«توصیف آشکار سازهای نیمه هادی سه بعدی نوترونهای حرارتی»

اختصاصی از یارا فایل «توصیف آشکار سازهای نیمه هادی سه بعدی نوترونهای حرارتی» دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 9

«توصیف آشکار سازهای نیمه هادی سه بعدی نوترونهای حرارتی»

آشکار سازی های نیمه هادی نوترون برای رادیوبیولوژی نوترون و شمارش آن دارای اهمیت بسیار زیادی هستند. آشکار سازی های ساده سیلیکونی نوترون ترکیبی از یک دیود صفحه ای با لایه ای از یک مبدل مناسب نوترون مثل 6LiFمی باشند. چنین وسایلی دارای بهره آشکار سازی محدودی می باشندکه معمولاً بیشتر از 5% نیست. بهره آشکار سازی را می توان با ساخت یک ساختار میکرونی3D به صورت فرو رفتگی، حفره یا سوراخ و پر کردن آن با ماده مبدل نوترون افزایش داد. اولین نتایج ساخت چنین وسیله ای در این مقاله ارائه شده است.

آشکار سازهای سیلیکونیN با حفره های هرمی شکل در سطح پوشیده شده با 6LiF ساخته شده و سپس تحت تابش نوترونهای حرارتی قرار گرفتند. طیف ارتفاع پالس انرژی تابش شده به حجم حساس با شبیه سازی مورد مقایسه قرار گرفت. بهره آشکار سازی این وسیله در حدود 6.3% بود. نمونه هایی با سایز ستونهای مختلف ساخته شد تا خواص الکتریکی ساختارهای سه بعدی مورد مطالعه قرار گیرد.ضرایب جمع آوری بار در ستونهای سیلیکون از 10تا800 nm عرض و 80تا nm 200ارتفاع با ذرات آلفا اندازه گیری شد. بهره آشکار سازی یک ساختار 3D کامل نیز شبیه سازی شد. نتایج نشان از تقویت بهره آشکار سازی با فاکتور 6در مقایسه با آشکار سازهای صفحه ای استاندارد نوترون دارد.

1. مقدمه و اهداف: آشکار سازهای نوترونی نمی توانند مستقیماً برای آشکار سازی نوترونهای حرارتی به کار روند و باید از ماده ای استفاده کرد که نوترونها را به صورت تشعشع قابل آشکار سازی در آورد. مواد مختلفی برای این منظور وجود دارند که در بین آنها6Li از همه مناسب تر به نظر می رسد. واکنش گیر افتادن نوترون در6Li دارای سطح مقطع942 b در انرژی نوترونی0.0253eV است.

6Li+n→∝(2.05MeV) +3H(2.73MeV

مواد مبدل با پایه6Li دارای سطح مقطع گیر انداختن نورونهای بالایی بوده و انرژی محصولات تولید شده آن نیز برای آشکار شدن به قدر کافی بالا می باشد. هدف نهایی آشکار سازR&D که در اینجا شرح داده می شوند ایجاد یک سنسور تصویر برداری نوترون با حساسیت بالا و قدرت تفکیک فضایی مناسب است. ما قبلاً با موفقیت چیپMedipix-2 با چیپ سنسور صفحه ای پوشیده با مبدل نوترون6Li را آزمایش کرده ایم. قدرت تفکیک فضایی چنین وسیله ای در حدود 65nm(نشانه ای از FWHMتابع پخش خطی) به خوبی با ابزارهای تصویر برداری نوترون قابل رقابت است. نسبت سیگنال به نویز(SNR) آشکارسازی سیلیکون نیز بالاتر از آشکار سازهای نوترونی فعلی است. با این وجود بهره آشکار سازی چنین آشکارسازهای نیمه هادی صفحه ای(نسبت تعداد آشکار شده به تعداد نوترون برخوردی) در حدود5% محدود می باشد. بهره آشکارسازی را می توان با ایجاد حفره یا سوراخ هایی (ساختار 3D ) در بدنه آشکار ساز سیلیکون افزایش داد.

