تحقیق و بررسی در مورد ترانزیستور

اختصاصی از یارا فایل تحقیق و بررسی در مورد ترانزیستور دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 5

فهرست قطعات

R1- مقاومت 270 اهم ( قرمز ،بنفش ، قهوه ای )

R2- مقاومت 180 اهم ( قهوه ای ، خاکستری ، قهوه ای )

R3- مقاومت 220 اهم ( قرمز ، قرمز ، قهوه ای )

R4- اهم مقاومت 100 اهم ( قهوه ای ، سیاه ، قهوه ای )

LI- دیود نورانی سبز رنگ

L2 - دیود نورانی قرمز رنگ

D- دیود یکسو ساز 4 عدد 1N4001

گیره سوسماری سیم دار 3 عدد

فیبر مدار چاپی ، مقداری قلع ، کاغذ سمباده .

مراحل ساخت

قبل از هرکاری سطح مسی فیبر را با تکه سمباده موجود در کیب خوب بسابید تا کاملاً تمیز شود . نتیجه سمباده زدن را بعداً هنگام لحیم کاری خواهید دید که چقدر راحت و آسان قطعات را می شود لحیم کرد .

چهار عدد مقاومت موجود در بسته بندی را با توجه به رنگ بندی روی بدنه شان و فهرست قطعات شناسی کرده آنگاه در محل های مربوط به صورت خوابیده نصب و سپس لحیم نمایید .

چهار عدد دیود تکسوساز در بسته بندی وجود دارد آنها را با تجه به قطب کاتد ( منفی ) در محل های مربوط بصورت خوابیده نصب کنید . پایه منفی دیود ها توسط نواری مشخص شده است ر.ی فیبر هم پایه منفی با خود با حرف K معلوم می باشد .

دو عدد دیود نورانی را نیز با توجه به رنگ انها و پایه منفی اشاهن در محل های L1 و L2 نصب کنید . دیود نورانی سبز رنگ در محل L1 و دیود نورانی قرمز رنگ در محل L2 قرار می گیرد پایا ( کاتد ) کوتاه باید در سوراخ نزدیک به خط قرار گیرد .

سه عدد گیره سوسماری موجود را به سه سوراخ E – C – B وصل کنید .

این سه گیره جهت اتصال به پایه های ترانزیستور و برای آزمایش آن مورد استفاده قرار می گیرد .

راه اندازی

سرهای ثانویه یک عدد ترانس 6 یا 9 ولت را به دو نقطه ای که با حرف T مشخص شده است وصل کنید . سرهای اولیه ترانس را به برق شهر بزنید . اگر از ترانس دوبل استفاده می کنید یعنی ثانویه ترانس شما سه سشر داشته باشد تنها از دو سر وسط و یکی از سرهای کناری استفاده کنید . کیت شما آماده است .

آزمایش ترانزیستور

پایه های یک ترانزیستور را شناسایی کنید . گیره سوسماری هر پایه وصل کنید . گیره C به پایه کلکتور گیره B به پایه بیس و گیره E به پایه امیتر .

اگر LED قرمز روشن شد یعنی اینکه ترانزیستور سالم و ازنو ع منفی و دیود نورانی سبز رنگ روشن شود به معنی سالم بودن مثبت بودن آن است ولی گر هیچ یک از دیود روشن ها نشوند یا هر دو روشن شوند به معنی خراب بودن ترانزیستور می باشد .

آزمایش دیود :

برای آزمایش دیود گیری C را به پایه آند و گیره E به پایه کاتد وصل کنید اگر یکی از LED ها اندکی کم نورروشن شددیودسالم ودرغیراینصورت معیوب است.باتوجه به اینکه کدام LED کم نور روشن شده نیزمی توان جنس دیودراتشخیص داد.

آزمایش اتصال:

بوسیله این کیت می توانیداتصال مدارهای مسی رانسبت به قطع بودن آزمایش کنید.اگربه جایی ازخطوط مسی مشکوک هستیدکافی است گیرهایCوEرابه دو سر خط مورد نظر وصل کنید . اگر هر دو LED خاموش باشد مدار سالم و اتصال آن برقرار است ولی اگر هر دو روشن شوند جایی از مدار مسی قطع است .

شرح کار علمی مدار

ترانزیستور یک نیمه هادی سه لایه است که بستگی به نوع ساخت ان می توان آن را به دو نوع NPN و PNP طبقه بندی کرد .

