بررسی مسائل فقهی - حقوقی و قانونی پیوند اعضاء

اختصاصی از یارا فایل بررسی مسائل فقهی - حقوقی و قانونی پیوند اعضاء دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

  نوع فایل : پاورپوینت

  تعداد صفحات : 31 صفحه

چکیده :

1- خرید و فروش اعضاء برای پیوند چه حکمی دارد؟ (مشابه خون)

2- در موارد زیر آیا از فردی که در حال مرگ مغزی است ولی  به وسیله دستگاه تنفس مصنوعی به حیات نباتی ادامه می دهد واز نظر پزشکی امکان برگشت وی وجود ندارد و مرده تلقی می شود می توان عضوی را (مثل چشم یا کلیه) برای پیوند خارج کرد؟

     الف- در مورد مسلمانان بطور کلی

     ب- در مورد مسلمانان با وصیت قبلی و یا جواز اطرافیان

     ج- در مورد غیر مسلمانان

اسلایدهای بررسی مسائل فقهی-حقوقی و قانونی پیوند اعضاء را در قالب فایل پاورپوینت  دانلود نمایید. دانشجویان رشته حقوق و رشته پزشکی می توانند اسلایدهای بررسی مسائل فقهی-حقوقی و قانونی پیوند اعضاء را دانلود کرده و مورد استفاده قرار دهند.

در این اسلایدهای بررسی مسائل فقهی-حقوقی و قانونی پیوند اعضاء با قوانین مربوط به پیوند اعضاء آشنا می شوید.

پیوند شیمیایی

اختصاصی از یارا فایل پیوند شیمیایی دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

22 ص

پیوند شیمیایی

اتمهای گازهای بی‌اثر میل ندارند با عنصرهای دیگر پیوند تشکیل دهند یا با اتمهای دیگری از نوع خود به یکدیگر بپیوندند، ولی عنصرهای دیگر به جز گازهای بی‌اثر نمی‌توانند به تنهایی و بدون پیوستن به اتمهای عنصرهای دیگر یا اتمهای دیگری از نوع خود به بقای خود ادامه دهند و حتما باید با اتم یا اتمهای دیگر پیوند تشکیل دهند. به هم پیوستن دو اتم را معمولا تشکیل پیوند می‌گویند .

دید کلی

بررسی مواد ساده و مرکب در طبیعت نشان می‌دهد که اکثریت قریب به اتفاق اتمها در طبیعت به حالت آزاد وجود ندارند. مواد ساده‌ای که در طبیعت به حالت آزاد وجود دارند، بندرت بصورت مولکول تک اتمی‌هستند. بیشتر مواد ساده بصورت مولکولهای دو یا چند اتمی در ‌طبیعت پیدا می‌شوند. برای مثال گاز هیدروژنی که از اثر اسیدها بر فلزها یا از تجزیه الکتریکی آب یا از هر راه دیگری بدست می‌آید، بصورت مولکول دو اتمی است.

اکسیژن نیز در اغلب موارد بصورت مولکول دو اتمی و گاهی نیز بصورت مولکول سه اتمی اوزون یافت می‌شود. فسفر سفید بصورت مولکول چهار اتمی و گوگرد بصورت مولکول هشت اتمی است. تنها گازهای بی‌اثر در طبیعت بصورت تک اتمی یافت می‌شوند.

پیوند یونی 5ص

اختصاصی از یارا فایل پیوند یونی 5ص دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

5 ص

پیوند یونی

پیوند یونی نوعی از پیوند شیمیایی است که برپایه نیروی الکترواستاتیک بین دو یون با بار مخالف شکل می‌گیرد.

ترکیبات یونی متشکل از تعداد زیادی آنیون و کاتیون هستند که با طرح معین هندسی در کنار هم قرار گرفته‌اند و یک بلور بوجود می‌آورند. هر بلور ، به سبب جاذبه‌های منفی ـ مثبت یونها به هم ، نگهداشته شده است. فرمول شیمیایی یک ترکیب یونی نشانه ساده‌ترین نسبت یونهای مختلف برای به وجود آوردن بلوری است که از نظر الکتریکی خنثی باشد.

ماهیت یون

وقتی اتم‌ها به یون تبدیل می‌شوند، خواص آنها شدیدا تغییرمیکند. مثلا مجموعه‌ای از مولکولهای برم قرمز است. اما یونهای در رنگ بلورماده مرکب هیچ دخالتی ندارند. یک قطعه سدیم شامل اتم‌های سدیم‌ نرم است. خواص فلزی دارد و بر آب به شدت اثر می‌کند. اما یونهای در آب پایدارند.