2. آشکار سازی آشکارسازهای نوترونی صفحه ای:

برای پیش بینی بهره آشکارسازی ساختار صفحه ای از یک بسته نرم افزار شبیه سازی مونت کارلو استفاده شد. این بسته ترکیبی بود ازMCNP-4C (شبیه سازی انتقال نوترونی) با SRIM/TRIM (قدرت توقف) و کد مونت کارلو C++ متعلق به خودمان(شبیه سازی انتقال انرژی، طیف ارتفاع پالس، بهره آشکار سازی و....)

شکل 1بهره آشکار سازی را در مقابل ضخامت ماده مبدل6LIF (6LI غنی شده تا 89%)، اول برای تشعشع قدامی که منحنی مقدار بیشینه 4.48% را در ضخامت 7mg/cm2 نشان می دهد. بهره آشکار سازی در ضخامتهای بیشتر از این حد کاهش می یابد چون ذرات آلفا و تریتیوم تولید شده در سطوح دورتر LiFاز مرز Si-LiF قادر به رسیدن به حجم حساس نیستند. به علاوه تعداد بیشتر نوترونها در نزدیکی سطح خارجی مبدل جذب می شوند(شکل 2a را ببینید). منحنی دوم در شکل1 مخصوص آشکار سازی است که از پشت تحت تابش قرار گرفته است.

در ضخامتهای بالا تراز7mg/cm2، بهره آشکار سازی در حدود 4.90%ثابت باقی می ماند. نوترونها به صورت قابل ترجیحی در نزدیکی مرز مبدل نیمه هادی جذب می شوند )شکل(b.2 و بهره آشکارسازی اشباع شده و مستقل از ضخامت آشکار ساز می باشد.

طیف انرژی تابشی در آشکار ساز صفحه ای ساده اندازه گیری شد(شکل 3). نمونه مورد استفاده یک آشکارساز سیلیکونی 5×5mm2و 300µm ضخامت بود. مقاومت حجم n-type در حدود 5kΩcm بود. بخشی از نمونه با لایه ای از6LiF با 89% لیتیوم پوشانده شده بود(به این دلیل فقط بخشی از آن پوشانده شده بود تا بخشی به صورت فضای باز برای کالیبراسیون انرژی با ذرات آلفای منبع کالیبراسیون در اختیار داشته باشیم). طیف حاصل را با نتایج شبیه سازی مونت کارلو مقایسه کردیم. شبیه سازی به خوبی با نتایج اندازه گیری شده مطابقت داشت. نمونه از پشت با دسته پرتو نوترون حرارتی مورد تابش قرار گرفت. اندازه گیریها در کانال افقی (هدایت نوترون) راکتور تحقیقاتی هسته ای LVR-15 در موسسه فیزیک هسته ای دانشگاه چک در Rez در نزدیکی پراگ انجام پذیرفتند. فلوی نوترون در حدود106cm-2s-1در قدرت راکتور8MW بودند.

آلفا و تریتون تولید شده از واکنش گیر انداختن نوترون حرارتی اغلب در جهتهای متضاد به حرکت در می آیند (شکل4) آشکارساز صفحه ای ساده یکی از دو ذره الفا یا تریتون را آشکار می کند نه هر دو را. بنابر این طیف انرژی تابشی هرگز دارای انرژی بالاتر مربوط به تریتون نخواهد بود.

تحقیق درمورد «توصیف آشکار سازهای نیمه هادی سه بعدی نوترونهای حرارتی»

اختصاصی از یارا فایل تحقیق درمورد «توصیف آشکار سازهای نیمه هادی سه بعدی نوترونهای حرارتی» دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 9

«توصیف آشکار سازهای نیمه هادی سه بعدی نوترونهای حرارتی»

آشکار سازی های نیمه هادی نوترون برای رادیوبیولوژی نوترون و شمارش آن دارای اهمیت بسیار زیادی هستند. آشکار سازی های ساده سیلیکونی نوترون ترکیبی از یک دیود صفحه ای با لایه ای از یک مبدل مناسب نوترون مثل 6LiFمی باشند. چنین وسایلی دارای بهره آشکار سازی محدودی می باشندکه معمولاً بیشتر از 5% نیست. بهره آشکار سازی را می توان با ساخت یک ساختار میکرونی3D به صورت فرو رفتگی، حفره یا سوراخ و پر کردن آن با ماده مبدل نوترون افزایش داد. اولین نتایج ساخت چنین وسیله ای در این مقاله ارائه شده است.

