – باویس برای توصیف سطوح و جهات به کار میروند ولی برای موارد ساده تر با سیمتری بیشتر نیز همین اصل است. بریا بلورهای مکعبی از سه هادی میلر استفاده میگردد. قبل از استفاده از میکروسکوپ باید جدول g.b، نقشه کیکوچی (جهت تسهیل نوسان از یک محور ناحیه به ناحیه دیگر) و شکست محاسبه شده محور ناحیه را مورد آزمایش قرار دهیم تا بدانیم بر اساس کدام محور ناحیه نوسان کنیم، چگونه نمونه را نوسان دهیم که به آنها برسیم، و کدام دو شرایط پرتو لازم است که باعث شود دو شرط g.b= طلاقی کند.
با استفاده از این دانسته نوسات میان محورهای نواحی مختلف، در طول نوارها کیکوچی لازم خواهد بود تا نیاز بودن موارد فوق را تایید نماید. سپس با نوسان به بیرون از محور ناحیه و چند درجه در طول نوارها به سمت شرایط دوپرتویی. عکس و PP میتواند ثبت شود و g.b تخمین زده شود.
مقادیر g.b برای انعکاس های مناسب در ساختار بلوری ۱۶ ضلعی
در حالت کلی هرچه g.b بزرگتر باشد، کنتراست روشن تر خواهد بود و S یا پارامتر انحراف اغلب صفر تنظیم میگردد. نمونه چنین آنالیزی در عکس ۳۲/۳ برای جا به جایی در ۴N3Si نمایش داده شده. جا به جایی (با پرتو ضعیف زمینه تاریک عکسبرداری شده) کنتراست شدیدی را در عکسبرداری با بردار g2000 و ۱۱۱۰ در محور ناحیه ۰]۱۰۱[ و ۰]۲۱۱[ بترتیب می توان شاهد بود. این در حالیست که با ۰۱۳۲ و ۰۳۶۳=g در نواحی ۰]۱۰۱[ و ۰]۵۱۴[ غیرمرئی خواهد بود. آزمایش جدول ۲/۳ تایید میکند که جا به جایی دارای >1<000 نوع b است.
(g) پرتو ضعیف تاریک و انعکاس سطح بالای زمینه روشن
عرض عکس کاستن همانند جا به جایی اغلب تحت شرایط دینامیکی عکسبرداری بزرگ می باشند. با توجه به b عظیم سرامیکها این امر برای جا به جایی آنها نیز تقریباً صدق میکند. پس سطوح تحت فشار خیلی از جابه جایی های معمولی درشت ترند. خصیصه های چیره شده برعکس ارتباط میان شکست و قابلیت انحراف سازی سطح میباشد و به هسته جابجایی مربوط نیست. بعلاوه عکسهای تصادفی و بدون ترتیب میتوانند باعث این امر شوند، که مثلا یک جابه جایی ساده میتواند به صورت دو جابه جایی موازی، تحخت شرایط ۲=g.b و S=0، ظاهر شود. تصاویر نه تنها میتوانند عریض باشند بلکه تغییرات مختصر در ضخامت میتواند کنتراست را خراب کند. پس، تا زمانی که شرایط دینامیکی میتوانند عکس های کنتراست بالا به ما بدهند که حاوی اطلاعات کمی زیادی در باره کلیت گسترش خرابی میباشند، نمیتوانند اطلاعات لازمه را در مورد عرض و یا هسته خرابی به ما بدهد. علاو.ه بر این وقتی که زمینه های فشار در عکس های دینامیکی BF و DF طلاقی میکنند خصوصیات مستقل قابل تشخیص نیست.
آنالیز بردار برگرز نقاط B-Si3N4 با استفاده از و از منطقه از منطقه ، و از تمامی جابجایی ها دارای می باشد.
دو تکنیک جهت بهبود کیفیت تصویر وجود دارد که در نتیجه تحقیق پیرامون کاستی های ساختار میسر خواهد بود. هر دو تکنیک در عمل بر شکست ضعیف و تحت شرایط شکستن مشخص تکیه میکنند.
اولین آنها که پرکارترین آنها نیز میباشد، تکنیک پرتو ضعیف زمینه تاریک (WBDF) میباشد و شامل تشکیل عکس به واسطه پرتوهای شکسته شده ای است که در آن ها پارامتر انحراف بزرگ و به طبع آن شدت پرتو ضعیف است. شرایط شکست مورد نیاز پرتو ضعیف در شکل ۳۳/۳ برای حالت پرتو ضعیف g و g3 نمایش داده شده است. نمونه به گونه ای قرار گرفته که g در زاویه برگ
(Bargg) قرار داشته و به شدت باعث شکست میگردد. برای نوسان g در محور بهینه از نوسان فنری استفاده میگردد. تحت چنین شرایطی g3 در زاویه Brogg قرار خواهد داشت و در نتیجه قوی خواهد بود، که باعث میشود که مقدار S زیادی، در g، به ما بدهد.
