دانلود تحقیق کامل درباره بیماری سفیدک سطحی مو

اختصاصی از یارا فایل دانلود تحقیق کامل درباره بیماری سفیدک سطحی مو دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 13

بیماری سفیدک سطحی مو

عامل بیماری: Uncinula necator

مقدمه

سالها تصور می‌کردند که اصل و مبدا سفیدک حقیقی مو از آمریکا است ولی طبق بعضی از شواهد و مدارک موجود مبدا آن از سرزمین ژاپن است. ابتدا چنین به نظر می‌رسید که در اروپا این بیماری چندان مورد توجه واقع نمی‌شده است. بطور کلی این بیماری از لحاظ تاریخی یکی از قدیمی‌ترین بیماری قارچی است در اواخر قرن گذشته شدیدا به تاکستانهای فرانسه حمله کرده است.

تاریخچه پیدایش بیماری در ایران

در ایران برای اولین بار در فاصله سالهای 1251-1250 این بیماری در ارومیه دیده شده است. همچنین طبق اطلاعات کسب شده ابتدا در نواحی مرکزی ارومیه بروز کرده و بعدا به سایر نقاط شمالی و غربی و جنوبی و بعضی نقاط دیگر سرایت کرده است.

Mildew این بیماری درنقاط مختلف ایران به نامهای سیاه بود (در اصفهان)،آق(در ارومیه)چور(در مراغه)، قاریا (در قزوین) وباد زدگی(در شهریار) نامیده می شود. سفیدک سطحی مو دراواسط قرن نوزدهم وارد اروپای غربی شد وکم کم در تمام قاره منتشر گردید. عامل بیماری به افتخارTucker ، باغبان انگلیسی که اولین بار در سال 1845 متوجه بیماری شد Oidium tuekeri Berk نامگذاری شد. در سال 1847 برای اولین بار بیماری در فرانسه مشاهده شد وخسارت شدید به موستانها وفرآورده های آن وارد گردید. گزارش معتبری درباره اولین گزارش ومحل بروز بیماری درایران دیده نشد. بنا به مطالعات به عمل آمده بیماری سفیدک سطحی مو اولین بار بین سالهای 51ـ1250 در ارومیه بوسیله حسنعلی نواب دیده شده است ـ وامروز در تمام نقاط موخیز کشور به ویژه در موکاریهای آذربایجان شرقی وغربی، خراسان، اطراف تهران ، زنجان، اراک ،قزوین ، اصفهان ، فارس ، گلپایگان، باختران ، خرم آباد لرستان ومحلات شیوع دارد وخسارت هنگفتی را باعث می شود خسارت بیماری در مناطق با شرایط مناسب آب وهوائی مخصوصاً روی ارقام حساس بسیار شدید است. بطوریکه گاهی یک خوشه سالم نیز روی این بوته های مو نمی توان مشاهده کرد و 100%‌محصول غیر قابل فروش واستفاده می شود.

مناطق انتشار در ایران

در ایران بیماری سفیدک مو در نقاط آذربایجان ، خراسان و اطراف تهران ، زنجان ، اراک ، قزوین ، اصفهان ، ارومیه ، فارس ، کاشان ، کرمانشاه ، گلپایگان ، خرم آباد ، محلات و بطور کلی در کلیه استانهای ایران در تمام نقاط انگورخیز ایران به چشم می‌خورد.

عامل بیماری

عامل بیماری سطحی مو قارچی است از رده آسکوسیت‌ها و از خانواده Erysiphaceae. رشته‌های میسلیومی این قارچ دارای رشد سطحی بوده و بوسیله هوستوریوم یا لکه‌هایی به داخل سلولهای اپیدرمی و کوتیکول نفوذ می‌نماید. بر روی توده‌های متراکم میسلیوم پایه‌های کنیدیوفور تشکیل می‌گردد که در انتهای آن زنجیری از کنیدی‌ها قرار می‌گیرند. کنیدی‌ها بی‌رنگ ، تخم‌مرغی کشیده بدون جدار عرضی است. پریتسیوم یا اندام جنسی قارچ در اواخر فصل به ندرت روی برگها و یا ساقه تشکیل می‌گردد. در داخل هر پریتسیوم چند آسک و هر آسک محتوی هشت آسکوسپور می‌باشد.