آشکار سازهای سیلیکونیN با حفره های هرمی شکل در سطح پوشیده شده با 6LiF ساخته شده و سپس تحت تابش نوترونهای حرارتی قرار گرفتند. طیف ارتفاع پالس انرژی تابش شده به حجم حساس با شبیه سازی مورد مقایسه قرار گرفت. بهره آشکار سازی این وسیله در حدود 6.3% بود. نمونه هایی با سایز ستونهای مختلف ساخته شد تا خواص الکتریکی ساختارهای سه بعدی مورد مطالعه قرار گیرد.ضرایب جمع آوری بار در ستونهای سیلیکون از 10تا800 nm عرض و 80تا nm 200ارتفاع با ذرات آلفا اندازه گیری شد. بهره آشکار سازی یک ساختار 3D کامل نیز شبیه سازی شد. نتایج نشان از تقویت بهره آشکار سازی با فاکتور 6در مقایسه با آشکار سازهای صفحه ای استاندارد نوترون دارد.

1. مقدمه و اهداف: آشکار سازهای نوترونی نمی توانند مستقیماً برای آشکار سازی نوترونهای حرارتی به کار روند و باید از ماده ای استفاده کرد که نوترونها را به صورت تشعشع قابل آشکار سازی در آورد. مواد مختلفی برای این منظور وجود دارند که در بین آنها6Li از همه مناسب تر به نظر می رسد. واکنش گیر افتادن نوترون در6Li دارای سطح مقطع942 b در انرژی نوترونی0.0253eV است.

6Li+n→∝(2.05MeV) +3H(2.73MeV

مواد مبدل با پایه6Li دارای سطح مقطع گیر انداختن نورونهای بالایی بوده و انرژی محصولات تولید شده آن نیز برای آشکار شدن به قدر کافی بالا می باشد. هدف نهایی آشکار سازR&D که در اینجا شرح داده می شوند ایجاد یک سنسور تصویر برداری نوترون با حساسیت بالا و قدرت تفکیک فضایی مناسب است. ما قبلاً با موفقیت چیپMedipix-2 با چیپ سنسور صفحه ای پوشیده با مبدل نوترون6Li را آزمایش کرده ایم. قدرت تفکیک فضایی چنین وسیله ای در حدود 65nm(نشانه ای از FWHMتابع پخش خطی) به خوبی با ابزارهای تصویر برداری نوترون قابل رقابت است. نسبت سیگنال به نویز(SNR) آشکارسازی سیلیکون نیز بالاتر از آشکار سازهای نوترونی فعلی است. با این وجود بهره آشکار سازی چنین آشکارسازهای نیمه هادی صفحه ای(نسبت تعداد آشکار شده به تعداد نوترون برخوردی) در حدود5% محدود می باشد. بهره آشکارسازی را می توان با ایجاد حفره یا سوراخ هایی (ساختار 3D ) در بدنه آشکار ساز سیلیکون افزایش داد.

2. آشکار سازی آشکارسازهای نوترونی صفحه ای:

برای پیش بینی بهره آشکارسازی ساختار صفحه ای از یک بسته نرم افزار شبیه سازی مونت کارلو استفاده شد. این بسته ترکیبی بود ازMCNP-4C (شبیه سازی انتقال نوترونی) با SRIM/TRIM (قدرت توقف) و کد مونت کارلو C++ متعلق به خودمان(شبیه سازی انتقال انرژی، طیف ارتفاع پالس، بهره آشکار سازی و....)

شکل 1بهره آشکار سازی را در مقابل ضخامت ماده مبدل6LIF (6LI غنی شده تا 89%)، اول برای تشعشع قدامی که منحنی مقدار بیشینه 4.48% را در ضخامت 7mg/cm2 نشان می دهد. بهره آشکار سازی در ضخامتهای بیشتر از این حد کاهش می یابد چون ذرات آلفا و تریتیوم تولید شده در سطوح دورتر LiFاز مرز Si-LiF قادر به رسیدن به حجم حساس نیستند. به علاوه تعداد بیشتر نوترونها در نزدیکی سطح خارجی مبدل جذب می شوند(شکل 2a را ببینید). منحنی دوم در شکل1 مخصوص آشکار سازی است که از پشت تحت تابش قرار گرفته است.