ترانزیستور PNP یا مثبت در حقیقت مثل دو دیود عمل می کند . که فقط در بایاس معکوس پایه بیس کلکتور و امیتر اتصال دارد و در بقیه حالت ها اتصالی برقرار نیست اما در ترانزیستور نوع NPN یا منفی این حالت کاملاً برعکس است یعنی در بایاس مستقیم پایه بیس به کلکتور و امیتر اتصال دارد .و در بقیه حالت ها اتصالی برقرار نمی باشد .

تحقیق درباره ترانزیستور 2

اختصاصی از یارا فایل تحقیق درباره ترانزیستور 2 دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دسته بندی : برق و الکترونیک ،

فرمت فایل:  ورد ( قابلیت ویرایش و آماده چاپ ) 

---

 قسمتی از محتوای متن ...

تعداد صفحات : 10 صفحه

 چکیده مقاله :           ترانزیستور در سال 1947 در آزمایشگاه های بل هنگام تحقیق برای تقویت کننده های بهتر و یافتن جایگزینی بهتر برای رله های مکانیکی اختراع شد.
لوله های خلاء، صوت و موسیقی را در نیمه اول قرن بیستم تقویت کرده بودنداما توان زیادی مصرف می کردند و سریعا می سوختند .
ترانزیستور چیست؟
ترانزیستور در سال 1947 در آزمایشگاه های بل هنگام تحقیق برای تقویت کننده های بهتر و یافتن جایگزینی بهتر برای رله های مکانیکی اختراع شد.
لوله های خلاء، صوت و موسیقی را در نیمه اول قرن بیستم تقویت کرده بودنداما توان زیادی مصرف می کردند و سریعا می سوختند .
شبکه های تلفن نیز به صد ها هزار رله مکانیکی برای اتصال مدارات به همدیگر نیاز داشتند تا شبکه بتواند سر پا بایستد و چون این رله های مکانیکی بودند لازم بود برای عملکرد مطلوب همیشه تمیز باشند .
در نتیجه نگه داری و سرویس آنها مشکل و پر هزینه بود.
با ظهور ترانزیستور قیمت ها نسبت به زمان استفاده از لامپ خلاء شکسته شد و بهبودی زیادی در کیفیت شبکه های تلفن حاصل گردید.
ترانزیستور چگونه کار می کند؟
ترانزیستور کاربرد های زیادی دارد اما دو کاربرد پایه ای آن به عنوان سوئیچ و استفاده در مدولاسیون است که کاربرد دومی بیشتر به عنوان تقوت کننده مورد نظر است.
این دو کاربرد ترانزیستور را می توان اینگونه توضیح داد :سوئیچ همان کلید است مثل کلید چراغ خواب اتاقتان .
دارای دو حالت روشن و خاموش است با قرار دادن کلید در حالت روشن چراغ اتاقتان روشن می شود و با قراردادن کلید در حالت خاموش چراغ خاموش می شود .
بله به همین سادگی ! کاربرد ترانزیستور هم به عنوان سوئیچ به همن صورت است.
اما کاربرد تقویت کنندگی آن را می توان بدین صورت توضیح داد :چراغ خواب نور کمی دارد اما اگر بتوان این نور را چنان زیاد کرد که تمام اتاق را روشن کند آنوقت عمل تقویت کنندگی صورت گرفته است.
فرق بین سوئیچینگ به وسیله ترانزیستور و به وسیله کلید برق! سرعت بسیار زیاد ترانزیستور است که می توان گاهی آن را در مقایسه با کلید آنی در نظر گرفت(صد ها هزار برابر و شاید میلیونها بار سریعتر).
و اینکه ترانزیستور را می توان به دیگر منابع الکترونیکی متصل کرد مثلا به میکروفن به منبع سیگنال و حتی به یک ترانزیستور دیگر .
  متن بالا فقط تکه هایی از محتوی متن مقاله میباشد که به صورت نمونه در این صفحه درج شدهاست.شما بعد از پرداخت آنلاین ،فایل را فورا دانلود نمایید 

---

  لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود مقاله :  توجه فرمایید.

• در این مطلب،محتوی متن اولیه قرار داده شده است.
• به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در ورد وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید.
  