زیست شناسی

قارچ عامل سفیدک سطحی مو زمستان را به صورت میسلیوم در داخل جوانه‌ها به سر می‌برد. در اول بهار رشد نموده کنیدی و کیندیوفور ایجاد می‌نماید و بدین وسیله بیماری از سالی به سال دیگر انتشار می‌یابد. کنیدی‌ها نیز ممکن است در زمستان زنده باقی بمانند و موجب انتقال بیماری در سال آینده شوند. بعضی از محققین معتقدند که آلودگی اولیه سفیدک سطحی در اوایل بوسیله آسکوسپورهایی که از داخل پریتسیوم‌های موجود روی برگهای افتاده آزاد می‌شوند بوجود می‌آیند احتمالا در ایران پریتسیوم در انتقال بیماری از سالی به سال دیگر نقشی ندارد.

زیرا این اندام‌ها به ندرت فقط در ارومیه ، کاشان ، کرج ، مراغه ، تهران و آن هم به تعداد کم دیده شده است و با توجه به این که سفیدک در تمام مناطق موکاری کشور شیوع دارد به احتمال زیاد انتشار آن توسط میسلیوم و یا احتمالا کنیدی صورت می‌گیرد. درجه حرارت پایین تر از 5 درجه سانتیگراد برای رشد سفیدک مناسب نیست و از 30 درجه سانتیگراد به بالا هم قارچ از رشد باز می‌ایستد.

علایم بیماری:

علایم بیماری سفیدک حقیقی در روی همه ی اندامهای هوایی جوان ظاهر می گردد.

علایم این ابتدا به صورت لکه های سفید در سطح فوقانی برگ ظاهر می شود و سپس روی آنها کنیدیوفورهای قارچ به صورت پودر یا پوشش آردی ظاهر می گردند . اگر بیماری تشدید یابد سطح تحتانی برگها نیز ممکن است به سمت بالا لوله شود .

برگهای آلوده در تابستان قهوه ا ی شده زودتر از پائیز خزان می کنند. علائم بیماری درون سر شاخه های جوان نیز به صورت لکه های سفید ظاهر می گردند. در پائیز لکه ها به رنگ قهوه ای مایل به سیاه در می آیند.

قارچ روی غوره ها را به صورت پودر سفید رنگی می پوشاند. حبه ها ترش و نارس باقی می مانند .در حبه های رسیده تر آن قسمت از پوست حبه که

مدل رقومی زمین و آنالیز جریان های سطحی آب 30 ص

اختصاصی از یارا فایل مدل رقومی زمین و آنالیز جریان های سطحی آب 30 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 31

مدل رقومی زمین و آنالیز جریان های سطحی آب

چکیده:

در دهه های اخیر، پیشرفت در علومی نظیر متوگرامتری، لیزر اسکن و فتوگرامتری فضایی مرزهای بدست آوردن اطلاعات زمینی را توسعه داده است. این تکنیک های جدید راهکارهای تازه ای را در ادامۀ نتایج به امغان آورد. مدل رقومی زمین (OTM) تنها برای نمایش داده های توپوگرافی زمین نیست، بلکه سایر داده ها همپون توزیع جمعیت، شبکه داده ها، و غیره را نیز به طور پیوسته جمع آوری می کند. این گزارش علمی ابتدا به مرور روش های عمده در تولید مدل های رقومی زمین خواهیم پرداخت. ارزیابی عملکرد این مدل ها، در رابطه با کاربرد آنها در مدل های عددی که جریان آب سطحی را شبیه سازی می کند، صورت گرفته است. بررسی چگونگی جریان های آب برای مثال سیل در یک منطقه مهم می باشد.

لغات کلیدی: مدل رقومی زمین، خطوط منحنی میزان، مدل ارتفاعی زمین، شبکه نامنظم مثلثی، آنالیز جریان آب های سطحی

1- مقدمه: چند سال پیش، روش های تهیه داده های ژئوگرافیکی بر پایه اندازه گیری های میدانی، به طور دستی، با استفاده از اسنادهای ابتدایی صورت می پذیرفت. این فرآیند گران، زمان بر و کم دقت بود.

امروزه، با روش ها و تکنیک های مدرن، مثل تصاویر ماهواره ای (LIOAR) Light Direction & Ranging تکنولوژی سنجش و سیستم موقعیت یابی جهانی (GPS) ، داده ها به صورت اتوماتیک با دقت بالا به دست می آیند. معمولاً اینگونه داده ها با سایر انواع اطلاعات در سیستم اطلاعات ژئوگرافیکی (GIS) ترکیب می شوند. هسته این نوع سیستم، پایگاه داده ای است که ارتباط داده ها همانند، تراکم جمعیت یا تعداد موارد بیماری خاص در دورۀ زمانی مشخص به صورت ژئورفرنس امکانپذیر می باشد.