در ضخامتهای بالا تراز7mg/cm2، بهره آشکار سازی در حدود 4.90%ثابت باقی می ماند. نوترونها به صورت قابل ترجیحی در نزدیکی مرز مبدل نیمه هادی جذب می شوند )شکل(b.2 و بهره آشکارسازی اشباع شده و مستقل از ضخامت آشکار ساز می باشد.

طیف انرژی تابشی در آشکار ساز صفحه ای ساده اندازه گیری شد(شکل 3). نمونه مورد استفاده یک آشکارساز سیلیکونی 5×5mm2و 300µm ضخامت بود. مقاومت حجم n-type در حدود 5kΩcm بود. بخشی از نمونه با لایه ای از6LiF با 89% لیتیوم پوشانده شده بود(به این دلیل فقط بخشی از آن پوشانده شده بود تا بخشی به صورت فضای باز برای کالیبراسیون انرژی با ذرات آلفای منبع کالیبراسیون در اختیار داشته باشیم). طیف حاصل را با نتایج شبیه سازی مونت کارلو مقایسه کردیم. شبیه سازی به خوبی با نتایج اندازه گیری شده مطابقت داشت. نمونه از پشت با دسته پرتو نوترون حرارتی مورد تابش قرار گرفت. اندازه گیریها در کانال افقی (هدایت نوترون) راکتور تحقیقاتی هسته ای LVR-15 در موسسه فیزیک هسته ای دانشگاه چک در Rez در نزدیکی پراگ انجام پذیرفتند. فلوی نوترون در حدود106cm-2s-1در قدرت راکتور8MW بودند.

آلفا و تریتون تولید شده از واکنش گیر انداختن نوترون حرارتی اغلب در جهتهای متضاد به حرکت در می آیند (شکل4) آشکارساز صفحه ای ساده یکی از دو ذره الفا یا تریتون را آشکار می کند نه هر دو را. بنابر این طیف انرژی تابشی هرگز دارای انرژی بالاتر مربوط به تریتون نخواهد بود.

کنترل هماهنگ و مدیریت انرژی متناوب سازهای تولید توزیع شده در یک میکروگرید (شبکه کوچک)

اختصاصی از یارا فایل کنترل هماهنگ و مدیریت انرژی متناوب سازهای تولید توزیع شده در یک میکروگرید (شبکه کوچک) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

این پکیج حاوی مقالات در قالب های word , pdf , power point می باشد

فهرست مطالب

موضوع                                                                                                                     صفحه

چکیده..................................................................................................................................................................9

مقدمه.................................................................................................................................................................10

فصل اول: کنترل ولتاژ در شبکه های توزیع با حضور منابع تولید پراکنده(DG)..............................................11

1-1-کنترل ولتاژ در شبکه های توزیع.............................................................................................................12

1-2-افزایش ولتاژ حالت دائم..........................................................................................................................14

1-3-کنترل تولید توان راکتیو...........................................................................................................................16

1-4-تعدیل افزایش ولتاژ.................................................................................................................................17

1-5-شبکه آزمایشی و سناریوها......................................................................................................................21

فصل دوم: افزایش بهره وری یک میکروگرید صنعتی با در نظر گرفتن قید امنیت............................................30

2-1-افزایش بهره وری....................................................................................................................................31

2-2-فرمول بندی مسئله..................................................................................................................................32

2-3-محدودیت ها...........................................................................................................................................34

فصل سوم: کنترل پیش بین مدل یا MPC.........................................................................................................37

3-1-MPC......................................................................................................................................................38

3-2-اختلاف الگوریتم های مختلف MPC.....................................................................................................38

3-3-کاربردهای MPC در پژوهش و صنعت..................................................................................................38

3-4-مزایای استفاده از MPC..........................................................................................................................40

3-5-معایب MPC..........................................................................................................................................40

3-6-استراتژی کنترل در خانواده کنترل کننده های MPC..............................................................................41

3-7-ساختار پایه برای پیاده سازی کنترل کننده MPC....................................................................................42

