یارا فایل

مرجع دانلود انواع فایل

یارا فایل

مرجع دانلود انواع فایل

مقاله کامل در مورد ترانزیستور

اختصاصی از یارا فایل مقاله کامل در مورد ترانزیستور دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقاله کامل در مورد ترانزیستور


مقاله کامل در مورد ترانزیستور

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه: 11
فهرست مطالب:

تاریخچه

انواع ترانزیستور پیوندی

ساختمان ترانزیستور پیوندی

طرز کار ترانزیستور پیوندی

نحوه اتصال ترازیستورها

اتصال بیس مشترک

اتصال کلکتور مشترک

ترانزیستور

کاربردعملکردانواع

ترانزیستور دوقطبی پیوندی

ترانزیستور اثر میدان پیوندی(JFET)

ترانزیستور اثر میدان MOS

ساختار و طرز کار ترانزیستور اثر میدانی

نماد و شماتیک پیوندهادر ترانزیستورها

 

تاریخچه

عصر نوین الکترونیک نیمه رساناها با اختراع ترانزیستور دوقطبی در ۱۹۴۸ توسط باردین، براتاین و شاکلی در آزمایشگاههای تلفن بل آغاز شد. این قطعه به همراه همتای اثر میدانی خود تأثیر شگفتی روی تقریباً تمام حوزه‌های زندگی نوین گذاشته‌است.

ترانزیستور یک قطعه الکترونیکی فعال بوده و از ترکیب سه قطعه n و p بدست می‌آید که از ترزیق حاملین بار اقلیت در یک پیوند با گرایش مستقیم استفاده می‌کند و دارای سه پایه به نامهای بیس (B)، امیتر (E) و کلکتور (C) می‌باشد و چون در این قطعه اثر الکترونها و حفره‌ها هر دو مهم است، به آن یک ترانزیستور دوقطبی گفته می‌شود

انواع ترانزیستور پیوندی

شامل سه لایه نیم هادی که دو لایه کناری از نوع p و لایه میانی از نوع n است و مزیت اصلی آن در تشریح عملکرد ترانزیستور این است که جهت جاری شدن حفره‌ها با جهت جریان یکی است.

شامل سه لایه نیم‌ هادی که دو لایه کناری از نوع n و لایه میانی از نوع p است. پس از درک ایده‌های اساسی برای قطعه pnp می‌توان به سادگی آنها را به ترانزیستور پرکاربردتر npn مربوط ساخت.

ساختمان ترانزیستور پیوندی

ترانزیستور دارای دو پیوندگاه است. یکی بین امیتر و بیس و دیگری بین بیس و کلکتور. به همین دلیل ترانزیستور شبیه دو دیود است. دیود سمت چپ را دیود بیس _ امیتر یا صرفاً دیود امیتر و دیود سمت راست را دیود کلکتور _ بیس یا دیود کلکتور می‌نامیم. میزان ناخالصی ناحیه وسط به مراتب کمتر از دو ناحیه جانبی است. این کاهش ناخالصی باعث کم شدن هدایت و بالعکس باعث زیاد شدن مقاومت این ناحیه می‌گردد.

امیتر که شدیدا آلائیده شده، نقش گسیل و یا تزریق الکترون به درون بیس را به عهده دارد. بیس بسیار نازک ساخته شده و آلایش آن ضعیف است و بنابراین بیشتر الکترونهای تزریق شده از امیتر را به کلکتور عبور می‌دهد. میزان آلایش کلکتور کمتر از میزان آلایش شدید امیتر و بیشتر از آلایش ضعیف بیس است و کلکتور الکترونها را از بیس جمع‌آوری می‌کند.


دانلود با لینک مستقیم


مقاله کامل در مورد ترانزیستور

ترانزیستور

اختصاصی از یارا فایل ترانزیستور دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

ترانزیستور


ترانزیستور

 

 

 

 

 

 

 

مقاله با عنوان ترانزیستور در فرمت ورد در 29 صفحه و شامل مطالب زیر می باشد:

تاریخچه ترانزیستور
ترانزیستور چیست؟
ترانزیستور چگونه کار می کند؟
بنابراین، ترانزیستور چیست؟
اختراع رادیو
مشکل آشکار سازی
تقویت
لامپ های خلاء یکسو ساز
تقویت کنندگی لامپ خلاء
ترانزیستور
ترانزیستور دوقطبی پیوندی
انواع ترانزیستور پیوندی
طرز کار ترانزیستور پیوندی
نحوه اتصال ترازیستورها
اتصال کلکتور مشترک
ترانزیستور ها چطورکارمی کنند ؟
ساختار و طرز کار ترانزیستور اثر میدانی – فت