این کار قسمتی از پروژه ایست که با مسائل جریان آب سطحی ارتباط دارد. یکی از آنها پیش بینی مشکلات آب باران، مثل سیل یا فرسایش زمین، در منطقه نزدیک شهر پتروپویس در برزیل می باشد. هدف اصلی ما استخراج مدلی (OTM) است که قابلیت اتصال به روش های عددی برای شبیه سازی جریان آب سطحی در منطقه را داشته باشد. فرض این است که اگر ما مسیر اصلی جریان آب منطقه را دنبال کنیم، قادر به پیش بینی و در نتیجه جلوگیری از وقوع سیل خواهیم بود. این روش همچنین قادر به شناسایی مناطق پرخطر می باشد هنگامیکه مقدار بارندگی معینی می تواند باعث رانش و زیرش زمین بشود.

طرح کلی این مقاله به صورت زیر می باشد: در بخش بعدی به بررسی مهمترین مدل های زمین خواهیم پرداخت. سپس به بحث بر روی انواع اطلاعات کاربردی در آنالیز و شبیه سازی جریان آب که قابل استخراج از یک OTM هستند خواهیم پداخت. در آخر، به توضیح چهارچوب پیشنهادی سیستمی که امکان جمعبندی مدل های OTM و هیدرولوژیکی را فراهم می کند می پردازیم.

2- مدل های رقومی زمین OTMs: زمین توسط عوارض فیزیکی قطعات خشکی تعریف می شود. توپوگرافی آن نمود این عوارض در مجموعه ای از ترکیبات ساختاری می باشد. یک مدل رقومی زمین (OTM) نمایش زمین و توپوگرافی آن می باشد، که بر روی کامپیوتری به صورت ساختاری داده ای و مجموعه ای رابطه ای ذخیره شده است. زمین ماهیتی پیوسته و نامنظم دارد. به همین جهت یافتن مدلی ریاضی که قابلیت انطباق کامل در تمام زمین را داشته باشد بسیار سخت است. بنابراین، OTM ها معمولاً ارائه کننده زمسنس هستند که تقریبی از واقعیت می باشد. برای بدست آوردن این تقریب، مجموعه ای از نقاط از طریق نمونه برداری جمع آوری شوند. هر یک از این نقاط دارای ارتفاع می باشد. واضح است که عملیات نمونه برداری مرحله حساسی است که اگر از نمونه نادرستی استفاده شود چه بسا عوارض مهمی حذف گردند. براساس این نقاط نمونه برداری شده، یک OTM بایستی قادر به محاسبه بعضی خصوصیات منطقه همچون ارتفاع، شیب، میدان دید، زهکش در هر نقطه ای از آن باشد. فرآیند امترپولاسیون (درونیابی) بر پایه شبکه از نقاط نمونه برداری ویژه قابل انجام می باشد. این شبکه با داده های ویژه ای که در OTM مورد استفاده قرار می گیرند تعریف می شود. در مقاله (mark 1978) ساختاری برای داده های OTM با طبقه بندی داخلی

پروژه درسی کامل آبیاری سطحی کرتی یونجه مهاباد(طراحی+ متن + فایل ها)

اختصاصی از یارا فایل پروژه درسی کامل آبیاری سطحی کرتی یونجه مهاباد(طراحی+ متن + فایل ها) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پروژه کامل آبیاری سطحی کرتی یونجه مهاباد + گزارش کار کراپ وات (آموزش کراپ وات) + فایل اکسل برای محاسبه فرمول کرتی

پروژه کامل در قالب فایل ورد و قابل ویرایش:

شامل توضیحات محصول یونجه، محل مطالعه(مهاباد)، محاسبات کراپ وات، نمودار ها، طراحی و تقویم آبیاری

گزارش کار کراپ وات:

تمامی مباحث پرداخته شده در کارگاه و آموزش قدم به قدم استفاده از کراپ وات تحت عنوان گزارش کار

فایل اکسل محاسبه فرمول کرتی:

قابل استفاده در تمام شرایط کرتی برای محاسبه پارامتر های مورد نیاز

دانلود مقاله کامل درباره تعیین چگالی بارهای سطحی میان - گاه

اختصاصی از یارا فایل دانلود مقاله کامل درباره تعیین چگالی بارهای سطحی میان - گاه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل: Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه :150