مجموعه بزرگی از مولکولهای کلر ، گازی سمّی به‌رنگ زرد مایل به سبز است، ولی یونهای کلرید مواد مرکب رنگ ایجاد نمی‌کنند و سمّی نیستند. به همین لحاظ است که یونهای سدیم و کلر را به صورت نمک طعام می‌توان بدون ترس از واکنش شدید روی گوجه فرنگی ریخت. وقتی اتم‌ها به صورت یون در می‌آیند، ماهیت آنها آشکارا تغییر می‌کند.

طراحی ترانزیستورهای ماسفت سرعت بالا با کمک پیوند سورس کانال ناهمگون

اختصاصی از یارا فایل طراحی ترانزیستورهای ماسفت سرعت بالا با کمک پیوند سورس کانال ناهمگون دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

چکیده

فناوری Si CMOS به دلیل مصرف توان پایین، تراکم بالای تراشه ها، نویز پایین و قابلیت اطمینان به عنوان فناوری غالب در عرصه VLSI شناخته شده است. در گذشته تحقیقات گسترده بر روی سیلیسیم تحت کرنش رشد چشم گیری یافته است. در این پایان نامه، ساختار جدیدی معرفی می گردد که محدودیت قاعده مقیاس بندی را از طریق تلفیق کرنش با مهندسی زیرنوار، تا حدود زیادی مرتفع می سازد. این ساختار ترانزیستور MOSFET با کانال کرنش یافته و پیوند ناهمگون در سورس می باشد.

افزاره مورد بررسی، عملکرد بهتر و سرعت بالایی نسبت به افزاره های CMOS توده ای دارد. علاوه بر این، فرایند ساخت این افزاره با فناوری ساخت CMOS کاملا منطبق می باشد و در تمامی حوزه هایی که افزاره های توده ای قابل استفاده هستند، کاربرد دارد.

تحلیل های عددی نشان می دهند که استفاده از کرنش و پیوند ناهمگون در ساختار این ترانزیستور، موجب بهبود قابلیت حرکت حامل ها، افزایش جریان حالت روشنی و هدایت انتقالی و نیز بهبود مشخصات DC افزاره می گردد. از جمله مشکلاتی که در این افزاره وجود دارد، نشتی تونل زنی نوار به نوار به دلیل استفاده از ماده SiGe می باشد که به افزایش جریان حالت خاموشی در این افزاره منجر می گردد و علی رغم جریان راه انداز بالا، موجب محدودیت در استفاده از این افزاره برای کاربردهای توان پایین می شود. جهت رفع این عیب برای اولین بار از ساختار اکسید نامتقارن و مهندسی زیر نوار برای کاهش جریان نشتی در این افزاره استفاده شده است. ساختار پیشنهاد شده، 93% کاهش در جریان حالت خاموشی ایجاد کرد. همچنین به منظور افزایش بیشتر جریان حالت خاموش، ساختار SHOT دو گیتی پیشنهاد شد که جریان راه انداز آن تقریبا دو برابر SHOT تک گیتی می باشد. جهت کاهش جریان نشتی افزاره SHOT دو گیتی از ایده اکسید گیت نامتقارن و مهندسی تابع کار استفاده شده است. ساختار پیشنهاد شده 90% کاهش در جریان نشتی ایجاد نموده است.

همچنین با در نظر گرفتن تاثیرات مهمی که اثرات خودگرمایی در کاهش جریان افزاره و بروز پدیده مقاومت منفی دارد، ساختار MOSFET با پیوند ناهمگون در سورس با ساختار عایق چند لایه ای پیشنهاد شد. ساختار پیشنهادی، دمای افزاره در کانال را کاهش می دهد و مشخصه جریان خروجی ترانزیستور را بهبود می بخشد.

مقدمه

افزون بر 20 سال است که صنعت میکرو الکترونیک کمابیش همگام با قاعده مور پیش می رود. اعمال قاعده مقیاس بندی در فناوری CMOS منجر به بهبود چگالی افزاره ها، بهبود عملکرد و کاهش هزینه ساخت آنها گردیده است. با ادامه قاعده مقیاس بندی در مدارات مجتمع با این سوال مواجه می شویم که آیا صنعت میکروالکترونیک به حد نهایی مقیاس بندی رسیده است یا نه؟ از جمله مشکلات قابل ذکر که فناوری CMOS در مسیر مقیاس بندی در رژیم زیر 100 نانومتر با آن مواجه می باشد، می توان به اثرات کانال کوتاه، توان مصرفی، ولتاژ آستانه، اثرات میدان بالا، مشخصه های اکسید گیت، تاخیرهای اتصالات داخلی و نقش نگاری اشاره نمود. در فناوری Si   CMOS افزایش تراکم ناخالصی کانال برای محدود کردن اثرات کانال کوتاه صورت می گیرد ولی متاسفانه این امر به کاهش قابلیت حرکت و تقویت جریان نشتی منتهی می گردد. برای رفع این مشکل SOI MOSFET های فوق العاده نازک طراحی شده اند که از مزایای زیر برخوردارند:

1) عدم نیاز به آلایش و یا نیاز به آلایش کم کانال در این افزاره ها، مشکل اثر کانال کوتاه را رفع می نماید.