3-8-انتخاب مدل............................................................................................................................................42

3-9-Optimizer...........................................................................................................................................43

3-10-شباهت زیاد استراتژی MPC به رانندگی.............................................................................................44

3-11-مقایسه با PID......................................................................................................................................44

3-12-نقاط ضعف PID..................................................................................................................................45

3-13-دینامیک وارون......................................................................................................................................46

فصل چهارم: کنترل هماهنگ و مدیریت انرژی متناوب سازهای تولید توزیع شده در یک میکروگرید............47

4-1-توصیف و مدل بندی سیستم...................................................................................................................48

4-2-مدل بندی متناوب ساز DG....................................................................................................................50

4-3-طراحی کنترل..........................................................................................................................................53

4-4-مشکل فرعی حالت دائم..........................................................................................................................55

4-5-مسئله فرعی گذرا....................................................................................................................................57

4-6-مطالعات شبیه سازی................................................................................................................................58

نتیجه گیری.......................................................................................................................................................62

منابع و مؤاخذ....................................................................................................................................................63

دانلود مقاله کامل درباره «توصیف آشکار سازهای نیمه هادی سه بعدی نوترونهای حرارتی»

اختصاصی از یارا فایل دانلود مقاله کامل درباره «توصیف آشکار سازهای نیمه هادی سه بعدی نوترونهای حرارتی» دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 8

«توصیف آشکار سازهای نیمه هادی سه بعدی نوترونهای حرارتی»

آشکار سازی های نیمه هادی نوترون برای رادیوبیولوژی نوترون و شمارش آن دارای اهمیت بسیار زیادی هستند. آشکار سازی های ساده سیلیکونی نوترون ترکیبی از یک دیود صفحه ای با لایه ای از یک مبدل مناسب نوترون مثل 6LiFمی باشند. چنین وسایلی دارای بهره آشکار سازی محدودی می باشندکه معمولاً بیشتر از 5% نیست. بهره آشکار سازی را می توان با ساخت یک ساختار میکرونی3D به صورت فرو رفتگی، حفره یا سوراخ و پر کردن آن با ماده مبدل نوترون افزایش داد. اولین نتایج ساخت چنین وسیله ای در این مقاله ارائه شده است.

آشکار سازهای سیلیکونیN با حفره های هرمی شکل در سطح پوشیده شده با 6LiF ساخته شده و سپس تحت تابش نوترونهای حرارتی قرار گرفتند. طیف ارتفاع پالس انرژی تابش شده به حجم حساس با شبیه سازی مورد مقایسه قرار گرفت. بهره آشکار سازی این وسیله در حدود 6.3% بود. نمونه هایی با سایز ستونهای مختلف ساخته شد تا خواص الکتریکی ساختارهای سه بعدی مورد مطالعه قرار گیرد.ضرایب جمع آوری بار در ستونهای سیلیکون از 10تا800 nm عرض و 80تا nm 200ارتفاع با ذرات آلفا اندازه گیری شد. بهره آشکار سازی یک ساختار 3D کامل نیز شبیه سازی شد. نتایج نشان از تقویت بهره آشکار سازی با فاکتور 6در مقایسه با آشکار سازهای صفحه ای استاندارد نوترون دارد.

1. مقدمه و اهداف: آشکار سازهای نوترونی نمی توانند مستقیماً برای آشکار سازی نوترونهای حرارتی به کار روند و باید از ماده ای استفاده کرد که نوترونها را به صورت تشعشع قابل آشکار سازی در آورد. مواد مختلفی برای این منظور وجود دارند که در بین آنها6Li از همه مناسب تر به نظر می رسد. واکنش گیر افتادن نوترون در6Li دارای سطح مقطع942 b در انرژی نوترونی0.0253eV است.

