مدلسازی تحلیلی اثرات کانال کوتاه در ترانزیستورهای با گیت دو مادهای احاطه شده در شرایط زیر آستانه

اختصاصی از یارا فایل مدلسازی تحلیلی اثرات کانال کوتاه در ترانزیستورهای با گیت دو مادهای احاطه شده در شرایط زیر آستانه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقالات علمی پژوهشی برق با فرمت           Pdf           صفحات  15

چکیده:
در این مقاله با استفاده از مدل پتانسیل دو بعدی بدست آمده و بر اساس مدل تحلیلی ولتاژ آستانه به عنوان ولتاژ گیتی که در اثر آن وارونگی
حاملها در کانال رخ میدهد , به بررسی برخی آثار کانال کوتاه پرداخته شده است. از جمله مهمترین اثرات کانال کوتاه در ترانزیستور
ماسفت با گیت دومادهای احاطه شده , تغییرات ولتاژ آستانه، کاهش سد پتانسیل با القای درین و شیب زیر آستانه است. مدلسازی اثرات
کانال کوتاه بر مبنای مفهوم کاتد مجازی و در شرایط کاری زیر آستانه انجام گرفته است. به عبارتی کاتد مجازی صفحهای در امتداد طول
کانال است که مینیمم پتانسیل درآن اتفاق میافتد.در این ساختارها به دلیل دومادهای بودن گیت و احاطه شدن کامل کانال با گیت , کنترل
مطلوبی روی آثار کانال کوتاه خواهیم داشت.در پایان تطبیق مناسب بین نتایج شبیهسازی و مدلهای ارائه شده , صحت مدلها را
تائید میکند.
واژگان کلیدی: اثرات کانال کوتاه، کاهش ولتاژ آستانه ، کاهش سد پتانسیل با القای درین ، شیب زیر آستانه