دانلود با لینک مستقیم

ترانزیستور

اختصاصی از یارا فایل ترانزیستور دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

ترانزیستور


ترانزیستور

 

 

 

 

 

 

 

مقاله با عنوان ترانزیستور در فرمت ورد در 30 صفحه و شامل مطالب زیر می باشد:

تاریخچه ترانزیستور
ترانزیستور چیست
ترانزیستور چگونه کار می کند
ترانزیستور چه کاری انجام میدهد
اختراع رادیو
مشکل آشکار سازی
تقویت
لامپ های خلأ یکسوساز
تقویت کنندگی لامپ خلأ
ترانزیستور
ترازیستور دوقطبی پیوندی
انواع ترانزیستور پیوندی
ساختمان ترانزیستور پیوندی
طرزکار ترانزیستور پیوندی


دانلود با لینک مستقیم

ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

اختصاصی از یارا فایل ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور


ساختمان و عملکرد  نیمه هادی دیود و ترانزیستور

فرمت فایل : WORD ( قابل ویرایش ) تعداد صفحات:36 

 

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها

نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الکترون می‌باشد.

ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد.

ژرمانیم دارای عدد اتمی‌32 می‌باشد .

این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیکلر[1] کشف شد.

این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساک[2] و تنارد[3] کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر ، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید .

اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراکی برقرار می‌شود.

بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می‌گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.

د ر مقابل حرکت الکترون ها ، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می‌آید.

بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می‌آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می‌باشند.

  1.     نیمه هادی نوع N وP

از آنجایی که تعداد الکترونها و حفره های موجود  در کریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط کم است و جریان انتقالی کم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌کنند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی ، یک عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیک یا آنتیوان تزریق[4] شود، چهار الکترون مدار آخر آرسنیک با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشکیل پیوند اشتراکی داده و الکترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقی می‌ماند.

بنابرین هر اتم  آرسنیک، یک الکترون اضافی تولید می‌کند، بدون اینکه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی که ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N[5] نام دارد.

در نیمه هادی نوع N ، چون تعداد الکترون ها خیلی بیشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدایت جریان را انجام می‌دهند . به حامل هدایت فوق حامل اکثریت و به حفره ها حامل اقلیت می‌گویند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم ، یک ماده 3 ظرفیتی مانند آلومنیوم یا گالیم تزریق شود، سه الکترون مدار آخر آلومنیوم با سه الکترون سه اتم سیلیسیم یا ژرمانیم مجاور ، تشکیل پیوند اشتراکی می‌دهند . پیوند چهارم دارای کمبود الکترون و در واقع یک حفره تشکیل یافته است .

هر اتم سه ظرفیتی، باعث ایجاد یک حفره می‌شود، بدون اینکه الکترون آزاد ایجاد شده باشد. در این نیمه هادی ناخالص شده، الکترون ها فقط در اثر شکسته شدن پیوندها بو جود می‌آیند.

نیمه هادی هایی که ناخالصی آنها از اتم های سه ظرفیتی باشد، نوع P [6] می‌نامند .


[1] winkler

[2] Gilosake

[3] Tanard

[4] Dopping

[5] Negative

[6] Positive


دانلود با لینک مستقیم

مقاله ای در مورد ترانزیستور

اختصاصی از یارا فایل مقاله ای در مورد ترانزیستور دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

مقاله ای در مورد ترانزیستور


مقاله ای در مورد ترانزیستور

این مقاله در قالب word بوده و به شرح کامل تمام قسمت های ترانزیستور به طور کامل پرداخته است.

ترانزیستور یکی از مهمترین قطعات اکترونیکی و یکی از ادوات حالات جامد است که از مواد نیمه رسانایی  مانند  سیلیسیم  وپ ژرمانیم ساخته می‌شود. یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهای  نوع nو  نوع p می‌باشد.

ترانزیستورهای جدید به دو دسته کلی تقسیم می‌شوند:  ترانزیستور های اتصال دوقطبی (BJT) و  ترانزیستور های اثر میدانی (FET). اعمال جریان در BJTها و ولتاژ در FETها بین ورودی وترمینال مشترک رسانایی بین خروجی و ترمینال مشترک را افزایش می‌دهد، از اینرو سبب کنترل جریان بین آنها می‌شود. مشخصات ترانزیستورها به نوع آن بستگی دارد.

لغت «ترانزیستور» به نوع اتصال نقطه‌ای آن اشاره دارد، اما انی سمبل قدیمی با سمبل‌هایی را کردند که اختلاف ساختار ترانزیستور دوقطبی را به صورت دقیقتر نشان می‌داد، اما این ایده خیلی زود رها شد.

و..

 


دانلود با لینک مستقیم