• پس از پرداخت هزینه ،ارسال آنی مقاله یا تحقیق مورد نظر خرید شده ، به ادرس ایمیل شما و لینک دانلود فایل برای شما نمایش داده خواهد شد.
• در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون بالا ،دلیل آن کپی کردن این مطالب از داخل متن میباشد ودر فایل اصلی این ورد،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد.
• در صورتی که محتوی متن ورد داری جدول و یا عکس باشند در متون ورد قرار نخواهند گرفت.
• هدف اصلی فروشگاه ، کمک به سیستم آموزشی میباشد.

• • توجه فرمایید که قیمت تحقیق و مقاله های این فروشگاه کمتر از 5000 تومان میباشد (به علت  اینکه بانک ها کمتر از 5تومان را انتقال نمیدهند) باید از کارت هایی استفاده نمایید که بتوان کمتر از مبلغ ذکر شده را پرداخت نمود.. در صورتی که نتوانستید پرداخت نمایید با پشتیبانی در تماس باشید،تا شمارا راهنمایی نمایند...

---

دانلود فایل   پرداخت آنلاین 

تحقیق و بررسی در مورد ترانزیستور (2)

اختصاصی از یارا فایل تحقیق و بررسی در مورد ترانزیستور (2) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 7

ترانزیستور

از ویکی‌پدیا، دایرةالمعارف آزاد

معرفی

ترانزیستور را معمولا به عنوان یکی از قطعات الکترونیک می شناسند. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم (سیلیکان) ساخته می شود.

کاربرد

ترانزیستور هم در مدارات الکترونیک آنالوگ و هم در مدارات الکترونیک دیجیتال کاربردهای بسیار وسیعی دارد. در آنالوگ می توان از آن به عنوان تقویت کننده یا تنظیم کننده ولتاژ (رگولاتور) و ... استفاده کرد. کاربرد ترانزیستور در الکترونیک دیجیتال شامل مواردی مانند پیاده سازی مدارهای منطقی، حافظه ها، سوئیچ کردن و ... می شود.

عملکرد

ترانزیستور از دیدگاه مداری یک عنصر سه پایه می باشد که با اعمال یک سیگنال به یکی از پایه های آن میزان جریان عبور کننده از دو پایه دیگر آن را می توان تنظیم کرد. برای عملکرد صحیح ترانزیستور در مدار باید توسط المان های دیگر مانند مقاومت ها و ... جریان ها و ولتاژ های لازم را برای آن فراهم کرد و یا اصطلاحا آن را بایاس کرد.

انواع

دو دسته مهم از ترانزیستورها BJT (ترانزیستور دوقطبی پیوندی) و FET (ترانزیستور اثر میدانی) هستند.

ترانزیستور دوقطبی پیوندی

در ترانزیستور دو قطبی پیوندی با اعمال یک جریان به پایه بیس جریان عبوری از دو پایه کلکتور و امیتر کنترل می شود. ترانزیستورهای دوقطبی پیوندی در دونوع npn و pnp ساخته می شوند. بسته به حالت بایاس این ترانزیستورها ممکن است در ناحیه قطع، فعال و یا اشباع کار کنند.

ترانزیستور اثر میدانی

در ترانزیستور اثر میدانی با اعمال یک ولتاژ به پایه گیت میزان جریان عبوری از دو پایه سورس و درین کنترل می شود. ترانزیستور اثر میدانی بر دو قسم است: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type. از دیدگاهی دیگر این ترانزیستورها در دو نوع افزایشی و تخلیه‌ای ساخته می شوند

فلیپ فلاپ

درالکترونیک و کامپیوتر، فلیپ فلاپ یک نوع مدار دیجیتال است که می تواند به عنوان

یک بیت حافظه عمل کند. یک فلیپ فلاپ می تواند شامل دو سیگنال ورودی، صفر یا

یک در پایه ورودی باشد. ضمنا یک فلیپ فلاپ دارای یک پایه زمانی(clock) و یک

خروجی(out put) و دو پایه set و reset می باشد.

بعضی از فلیپ فلاپ ها شامل یک پایه clear می باشند که خروجی را دوباره راه

اندازی(reset)می کنند. (در واقع فیلیپ فلاپ ها یکی از انواع مدارات مجتمع Ic))

هستند که برای کار به اتصالات تغذیه و زمین نیاز دارند.)