بخشی از متن مقاله

فهرست مطالب

فصل اول : ساختارهای دورآلاییده..................................................................... 1

مقدمه................................................................................................................. 2

1-1 نیمه رسانا..................................................................................................... 3

1-2 نیمه رسانا با گذار مستقیم و غیر مستقیم............................................................. 4

1-3 جرم موثر................................................................................................. 4

1-4 نیمه رسانای ذاتی....................................................................................... 6

1-5 نیمه رسانای غیر ذاتی و آلایش............................................................................ 7

1-6 نیمه رساناهای Si و Ge ..............................................................................

1-7 رشد بلور ............................................................................................ 15

1-7-2 رشد رونشستی مواد................................................................................... 15

1-7-3 رونشستی فاز مایع ........................................................................................... 18

1-7-5 رونشستی پرتو مولکولی .................................................................................... 19

1-8 ساختارهای ناهمگون.............................................................................................. 20

 1-9 توزیع حالت‌های انرژی الکترون‌ها در چاه کوانتومی...................................................... 21

1-10 انواع آلایش............................................................................................... 23

1-10-1 آلایش کپه­ای................................................................................................ 24

1-10-2 آلایش مدوله شده (دورآلاییدگی)................................................................. 24

1-10-3 گاز الکترونی دوبعدی ................................................................................ 25

1-10-4 گاز حفره­ای دوبعدی.......................................................................................... 26

1- 11 ویژگی و انواع ساختارهای دور آلاییده ......................................................................... 27

1-11-1 انواع ساختارهای دورآلاییده به­­لحاظ ترتیب رشد لایه­ها ..................................... 27

1-11-2 انواع ساختار دور آلاییده به لحاظ نوع آلاییدگی ( n یا p )................................. 28

1-11-3 انواع ساختار دور آلاییده دریچه­دار.............................................................................. 29

1-12 کاربرد ساختارهای دور آلاییده.......................................................................................... 33

1-12-1 JFET............................................................... 

1-12-2 MESFET ....................................

1-12-3 MESFET پیوندگاه ناهمگون ....................................................................... 35

فصل دوم : اتصال فلز نیمه رسانا (سد شاتکی)................................................................... 38

مقدمه ............................................................................................39

2-1 شرط ایده آل و حالتهای سطحی ................................................................................. 41

2-2 لایه تهی ......................................................................................................... 44

2-3 اثر شاتکی .......................................................................................................... 47

2-4 مشخصه ارتفاع سد............................................................................................. 51

2-4-1 تعریف عمومی و کلی از ارتفاع سد............................................................................... 51

2-4-2 اندازه گیری ارتفاع سد...................................................................................................... 57

2-4-3 اندازه گیری جریان – ولتاژ.............................................................................................. 57

2-4-4 اندازه گیری انرژی فعال سازی................................................................................ 60 

2-4-5 اندازه گیری ولتاژ- ظرفیت.............................................................................................. 60

2-4-6 تنظیم ارتفاع سد ......................................................................................................... 62

2-4-7 کاهش سد ............................................................................................................... 62

2-4-8 افزایش سد................................................................................................. 63

2-5 اتصالات یکسوساز . ................................................................................................. 64

2-6 سدهای شاتکی نمونه  ................................................................................................... 64

فصل سوم : انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده............................................... 66

مقدمه.............................................................................................................................. 67

 3-1 ساختار دور آلاییده معکوس p-Si/Si1-XGeX/Si ............................................................

3-2 ساختار نوار ظرفیت ساختار دور آلاییده معکوسp-Si/SiGe/Si..........................

3-3 محاسبه انتقال بار در ساختارهای دور آلاییده............................................................ 71 

3-3-1 آلایش مدوله شده ایده­آل........................................................................................... 71

3-3-2 محاسبات خود سازگار چگالی سطحی حاملها ............................................................ 74

3-3-3 اثر بارهای سطحی بر چگالی گاز حفره­ای ................................................................... 74

3-4 روشهای کنترل چگالی سطحی حاملها .............................................................................. 76

3-4-1 تاثیر تابش نور بر چگالی سطحی حاملها ..................................................................... 77

3-4-2 تاثیر ضخامت لایه پوششی بر چگالی سطحی حاملها................................................ 78

3-4-3 دریچه دار کردن ساختار دور آلاییده ............................................................................ 79

3-5 ساختارهای دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si با دریچه بالا ...................................... 79

3-6 انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده معکوس با دریچه بالا............................................ 82

3-7 تاثیر بایاسهای مختلف بر روی چگالی سطحی ­حفره­ها ................................................. 83

3-8 ملاحظات تابع موج....................................................................................................... 86

3-9 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای بی دریچه.............................. 87

3-10 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای دریچه­دار............................ 87

فصل چهارم : نتایج محاسبات  .......................................................................................... 89

مقدمه................................................................................................................ 90

4-1 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده بی دریچه Si/SiGe/Si ............................