در حالیکه این روش کلاسیک عکسبرداری WBDF میباشد با این حال، از نظر عملی، ساده تر است که از یک شرایط دو پرتوی ایجاد نموده، سپس عکس معمولی DF را تشکیل داده و هنگام نظاره عکس نوسان را اعمال کنیم و ببینیم در چه حالتی بهترین جواب را میدهد. سپس DF ها باید
بدست آیند تا مطمئن شویم که یک عکس WBDF واقعی حاصل شده.
در شرایط دینامیکی معمول عرض عکس از درجه ۳/۴ برای شرط S=0 طبعیت میکند. فاصله ناپدیدشدن بسته به سطحی که عکسبرداری شود، تفاوت میکند. برای مثال، فاصله ناپدید شدن در سطح اساسی (۶۰۰۰) از آلومین ۰nm32 است؛ این در حالتیست که برای ۰۱۱۲، ۰nm13 میباشد؛ برای (۲۴۰۲)، ۰۰nm1 و برای (۱۱۲۶) نیز nm88 میباشد. پس، عرض عکسها به ترتیب مذکور کاهش یافته و به طبع آن کیفیت افزایش می یابد.
برای مقادیر غیر صفر از S، فاصله انهادام (ناپدید شدن) موثر باید مورد استفاده قرار گیرد، که بصورت زیر تعریف میگردد:
که عرض عکس حاصل میشود. پس با افزایش S کاهش یافته و عرض عکس نیز کاهش میابد. کاهش ده برابر عکس امکان دارد، که در مطالعه مواردی که شامل فواصل طولانی میباشند از اهمیت بالایی برخوردار است.
شکل ۳۴/۳ محیط ذرات ریز ۴N3Si را که در WBDF عکسبرداری شده اند را نمایش میدهد.
از آنجایی که شکست پرتوها به نیت عکسی ضعیف اعمال شده اند، شدت عکس ضعیف است (این مسئله با کنتراست تصویر که باید با باشد مربوط تیست)، نتیجه حاصل این است که عکسهای کیفیت بالا اغلب نمیتوانند مستقیماً روی صفحه دیده شوند و در اغلب حالات قابل فوکوس نیستند پس میکروسکوپ باید به شدت تراز باشد که فوکوس کردن در شرایط زمینه روشن میسر باشد و بتوان ارتعاش پرتو را بدون دوباره کاری انجام داد و عکس پرتو را ثبت کرد.
*شکل ۳۴/۳: عکس زمینه تاریک کم نوری، از زاویه پایین، از مرز یک سیلیکون نیترید.
برای بدست آوردن بهترین کیفیت از عکس کم نور به مسیریابی (alinment) نیازمند میباشیم. خیلی اوقات مشکلات از یک توده مشخصی، در زمان نمایش لازمه جهت ثبت و ضبط یک عکس کم نور واقعی، ایجاد میگردد. پاکیزگی زاویه سنج و فاصله سنج خیلی مهم است. با اینحال یک مقدار واسط به نام S اغلب مورد استفاده قرار میگیرد تا زمان ثبت و ضبط را کاهش و به طبع آن مشکل مذکور را برطرف نماید، ولی کیفیت نیز به همان میزان کاهش می یابد.
متد انعکاس درجه بالا تکنیک برتری است، که از عکس زمینه روشن استفاده مینماید. نمونه یک بار دیگر در طول ردیف سیستماتیک (قطاری از نقاط جدا از هم که تشکیل یک خط را میدهند) قرار میگیرد. در این حال به جای نقطه تحریک +g، یک انعکاس درجه بالاتر مثلا +۳g اعمال میگردد؛ البته در صورت امکان باید حتی از انعکاس درجه بالالاتر از +۳g استفاده نماییم. سپس عکس، همانند روش استفاده در میکروسکوپی BF و L زمان نمایش عکس مشابه با آن، تشکیل میشود. به دلیل حرکتی (Kinematical) بودن عکس در اصل، دارای کنتراست (contrust) پایینی میباشد درحالیکه WBDF قابلیت پشتیبانی از کنتراست های خیلی بالا را دارا میباشد.