تغییرات پالسهای ورودی که منظور همان صفر و یک دیجیتال می باشند، بهمراه پایه clock

 سبب تغییرات در خروجی می شوند. (عملا هر تغییری در وضعیت خروجی، به طور

همزمان وابسته به تغییرات پالس در پایهclock است. مشخصات آیسی های فلیپ

فلاپ ها مثلا پایه های ورودی، خروجی و بقیه پایه ها توسط کارخانه های سازنده در

دفترچه هایی تحت عنوان دیتاشیت(data sheet) قرار می گیرند.)

فلیپ فلاپ ها انواع متفاوتی دارند که این انواع مختلف عبارتند از:

فلیپ فلاپ SR

فلیپ فلاپ JK

فلیپ فلاپ T

فلیپ فلاپ D

فلیپ فلاپ SR

مدار داخلی یک فلیپ فلاپ SR با استفاده از گیت NOR

فلیپ فلاپ SR یک المان فیزیکی است که می تواند به عنوان یک عنصر تاخیر دهنده

به کار گرفته شود. این المان فیزیکی دارای دو ورودی به نام های R و S می باشد و

دو خروجی دارد که یکی متمم دیگری است.

طرز کاراین فلیپ فلاپ در جدول صحت به این شکل است که وقتی عملکرد مدار را

بررسی می کنیم اگر S=1 و R=0 باشد، اصطلاحا می گویند مدار set است یعنی

خروجی آن 1 شده است. اگر پس از آن S=0 شود، مدار در وضعیت set باقی می

ماند ولی اگر R=1 شود اصطلاحا می گویند مدار Reset شده است یعنی خروجی در

این لحظه صفر است، و اگر در این لحظه R=0 شود مدار در حالت Reset باقی می

بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی

اختصاصی از یارا فایل بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزاینده¬ای بالا رفته است. گوردن مور معاون ارشد شرکت اینتل در سال 1965 نظریه¬ای ارائه داد مبنی بر اینکه در هر 18 ماه تعداد ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می¬رود دو برابر شده و اندازه آن نیز نصف می¬شود . این کوچک شدگی نگرانی¬هایی را به وجود آورده است. بر اساس این نظریه در سال 2010 باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه که یکی از اجزای اصلی ترانزیستور است به کمتر از یک نانومتر برسد. بنا بر این باید بررسی کرد، اکسید سیلیسیم به عنوان اکسید درگاه در ضخامت تنها کمتر از یک نانومتر انتظارات ما را در صنایع الکترونیک برآورده می¬کند یا نه. در راستای همین تحقیقات گروه دیگری از دانشمندان به بررسی نیترید سیلیکون به عنوان نامزد جدیدی برای اکسید درگاه پرداختند و نشان دادند که این ماده می تواند جایگزین مناسبی برای اکسید سیلیکون باشد . جهت تولید ترانزیستورهای نسل امروز احتیاج به دانشی داریم که بتوانیم در ابعاد نانو تولیدات صنعتی از تراشه¬ها را داشته باشیم. بنا بر این توجه جوامع علمی و اقتصادی جهان بر این شاخه از علم که به فن آوری نانو معروف است، جلب شده است. در این بین نانولوله¬های کربنی به دلیل خواص منحصر به فرد الکتریکی و مکانیکی که از خود نشان داده اند توجه بسیاری از دانشمندان را به خود جلب کرده¬اند. در راستای این تحقیقات ما به بررسی خواص الکتریکی نانولوله¬های کربنی پرداخته¬ایم. بسیاری از دانشمندان بر این باور هستند که نانولوله¬های کربنی به دلیل قابلیت رسانش ویژه یک بعدی جای مواد سیلیکونی در تراشه¬های نسل آینده را خواهند گرفت