4-1-1 محاسبات نظری ns برحسب Ls ..................................................................

4-1-2 محاسبات نظری ns برحسب NA  ................................................................................

4-1-3 محاسبات نظری ns برحسب nc .................................................................................

4-1-4 محاسبات نظری کلیه انرژیهای دخیل برحسب Ls ..................................................

4-2 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده دریچه­دار Si/SiGe/Si ................................. 

4-2-1 محاسبات نظری ns برحسب vg ...................................................................................

4-2-2 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و تابعی خطی از vg با شیب مثبت ........................ 107

4-2-3 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و  تابعی خطی از vg با شیب منفی......................... 114

فصل پنجم : نتایج.................................................................................................... 124

5-1مقایسه سد شاتکی با ساختار دورآلاییده دریچه دار p-Si/SiGe/Si ..........................

5-2 بررسی نمودارهای مربوط به چهار نمونه .................................................................... 125

پیوست ...................................................................................................................... 129

چکیده انگلیسی (Abstract) ................................................................................... 139

منابع.............................................................................................141

چکیده

در ساختارهای Si/SiGe/Si که بوسیله روش رونشانی پرتو مولکولی رشد می­یابند به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یک چاه کوانتومی در نوار ظرفیت و در لایه SiGe شکل می­گیرد اگر لایه­های مجاور با ناخالصی­های نوع p آلاییده شده باشند حفره­های لایه آلاییده به داخل چاه کوانتومی می­روند و تشکیل گاز حفره­ای دوبعدی در میانگاه نزدیک لایه آلاییده می­دهند اینگونه ساختارها را ساختار دورآلاییده می نامند .به دلیل جدایی فضایی بین حاملهای آزاد دوبعدی و ناخالصی­های یونیده در ساختارهای دورآلاییده برهمکنش کولنی کاهش یافته و درنتیجه پراکندگی ناشی از ناخالصی­های یونیده کاهش و به تبع آن تحرک­پذیری حاملهای آزاد دوبعدی افزایش می­یابد .چگالی سطحی گاز حفره­ای دوبعدی به پارامترهای ساختار مثلاً ضخامت لایه جداگر ، چگالی سطحی بارهای لایه پوششی ، ضخامت لایه پوششی ، و غیره وابسته است. علاوه بر این در ساختارهای دورآلاییده دریچه­دار با تغییر ولتاِژ دریچه چگالی سطحی گاز حفره­ای قابل کنترل می­باشد . این ساختارها در ساخت ترانزیستورهای اثر میدانی مورد استفاده قرار می­گیرند .

در این پایان نامه ابتدا به تشریح ساختار دورآلاییده  Si/SiGe/Siمی­پردازیم و سپس مدلی نظری که بتواند ویژگیهای الکتریکی گاز حفره­ای دوبعدی درون چاه کوانتومی ساختارp-Si/SiGe/Si  و همچنین میزان انتقال بار آزاد به درون چاه و بستگی آن به پارامترهای ساختار را توجیه کند ارائه می دهیم .در ساختار دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si دریچه­دار با دریچه Al/Ti/Si از این مدل نظری استفاده می­کنیم و با برازش نتایج تجربی تغییرات چگالی سطحی گاز حفره­ای بر حسب ولتاژ دریچه توانسته­ایم چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Si در این ساختارها را در محدوده (m-2) 1015 × 78/1 تا (m-2) 1015 × 63/4  ارزیابی کنیم  .

متن کامل را می توانید بعد از پرداخت آنلاین ، آنی دانلود نمائید، چون فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است.

دانلود فایل 

پاورپوینت در مورد نشست پی های سطحی

اختصاصی از یارا فایل پاورپوینت در مورد نشست پی های سطحی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل: PowerPoint (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد  اسلاید20

لینک دانلود  کمی پایینتر میباشد