بررسی میدانی انواع ناکاملی های هندسی در مخازن فولادی استوانه ای

اختصاصی از یارا فایل بررسی میدانی انواع ناکاملی های هندسی در مخازن فولادی استوانه ای دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

• مقاله با عنوان: بررسی میدانی انواع ناکاملی های هندسی در مخازن فولادی استوانه ای  

• نویسندگان: حسین شوکتی ، مهدی رستگار  

• محل انتشار: هشتمین کنگره ملی مهندسی عمران - دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل - 17 و 18 اردیبهشت 93  

• محور: سازه های فولادی  

• فرمت فایل: PDF و شامل 9 صفحه می‌باشد.

چکیــــده:

با گسترش روزافزون مصرف انرژی در جهان نیاز به سوخت‌های فسیلی و نیز تولید فرآورده‌های نفتی روز به روز در حال گسترش می‌باشد. به جهت ذخیره سازی این مواد از مخازن فولادی استفاده می‌گردد. طراحی این مخازن با توجه به استانداردهای مربوطه انجام شده و بر اساس نقشه‌های اجرایی ساخت مخازن صورت می‌گیرد. در اجرای این مخازن از ورق‌های فولادی با ابعاد و ضخامت‌های مشخصی استفاده می‌گردد. طی چندین مرحله عملیات رولینگ بر روی ورق‌ها با حصول انحنای شعاع مخزن عملیات نصب بصورت محیطی و در لایه‌های مختلف انجام می‌گیرد. از این مرحله است که ناکاملی های هندسی متعددی بوجود می‌آیند که برخی از آن‌ها تا حدودی اصلاح شده و برخی نیز پس از اتمام اجرا در جداره مخزن باقی می‌مانند. در این تحقیق با بررسی مخازن استوانه‌ای در حال ساخت یکی از پالایشگاه‌ها، در حالت میدانی ناکاملی‌های مختلف بوجود آمده شناسایی و اندازه گیری شده، با گروه بندی و آمارگیری از تعداد و نوع آنها، ناکاملی‌های شایع مشخص می‌گردد. سپس با مدلسازی آن‌ها در نرم افزار المان محدود بصورت کامل و نیز همراه با ناکاملی و با اعمال بارگذاری‌های مختلف، حساسیت پاسخ مخزن به ناکاملی و بار مربوطه مشخص گردیده و نتایج حالات مختلف بایکدیگر مقایسه می‌گردند.

________________________________

** توجه: خواهشمندیم در صورت هرگونه مشکل در روند خرید و دریافت فایل از طریق بخش پشتیبانی در سایت مشکل خود را گزارش دهید. **

** توجه: در صورت مشکل در باز شدن فایل PDF مقالات نام فایل را به انگلیسی Rename کنید. **

** درخواست مقالات کنفرانس‌ها و همایش‌ها: با ارسال عنوان مقالات درخواستی خود به ایمیل [e-mail] پس از قرار گرفتن مقالات در سایت به راحتی اقدام به خرید و دریافت مقالات مورد نظر خود نمایید. **

دانلود تحقیق ترانزیستور اثر میدانی

اختصاصی از یارا فایل دانلود تحقیق ترانزیستور اثر میدانی دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

فرمت فایل : word(قابل ویرایش)

تعداد صفحات:84

فهرست مطالب :

    فصل اول
    مشخصات JFET
    مقدمه
    ساختمان و مشخصه‌های JFETها
    مقاومت کنترل ولتاژ
    قطعات کانال p
    نمادها
    خلاصه
    مشخصات MOSFET
    MOSFET نوع تهی
    اساس ساختمان
    کار قطعه و مشخصه‌های آن
    کاهش در حاملهای آزاد کانال بدلیل پتانسیل منفی پایانه گیت
    MOSFET نوع تهی کانال p
    نمادها، ورقه‌های مشخصه، و ساختمان بدنه
    MOSFET نوع افزایشی
    اساس ساختمان
    اساس کار و مشخصه‌ها
    MOSFETهای نوع افزایشی کانال p
    مولتی ویبراتورها
    مولتی ویبراتور دو حالته
    نیاز به تریگر کردن
    مولتی ویبراتور یک حالته و نوسانی
    مولتی ویبراتور یک حالته با کوپلاژ امیتر
    مدارهای مولتی ویبراتور نوسانی
    مولتی‌ویبراتور نوسانی با کوپلاژ جمع‌کننده
    مولتی ویبراتور نوسانی با کوپلاژ امیتر (نوع اول)
    مدار مولتی ویبراتور نوسانی با کوپلاژ امیتر (نوع دوم)
    مولتی ویبراتور آستابل (Astable)
    مولتی ویبراتور آستابل با استفاده از FET
    انواع دیگر مولتی ویبراتورها