✅سرفصل :
مقدمه
مقدمهای بر کربن و اشکال مختلف آن در طبیعت و کاربرهای آن
مقدمه
گونه های مختلف کربن در طبیعت
کربن بیشکل
الماس
گرافیت
فلورن و نانو لولههای کربنی
ترانزیستورهای اثر میدانی فلز اکسید نیمرسانا و ترانزیستور های اثرمیدانی نانولولهی کربنی
بررسی ساختار هندسی و الکتریکی گرافیت و نانولولههای کربنی
ساختار الکترونی کربن
اربیتال p کربن
روش وردشی
هیبریداسون اربیتالهای کربن
ساختار هندسی گرافیت و نانولولهی کربنی
ساختار هندسی گرافیت
ساختار هندسی نانولولههای کربنی
یاختهی واحد گرافیت و نانولولهی کربنی
یاختهی واحد صفحهی گرافیت
یاخته واحد نانولولهی کربنی
محاسبه ساختار نواری گرافیت و نانولولهی کربنی
مولکولهای محدود
ترازهای انرژی گرافیت
ترازهای انرژی نانولولهی کربنی
چگالی حالات در نانولولهی کربنی
نمودار پاشندگی فونونها در صفحهی گرافیت و نانولولههای کربنی
مدل ثابت نیرو و رابطهی پاشندگی فونونی برای صفحهی گرافیت
رابطهی پاشندگی فونونی برای نانولولههای کربنی
پراکندگی الکترون فونون
تابع توزیع الکترون
محاسبه نرخ پراکندگی کل
شبیه سازی پراکندگی الکترون – فونون
ضرورت تعریف روال واگرد
بحث و نتیجه گیری
نرخ پراکندگی
تابع توزیع در شرایط مختلف فیزیکی
بررسی سرعت میانگین الکترونها، جریان، مقاومت و تحرک پذیری الکترون
بررسی توزیع سرعت در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا
بررسی جریان الکتریکی در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا
بررسی مقاومت نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا
بررسی تحرک پذیری الکترون در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا
نتیجه گیری
پیشنهادات
ضمیمه ی (الف) توضیح روال واگرد.
منابع
چکیده انگلیسی

دانلود مقاله کامل درباره ترانزیستور 26 ص

اختصاصی از یارا فایل دانلود مقاله کامل درباره ترانزیستور 26 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 26

ترانزیستور را معمولاً به عنوان یکی از قطعات الکترونیک می‌‌شناسند. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم (سیلیکان) ساخته می‌شود.

تاریخچه :