(h) شکست الکترون پرتو متقارب
اطلاعات حاصل از محوطه های گسسته انتخابی (SADPها)، تا اندازه مساحیت کمینه ای با قطر nm500 محدود میگردد، که از خیلی از ساختارهای میکروبی مهم بزرگتر میباشد؛ علاوه بر این اطلاعات حاصل از SADP طبعتاً دو بعدی و وضوح متقارب بوده تا پیوسته و وضوح موازی استفاده شده در SAD (که بسیار موثر بوده است). روش دوم اطلاعات گسسته از شبکه ای سه بعدی،
شامل اندازه فاصله های موازی درون نقشه ای در حد شعاع الکتورن میباشد. تجهیزات تحلیلی مدرن قابلیت فوکوس کردن برروی شعاع متقارب الکترون تا قطر nm1 را دارا میباشد تا الکترونهای گسسته بتواند از طریق ناحیه های ۱۰-۵ نانومتری قابل دسترسی باشند. دستیابی به یک کریستالوگرافی تحلیلی با استفاده از CBED به حدی پیچیده میباشد که کسی جرات استفاده از آن را ندارد. تکنیک تجربی نسبتاً مشخص است و کریستالوگرافی داده قدرتمندی، بدون مشکل زیاد، قابل دسترسی است. شکل ۳۵/۳ شرایط مورد نیاز جهت دستیابی به نقشه نقطه ای و نقشه
CBED را نمایش میدهد.
*عکس ۳۵/۳: دیاگرام پرتو نمایشگر شرایط وضوح پیوسته تشکیل یافته از نقشه نقطه ای (a) و وضوح فوکوس شده برروی نمونه تا یک نقشه CBED ارائه نماید.
* عکس ۳۶/۳: هندسه نقشه CBED از -alumina (a- دیسک زمینه روشن
b)-zolzr c)- FOLZ d)- SOLZ e)- HOLZ
استفاده معمول CBED در تخمین ساختار کریستال از یک فاز میباشد. از آنجایی که جستجوی کوچک مورد استفاده قرار میگیرد این تکنیک را مثلاً میتوان جهت آنالیز رسوبهای شیمیایی کوچک که با XRD قابل بررسی نیستند بکار گرفت. جهت تخمین مجموعه نقاط و فضاها از شعاع متقارب
استفاده میشود. تکنیک مذکور از مواردی که در قانون فریدل صدق نمیکند، استفاده ویژه مینماید، در نتیجه مجموعه ۳۲ نقطه کریستالی به مقدار یازده گروه Laue کاهش نمیابد، که این شرایط مربوط به XRD میباشد. با این حال پیچیدگی اجزای این روش در تخمین گروهبندی فضا، سادگی بدست آوردن اطلاعات کریستالوگرافی، مثل سیمتری بلور و چه شبکه ساده ما با یک اتم و در یک سلول واحد بدنه و یا نما متمرکز باشد.
حال باید چندین اصطلاح مورد استفاده در آنالیز CBED تعریف شود. دیسک های مرکزی مجزا، که هدسه ای مشابه با SADP ها را داراست. ZOLZ (مناطق Laue سطح صفر) نامیده می شوند.
حلقه نقاط مجزا که در مرز نقشه وجوئد دارند به عنوان Folz (مناطق Laue سطح یک) نامیده میشوند و در جاهایی که حلقه های بیشتری وجود داشته باشند با نام Solz (مناطق Laue سطح
دو) مورد استفاده قرار گرفته و به ازای حلقه های دیگر نیز به همین روش نام گذاری انجام میشود. مناطق بالاتر از Solz به عنونان Holz (مناطق Laue سطح بالتری) نامیده میشوند. مناطق بالای Folz و داخل دیسک های Zolz تقریباً تاریک هستند و خطوط روشن را خطوط Holz میدانند. اینها در
پراکنده کردن از زاویه بالا بوجود می آیند و در SADPها وجود ندارند. خطوط Holz به همچنین میتواند در دیسک های مرکزی فرستاده شده (۰۰۰) یافته شوند و حاوی اطلاعات سیمتری مهمی میباشند.
در سرتاسر نقشه خطوط کیکوچی، تشکیل یافته از Zolz و Holz پخش شده که میتواند اطلاعات مهمی در باره ساختار بلور به ما بدهد. در پایان حاشیه های دینامیک میتواند در این میان و یا اطراف دیسکهای Zolz ارائه گردند. حل نقشه CBED که شامل اطلاعات قابل استفاده می باشد، جهت کنترل نیاز به تعدادی متغیرهای تجربی دارد. ابتداعاً، یک نمونه TEM کیفیت بالا مورد نیاز است.