6Li+n→∝(2.05MeV) +3H(2.73MeV

مواد مبدل با پایه6Li دارای سطح مقطع گیر انداختن نورونهای بالایی بوده و انرژی محصولات تولید شده آن نیز برای آشکار شدن به قدر کافی بالا می باشد. هدف نهایی آشکار سازR&D که در اینجا شرح داده می شوند ایجاد یک سنسور تصویر برداری نوترون با حساسیت بالا و قدرت تفکیک فضایی مناسب است. ما قبلاً با موفقیت چیپMedipix-2 با چیپ سنسور صفحه ای پوشیده با مبدل نوترون6Li را آزمایش کرده ایم. قدرت تفکیک فضایی چنین وسیله ای در حدود 65nm(نشانه ای از FWHMتابع پخش خطی) به خوبی با ابزارهای تصویر برداری نوترون قابل رقابت است. نسبت سیگنال به نویز(SNR) آشکارسازی سیلیکون نیز بالاتر از آشکار سازهای نوترونی فعلی است. با این وجود بهره آشکار سازی چنین آشکارسازهای نیمه هادی صفحه ای(نسبت تعداد آشکار شده به تعداد نوترون برخوردی) در حدود5% محدود می باشد. بهره آشکارسازی را می توان با ایجاد حفره یا سوراخ هایی (ساختار 3D ) در بدنه آشکار ساز سیلیکون افزایش داد.

2. آشکار سازی آشکارسازهای نوترونی صفحه ای:

برای پیش بینی بهره آشکارسازی ساختار صفحه ای از یک بسته نرم افزار شبیه سازی مونت کارلو استفاده شد. این بسته ترکیبی بود ازMCNP-4C (شبیه سازی انتقال نوترونی) با SRIM/TRIM (قدرت توقف) و کد مونت کارلو C++ متعلق به خودمان(شبیه سازی انتقال انرژی، طیف ارتفاع پالس، بهره آشکار سازی و....)

شکل 1بهره آشکار سازی را در مقابل ضخامت ماده مبدل6LIF (6LI غنی شده تا 89%)، اول برای تشعشع قدامی که منحنی مقدار بیشینه 4.48% را در ضخامت 7mg/cm2 نشان می دهد. بهره آشکار سازی در ضخامتهای بیشتر از این حد کاهش می یابد چون ذرات آلفا و تریتیوم تولید شده در سطوح دورتر LiFاز مرز Si-LiF قادر به رسیدن به حجم حساس نیستند. به علاوه تعداد بیشتر نوترونها در نزدیکی سطح خارجی مبدل جذب می شوند(شکل 2a را ببینید). منحنی دوم در شکل1 مخصوص آشکار سازی است که از پشت تحت تابش قرار گرفته است.

در ضخامتهای بالا تراز7mg/cm2، بهره آشکار سازی در حدود 4.90%ثابت باقی می ماند. نوترونها به صورت قابل ترجیحی در نزدیکی مرز مبدل نیمه هادی جذب می شوند )شکل(b.2 و بهره آشکارسازی اشباع شده و مستقل از ضخامت آشکار ساز می باشد.

طیف انرژی تابشی در آشکار ساز صفحه ای ساده اندازه گیری شد(شکل 3). نمونه مورد استفاده یک آشکارساز سیلیکونی 5×5mm2و 300µm ضخامت بود. مقاومت حجم n-type در حدود 5kΩcm بود. بخشی از نمونه با لایه ای از6LiF با 89% لیتیوم پوشانده شده بود(به این دلیل فقط بخشی از آن پوشانده شده بود تا بخشی به صورت فضای باز برای کالیبراسیون انرژی با ذرات آلفای منبع کالیبراسیون در اختیار داشته باشیم). طیف حاصل را با نتایج شبیه سازی مونت کارلو مقایسه کردیم. شبیه سازی به خوبی با نتایج اندازه گیری شده مطابقت داشت. نمونه از پشت با دسته پرتو نوترون حرارتی مورد تابش قرار گرفت. اندازه گیریها در کانال افقی (هدایت نوترون) راکتور تحقیقاتی هسته ای LVR-15 در موسسه فیزیک هسته ای دانشگاه چک در Rez در نزدیکی پراگ انجام پذیرفتند. فلوی نوترون در حدود106cm-2s-1در قدرت راکتور8MW بودند.

آلفا و تریتون تولید شده از واکنش گیر انداختن نوترون حرارتی اغلب در جهتهای متضاد به حرکت در می آیند (شکل4) آشکارساز صفحه ای ساده یکی از دو ذره الفا یا تریتون را آشکار می کند نه هر دو را. بنابر این طیف انرژی تابشی هرگز دارای انرژی بالاتر مربوط به تریتون نخواهد بود.