فصل اول
مشخصات JFET
1ـ1 مقدمه
ترانزیستور اثر میدانی (یا به اختصار FET) قطعه‌ای سه پایانه است که در موارد بسیاری بکار می‌رود و در مقیاس وسیعی با ترانزیستور BJT رقابت می‌کند. اگرچه اختلافات مهمی بین این دو نوع قطعه وجود دارد اما تشابه بسیاری نیز بین آنها وجود دارد که در بخشهای بعد به آن اشاره خواهد شد.
اختلاف نخست بین او دو نوع ترانزیستور در آن است که ترانزیستور BJT همانگونه که در شکل (الف 1ـ1) نشان داده شد یک قطعه کنترل جریان است، در حالیکه ترانزیستور JFET همانگونه که در شکل (ب 1ـ1) دیده می‌شود یک قطعه کنترل ولتاژ است. به بیان دیگر، جریان IC در شکل (الف 1ـ1) تابع مستقیم مقدار IB است. در FET جریان I تابعی از ولتاژ VGS است که مطابق شکل (ب 1ـ1) به ورودی مدار اعمال می‌شود. در هر حالت جریان مدار خروجی با یک پارامتر ورودی کنترل می‌شود. در یک حالت بوسیله جریان و در دیگری بوسیله ولتاژ اعمال شده.




شکل (1ـ1) (الف) تقویت کننده کنترل جریان (ب) تقویت کننده کنترل ولتاژ
درست مانند ترانزیستورهای npn و pnp قطبی، ترانزیستورهای اثر میدانی نیز از دو نوع کانال n و کانال p هستند. از اینرو، مهم است به خاطر داشته باشید که ترانزیستور BJT یک قطعه دو قطبی (bipolar) است. یعنی میزان هدایت در آن تابع دو نوع حامل است: الکترونها و حفره‌ها. FET قطعه‌ای تک‌قطبی است که فقط به هدایت اکلترون در (کانال n) و یا حفره (کانال p) وابسته است.
عبارت «اثر میدانی در نام این ترانزیستور با خود توضیحاتی را بهمراه دارد. ما همه با توانایی یک مغناطیس دائمی آشنا هستیم که براده‌های فلزی را بدون تماس واقعی به سوی خود می‌کشد. میدان مغناطیسی یک مغناطیس دائمی براده‌های آهن را در امتداد خطوط شار مغناطیسی جذب می‌کند. در FET، بوسیله بارهای آن میدان الکتریکی بوجود می‌آید که مسیر هدایت جریان خروجی را کنترل می‌کند بدون تماس مستقیم بین کنترل کننده و کمیتهای کنترل شونده.
این تمایل طبیعی است که دومین قطعه را با تعدادی از کاربردهای مشابه قطعه اول معرفی کرده و برخی مشخصه‌های آن را با هم مقایسه کنیم. یکی از مهمترین شاخصه‌ای FET، امپدانس ورودی زیاد آن است. مقاومت ورودی آن در اندازه‌های 1 تا چند صد مگااهم از مقاومت ورودی ترانزیستور BJT بیشتر می‌شود. و این شاخصه‌ای است که در طراحی سیستمهای تقویت ac خطی بسیار مهم است. به به عبارت دیگر، با ولتاژ اعمال شده یکسان تغییر در جریان خروجی معمولاً برای BJT بیشتر از FETها است. به همین دلیل، معمولاً بهره ولتاژ ac تقویت کننده‌های BJT خیلی بیشتر از FETهاست. بطور کلی، FETها در مقابل حرارت با ثبات‌تر از BJTها هستند. FETها معمولاً از نظر ساختمان از BJTها کوچکترند و این امر بطور ویژه کاربردشان را در تراشه‌های مدار مجتمع (آی‌سی) کارآمد می‌سازد. مشخصه‌های ساختمان برخی FETها در بکارگیری آنها بسیار موثر است.
دو نوع FET در این فصل معرفی می‌شود: ترانزیستور اثر میدانی پیوندی (JFET) و ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلز (MOS-FET)، دسته MOSFET خود به دو نوع تهی و افزایشی تقسیم می‌شوند که هر دو نوع آن شرح داده می‌شوند. ترانزیستور MOSFET یکی از مهمترین قطعات مورد استفاده در طراحی و ساخت مدارهای مجتمع کامپیوترهاست. ثبات حرارتی، و دیگر مشخصه‌های اصلی آنها، کاربردشان را در طراحی مدارهای کامپیوتری متداول ساخته است.