سه نفر از دانشمندان لابراتوارهای بل در صدد کشف چیزی بودند که به جای لامپ رادیو به کار برند ولی کوچکتر و محکمتر باشد برق کمتری مصرف کند و دوام بیشتری داشته باشد و برر اثر کار زیاد نسوزد که ناگهان ترانزیستور را کشف کردند که تمام این خصوصیات را به علاوه مزایای بیشتری دارا است.در 30 ژوئن 1948 دکتر جان باردین و والد براتاین دانشمندان آزمایشگاه تحقیقاتی شرکت بل، واقع در نیویورک خبر اختراع خود را به عموم جهان رساندند. این اختراع ترانزیستور نام گرفت.یک ترانزیستور که بزرگتر از یک عدس نیست تقریباْ قادر است هر کاری را که لامپ‌های خلاء انجام می‌دادند، انجام دهد. به علاوه کارهایی را هم که این لامپها قادر به انجام آن نبودند انجام می‌دهد. به مرور زمان ترانزیستور جای لامپهای خلاء را گرفت. درست مثل اتومبیل که جای گاریهای قدیمی و اسبی را گرفت.اگر چه ترانزیستور می تواند کارهای لامپ خلاء را انجام دهد، اما اصلاْ شباهتی به آن ندارد. نه کاتدی دارد و نه شبکه و صفحه ای حتی شکل ظاهری آن هم با لامپ خلاء کاملاْ متفاوت است. ترانزیستور یک وسیله یک سو کننده و نوسان ساز بسیار عالی است و رل مهمی در تمامی صنایع جدید به عهده دارد. ترانزیستور بدون آنکه نیازی به گرم شدن داشته باشد به محض برقراری اتصال و ولتاژ شروع به کار می کند. جریان مصرفی آن، یک هزارم جریان مصرفی لامپ معمولی است. به همین دلیل بسیار ارزانتر و استفاده از آْن ساده‌تر است.ترانزیستور و مدار کوچک یکپارچه این امکان را به وجود آورد که رادیوهای کوچک جیبی و تلویزیونهای کوچکتر با تصویر بزرگتر ساخته شود. یک صنعت کاملا جدید پا به عرصه وجود گاشت. امروز از برکت دستگاه تنظیم قلب که با ترانزیستور کار می کند قلب بسیاری از بیماران به حال عادی می طپد. نابینایان با کمک دستگاههای ترانزیستوری می توانند موانع را ببینند نوار قلبی بیمار بستری را به وسیله تلفن به کارشناس قبل در هر نقطه دنیا که باشد می فرستند. هواپیماهای جت با سیستم هدایت سبک وزنی مجهز هستند و بالاخره همین مدار بسته یکپارچه است که امکانات سفر بشر به ماه را فراهم نمود.مصرف ترانزیستور به طور روزافزونی رو به ازدیاد است. در رادیو، تلویزیون، مدارات الکترونیکی، هواپیما، رایانه، پزشکی و موشک ترانزیستور استفاده می‌شود. در ابتدا وجود ترانزیستور باعث شد که ارتباطات تلفنی راه دور، به طور مستقیم و بدون استفاه از اپراتور امکان پذیر شود. برای اولین بار در تاریخ، ارتباط بین دو شهر انگل وود و نیوجرسی با استفاده از ترانزیستور برقرار شد.امروزه بعد از گذشت حدود نیم قرن ازاختراع ترانزیستور و مشتقات آن کار به جایی رسیده است که هر کس می تواند در منزل رایانه شخصی داشته باشد. ترانزیستور معمولی چیزی بیشتر از دو تکه سیم بسیار کوچک که در یک پولک ساخته شده از ژرمانیم یا سیلیکن قرار داده شده نیست.تئوری کار ترانزیستور کمی پیچیده و تکنیکی است اما هر چه هست در ساخت آن از خواص نیمه رسانا استفاده شده است که از زمان کشف آن مدت زیادی نمی گذرد.در نیمه رساناها مثل ژرمانیم و سیلیکن تعداد کمی الکترون حامل جریان وجود دارد شاید یک الکترون در هر یک میلیون اتم. اگر چه این رقم خیلی کوچک است، اما می توان با تغییر ساختمان داخلی مواد، با استفاده از میدانهای الکتریکی این رقم را هزار برابر نمود.برای روشن تر شدن مفهوم بالا باید ساختمان اتم را کمی بیشتر مطالعه کرد. الکترونهای موجود در مواد نارسانا در مدارهای مختلف بهصورت حلقه ای در اطراف هسته اتم در چرخش هستند و سرعت زیاد و تولید انرژی فراوان سبب می شود که الکترونها نتوانند از مسیر خود منحرف و یا جابجا شوند.در نتیجه الکترونها امکان برقراری هیچ نوع جریان الکتریکی را نمی یابند. در اجسام نارسانا، پوسته الکترونی و یا باند ظرفیتی آن(آخرین حلقه الکترون دار به دور هسته اتم) از باند هدایت جدا بوده و انرژی بسیار زیادی لازم است تا یک الکترون را از پوسته الکترونی جدا کند و به باند هدایت کننده بفرستد. اما در اجسام رسانا مانند فلزات این پوسته الکترونی یا باند هدایت کننده تداخل پیدا کرده و الکترونهای به راحتی جابجا می شوند.در یک عنصر نیمه رسانا مانند ژرمانیم و یا سیلیکن الکترونهای موجود در باند ظرفیت نزدیک به باند هدایت کننده قرار ندارند اما می توان با تحریک خارجی آنها را در هم داخل کرد. به طور مثال گرمای محیط و اتاق می تواند تعداد زیادی الکترونهای اتم ژرمانیم را به باند هدایت بفرستد و در اثر این جابجایی حفره هایی در محل های قبلی الکترونها به وجود می آید.این حفره ها حامل بار مثبت بوده و حاضر به پذیرش الکترونهای عناصر قبلی و مواد دیگر هستند. حفره ها نه تنها الکترونها را می پدیرند بلکه خود به طرف باند هادی حرکت می کنند و در اثر این حرکت جریانی را به وجود می آورند و در عین حال الکترونها را هم در مسیر همین جریان با خود حمل می کنند.کمترین تحریک خارجی حفره ها را در جهت حفره هایی که از فرار لکترونها به سمت باند هادی به وجود آمده است به حرکت درآورده و این حفره های متحرک علاوه بر اینکه خود تولید جریان می نمایند، الکترونهایی را که از مواد خارجی دیگر به داخل اتم ژرمانیم وارد شده اند حمل کرده و در نتیجه باعث افزایش جریان می شوند.تشریحات آزمایشگاه تحقیقاتی بل در اول جولای سال 1948 چنین می گوید: کار ترانزیستور بر پایه این حقیقت که الکترونهای موجود در نیمه رساناها می توانند به دو صورت متفاوت جریان را برقرار کنند، قرار دارد. بیشتر الکترونهای موجود در نیمه رسانا اصولاٌ‌ کمکی به برقراری جریان نمی کنند. بلکه آنها در وضعیت ثابتی به هم چسبیده اند.