3. بهره آشکارسازی آشکارسازهای دارای حفره هرمی:

نمونه آزمایشی دوم دارای آرایه ای از حفره های هرمی معکوس ایجاد شده بوسیله قلم زنی سیلیکون با KoH بودپایه هرم به ابعاد 60×60 µm2 و به عمق 28mm فاصله بین هرم ها نیز23µm بود. اندازه چیپ مجدداً 5×5mm2 با ضخامت300µm و مقاومت در حدود5kΩcm بود. حفره ها دارای دو سطح بین مبدل نوترون وآشکارساز بودند. برعکس طیف آشکار سازها صفحه ای ( شکل5) در اینجا طیف دارای وقایع با انرژی بیش از2.73MeV است چون اگر واکنش در ناحیه نزدیک به نوک هرم رخ دهد، هر دو ذره (آلفا تریتون) آشکار خواهند شد.

تحقیق وبررسی در مورد سازهای بادی

اختصاصی از یارا فایل تحقیق وبررسی در مورد سازهای بادی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 4

ساز‌های بادی

ساز آلت موسیقی که زنند یا نوازند و آن بر دو قسمت است: 1- سازهای زهی که دارای زه هستند.

2- سازهای بادی (ذوات اسنفخ) که باد میدان به صدا در آیند مانند (نی، شیپور و فلوت) 3- سازهای ضربی و کوبه ای مانند طبل و ضرب، دهل، سنج و … در اصطلاح موسیقی دان ها آن آلت را ساز می‌گویند. مخصوصاً تار را.

قسمت اصلی و اساسی هر ساز بادی، لوله ای است، که چون در آن دمنه ستون هوای موجود در داخل آن به نوسان در می آید. صوتی پدید می آورد و هر قدر ستون هوا کوتاه‌تر باشد صدایی که بر می خیزد زیرتر است. سازهای بادی را به دو خانواده اصلی تقسیم کردند؛ 1- سازهای بادی چوبی که از نی یا چوب ساخته می شوند. مثل: مزمار یا زمر، سورنای، صغاره، یراع، شاهین، یوق، موصول.

2- سازهای بادی فلزی که از مس یا برنج ساخته می شوند مثل: بوق، نفیر و ارغنون دهنی سازهای بادی از لحاظ شکل و طرح نواختن به دو دسته متمایز تقسیم می شوند؛ 1- دسته ای که نواختن آنها به وسیله زبانه ای صورت می‌گیرد مثل نی انبان و سورنای و رونای و در سازهای اروپایی مثل قره‌نی، ساگسوفون و چنگ چینی 2- آنهایی که هوا به ون واسطه در لوله دمیده می شود مانند قلوت و ارغنون دهنی و خانواده نای. ساز بادی از لحاظ شکل هم به دو طبقه تقسیم می شود؛ 1- آنهایی که شکل استوانه دارند. 2- آنهایی که شکل مخروطی دارند و سر و ته آنها یک اندازه نیست.

پیشانی بر عرش

27 آبان مصادف 23 رمضان برنامه ای تحت عنوان پیشانی بر عرش با موضوع سیمای حضرت علی (ع) در ادبیات، زیر نظر انجمن علمی- ادبی سیمرغ برگزار می شود که در این برنامه شاهد سخنرانی اساتید، شعرخانی با موضوع امام علی (ع) و مداحی خواهیم بود.

نی نامه شقایق

17 مهر مصادف با هفته جانباز برنامه ای زیر نظر بسیج دانشجویی ادبیات برگزار شد، که در این برنامه شاهد حضور شاعر برجسته کشور جناب آقای عبدالجبار کاکایی، اساتید دانشگاه و دانشجویان بودیم و گفتنی است مراسم شعرخانی با موضوع دفاع مقدس اجرا شد.

نیایش امام

خدایا! تویی سزاوار ستایش های نیکو و بسیار و بی شمار تو را ستودن اگر تو را آرزو کنند پس بهترین آرزویی و اگر به تو امید بندند بهترین امیدی.