2) کاهش پراکندگی کولمبی و میدان موثر عمودی به ارتقا قابلیت حرکت حامل ها در کانال SOI MOSFET ها منتهی شده و خازن پارازیتی پیوند سورس / درین کاهش می یابد.

3) فرایندهای جداسازی ساده مانند فناوری mesa به راحتی به فرایند ساخت این افزاره ها قابل اعمال می باشد.

4) مشکل نوسانات کوچک ولتاژ آستانه، به دلیل تراکم پایین ناخالصی های کانال مرتفع می شود.

با وجود تمام مزایای ذکر شده، قابلیت حرکت حامل ها و بالاخص قابلیت حرکت حفره ها در لایه وارون کانال سیلیسیم توده ای در SOI MOSFET ها در مقایسه با دیگر نیمه هادی ها مانند Ge و GaAs کاملا پایین می باشد. این امر موجب محدودیت در سرعت کلیدزنی افزاره های CMOS زیر 100 نانومتر می گردد. بنابراین استفاده از روش هایی مانند اعمال کرنش به سیلیسیم معمولی جهت افزایش قابلیت حرکت حفره ها و یا استفاده از موادی که خصوصیات انتقال بهترین نسبت به سیلیسیم معمولی دارند، به دو دلیل ممکن است راه حل مناسبی باشد. در اثر رشد چاه های کوانتومی Si/Ge در کانال، کرنش مابین لایه های سیلیسیم و سیلیسیم ژرمانیم شکل می گیرد؛ در این راستا، قابلیت حرکت الکترون ها و حفره ها حداقل تا میزان دو برابر افزایش می یابد. بنابراین Strained Si MOSFET از ساختارهایی هستند که در آنها قابلیت حرکت الکترون ها و حفره ها بالا می باشد علاوه بر این، حامل های محبوس در چاه کوانتومی، از پراکنش ناخالصی های یونیزه شده در مقایسه با سامانه ماده Si/SiO2 به میزان زیادی جلوگیری می نماید. سامانه Si/Ge با کمک به افزایش جریان راه انداز موجب کاهش زمان های تاخیر اتصالات داخلی می شود. برای یاری جستن از مزایای توام فناوری SOI MOSFET و strained Si MOSFET ترکیب جدیدی از MOSFET ها تحت عنوان Strained SOI MOSFET پدید آمده اند.

تعداد صفحه : 125

شاهنامه فردوسی نقطه پیوند ایران، اسلام و تشیع

اختصاصی از یارا فایل شاهنامه فردوسی نقطه پیوند ایران، اسلام و تشیع دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

می لعل پیش آور ای هاشمی زخمی که هرگز نگیرد کمی
سخن از پیوند ایران و اسلام و نمادها و نشانه های این پیوند مبارک و تاریخ ساز است. محققان ثابت کرده اند که ایرانی جماعت، نه از روی ترس از شمشیر تازیان و مقولاتی از این دست، بلکه آزادانه و آگاهانه، اسلام را برگزید و به انگیزه تخلص از ستم سیاسی و تبعیض طبقاتی رژیم ساسانی، به اصول و احکام نجاتبخش این دین (معنویت الهی، کرامت انسانی و عدالت اجتماعی) دل بست و خستو شد. شاهدد روشن این امر آن است که در صف انبوه دانشوران و سیاستگران و عارفان دوران تمدن اسلامی، بیشترینه چهره های شاخص و نام آشنا، ایرانی اند و پهنه تاریخ 14 قرنه اسلامی، گویی تفسیر این کلام مشهور نبوی صلی الله علیه و آله است که فرمود:
ـ اگر «علم» (و در روایتی: «ایمان») بر ستاره پروین آویخته باشد، مردانی از ایران بدان چنگ خواهند زد.
ایرانی مسلمان، همچنین بتدریج از بین تمامی فرقه ها و نحله های اسلامی، مذهب خاندان پیامبر علیهم السلام یعنی تشیع را برگزید که به جای تحمیل حاکمیت نژاد عرب بر دیگر ملل، اصل تقوا و شایستگی علمی و عملی را معیار کرامت فردی و اجتماعی می شناخت و با تمسک به این مذهب، صف خویش را از خلیفگان اموی و عباسی جدا ساخت و چه هزینه ها نیز بابت این انتخاب و پایداری بر سر آن نپرداخت. استاد شهید مطهری، بدرستی علت گرایش ایرانیان به اسلام را همان علت گرایش آنان به تشیع می داند: تکاپوی دستیابی به گوهر معنویت و عدالت قرآنی که بساط خلفا از آن خالی بود و تنها در خانه گلین علی و فاطمه و فرزندان آنان علیهم السلام یافت می شد و بس!