خدایا! درهای نعمت بر من گشودی که زبان به مدح غیر تو نگشایم و بر این نعمت ها غیر از تو را ستایش نکنم و زبان را در مدح نومید کنندگان و آنان که مورد اعتماد نیستند باز نکنم.

خدایا، از من در گذر آنچه را از من بدان داناتری، و اگر بار دیگر به آن باز گردیم تو نیز بخشایش باز گرد. خدایا، آنچه از اعمال نیکو که تصمیم گرفتم و انجام ندادم ببخشای.

خدایا! به تو پناه می برم از آن که در سایه بی نیازی تو، تهیه ست باشم، یا در پرتو روشنایی هدایت تو گمراه گردم، یا در پناه قدرت تو بر من ستم روا دارند، یا خوار و ذلیل باشم در حالی که کار در دست تو باشد! خدایا ! اما به تو پناه می بریم از آن که از فرموده تو بیرون شویم، یا از دین تو خارج گردیم، یا هوای نفسانی پیدا بر ما فرود آید، که از هدایت ارزانی شده از جانب تو سرباز زنیم.

و افزایش فضای کتابخانه ها، راه اندازی کتابخانه های دیجیتالی، آمار فعالیت های شورای پژوهشی و انتشاراتی و اقداماتی در خصوص فرصت های مطالعاتی و سایر برنامه های در دست اقدام تشریح شد.

پرده عشاق

22 مهر مصادف با روز بزرگداشت حافظ برنامه ای تحت عنوان پرده عشاق زیر نظر استاد کاکاوند در سالن باهنر برگزار شد. این برنامه با اجرای موسیقی زنده همراه بود که بسیار مورد استقبال شرکت کنندگان قرار گرفت. در این بزرگداشت به بعضی از پرسش های دانشجویان در ارتباط با حافظ توسط اساتید ادبیات پاسخ داده شد.

از عشق تا عرفان

8 مهر مصادف با روز بزرگداشت مولانا برنامه ای تحت عنوان «از عشق تا عرفان» زیر نظر انجمن علمی- ادبی سیمرغ در سالن باهنر برگزار شد. این برنامه همراه با موسیقی سنتی زنده و با حضور اساتیدی چون استاد میرعابدینی، استاد ذاکری، استاد پرهیزگاری، استاد حیدری و استاد کاکاوند اجرا گردید. در این بزرگداشت به پرسش های دانشجویان با موضوع عشق، عفان، شمس و شخصیت او و تاثیر شمس بر مولانا و … پاسخ داده شد.

نمایشگاه شمس و شخصیت او و تاثیر شمس بر مولانا ثانوی تحصیل شد؟؟!!

خبر

- بورس دکتری به دانشجویان ممتاز اعطا می شود.

مدیر کل دفتر امور آموزشی و تحصیلات تکمیلی وزارت علوم، از اعطای بورس تحصیلی دکتری به دانشجویان مممتاز مقطع کارشناسی ارشد خبر داد.

امسال آیین نامه تسهیلات آموزشی، پژوهشی برای دانشجویان ممتاز دوره کارشناسی ارشد و دکتری ابلاغ شد که بر اساس آن امکان پذیرش دانشجویان ممتاز در دوره دکترای بدون شرکت در آزمون فراهم گردید.

تاسیس واحدهای دانشگاه آزاد اسلامی در بوسنی و تاجیسکستان

دکتر جاسبی در مراسم گشایش واحد قائنات از افزایش واحدهای برون مرزی دانشگاه آزاد اسلامی خبر داد و گفت در راستای برنامه پنجساله چهارم توسعه 10 واحد دانشگاهی در کشور های مختلف جهان تاسیس می شود که علاوه بر انگلستان، لبنان و امارات به زودی شعبه های بوسنی و هرز گوین و تاجیسکستان تاسیس خواهد شد.

دومین همایش منطقه ای ژئوفیزیک در واحد تهران شمال برگزار شد

دومین همایش منطقه ای ژئوفیزیک با عنوان زمین لرزه، دستاوردها، کاهش خطرپذیری و آمادگی در دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران شمال برگزار شد. که در این برنامه فعالیت ها و عملکرد پژوهشی واحد از جمله: تجهیز آزمایشگاه‌ها، تجهیز